Al2O3缓冲层对以ZnO∶Al为阳极的有机电致发光器件性能的影响

采用直流磁控溅射法制备ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜,薄膜电阻率为5.3×10-4Ω.cm,可见光区平均透过率大于85%。采用施加缓冲层的方法,在AZO和NPB之间加入一层Al2O3绝缘薄膜,提高了AZO阳极有机电致发光器件的性能,分析了Al2O3缓冲层的作用机理。结果表明施加1.5 nm缓冲层后器件的电流效率是单纯AZO阳极器件的3.4倍,同时也高于传统ITO器件。     

醋酸对绒面AZO薄膜表面织构均匀性的影响研究

以0.5%的稀盐酸中加入一定量醋酸后的溶液为腐蚀液,对利用直流磁控溅射方法制备的平面掺铝氧化锌(AZO)薄膜进行表面织构,并对加入醋酸后的AZO薄膜表面织构均匀性和反应机理进行研究。结果表明:在0.5%稀盐酸中所加醋酸量与盐酸体积比为0.5:1时,对平面AZO薄膜腐蚀45 s能获得更均匀陨石坑状绒面结构,且有较高绒度;腐蚀液中较水分子大得多的醋酸分子的空间位阻作用在一定程度上能减缓腐蚀速率,使得比加醋酸前获得的AZO薄膜绒面更均匀。     

工艺参数对碳纳米管取向生长的影响

采用催化热解法,以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源,H2和Ar作为载气,制备了定向碳纳米管阵列;考察了工艺参数对碳纳米管取向生长的影响。结果表明:在二茂铁/二甲苯溶液进入反应室的温度为310℃,H2和Ar总流速为120mL/min,抛光硅基底上容易获得定向碳纳米管阵列。     

氢气流量对定向碳纳米管生长的影响及其生长机理研究

采用催化热解法,以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源,在不同H2流量下,直接在硅基底上生长定向碳纳米管阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱(Raman)对样品进行观察和表征,并研究了H2流量对定向碳纳米管生长的影响和碳纳米管定向生长的机理.结果表明:H2在反应过程中起刻蚀作用,H2流量为60cm3/min时,生长的碳纳米管定向性最好.     

不同铝掺杂量ZnO薄膜性能的研究

以铝掺杂质量分数为1%、2%、3%的Zn/Al合金为靶材,采用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同铝含量ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜。研究了衬底温度对AZO薄膜电学性能的影响;同时,研究铝掺杂量不同、电阻率相同的AZO薄膜的载流子浓度与迁移率的关系。结果表明:随着Al掺杂量的增加,薄膜最佳性能(透过率90%,电阻率6×10-4Ω·cm左右)时的衬底温度值会降低;电阻率相同的样品,1%铝掺杂的薄膜迁移率和透光率均高于2%铝掺杂薄膜的。     

天然靛蓝间接电化学染色性能的研究

以电能替代传统的保险粉还原靛蓝，是对靛蓝清洁染色工艺的新探索。文中分别以Fe³⁺-TEA、Fe²⁺-配体为阴极溶液，采用间接电化学对天然靛蓝进行还原染色工艺。发现以Fe³⁺-TEA为阴极溶液时，优化后施加电压为13.00 V，阴极还原电位趋于-660 mV，在间接电化学反应器中仍然可以对织物进行上染，但上色不好，染色效率不高，长达7 h的还原时间，测得织物的K/S值虽有上升，仍仅为0.490 5；以Fe²⁺-配体体系对靛蓝进行还原，得出最佳配体为葡萄糖酸钙，优化后的还原染色条件为1.500 g/L天然靛蓝、2.780 g/L FeSO₄·7H₂O、4.350 g/L葡萄糖酸钙、1.600 g/L NaOH，在10.00 V电压下电化学还原20 min后，将织物放入浸染，浸染时长为9 min,K/S值为11.204 0。