基于ADSP-21161N的TFT-LCD驱动电路的设计

介绍了一种基于ADSP-21161N的TFT-LCD驱动电路的设计方法。功能强大的数字信号处理器ADSP-21161N有两个高速的并行传输链路口,可以分别实现视频数据的实时输入和输出。用高性能DSP能实时灵活地实现伽玛校正、时基校正、图像优化和系统全局时序逻辑控制等功能,而且系统的通用性好,还能利用DSP的丰富接口资源,实现功能扩展和人机交互。     

双轴应变下GaN有效质量的计算及其对迁移率的影响

通过计算双轴应变下氮化镓的电子能带结构,给出了GaN有效质量与应变的变化关系。在弛豫时间近似的条件下,这种关系决定了双轴应变AlGaN/GaN中二维电子气(2DEG)的迁移率的改变。在其他物理参量不变的情况下,这种二维电子气迁移率将随着张应变的增加而增加,并随着压应变的增加而减小。计算结果表明,张应变对2DEG迁移率的影响要比压应变大。此外,GaN有效质量的变化在低温时对迁移率的作用更明显。而在低温低浓度的条件下,迁移率却对有效质量的依赖很小。     

溶胶-凝胶法制备掺镧钛酸钡薄膜及其光学性质研究

以硝酸镧、醋酸钡、钛酸四丁酯为原料,采用溶胶一凝胶旋涂法制备掺La的钛酸钡薄膜,研究薄膜的晶体结构、表面形貌、紫外-可见光吸收性能及光学带隙。研究结果表明,纯钛酸钡和掺La钛酸钡薄膜均为单一四方钙钛矿结构,La3＋的引入可以使钛酸钡薄膜在可见光区的透过率和光学带隙有一定程度下降,而退火温度对掺镧钛酸钡薄膜光学带隙基本无...     

钛酸锶铅铁电薄膜的制备、应用及其研究进展

综述了钛酸锶铅(PST)铁电薄膜目前最常用的4种制备工艺:溶胶-凝胶(Sol_gel)法、磁控溅射(Magnetron Sput-tering)、脉冲激光沉积(PLD)和金属有机化学气相沉积(MOCVD),并简要介绍了PST目前的研究进展以及PST薄膜在铁电移相器、动态随机存储器(DRAM)和热释电红外探测器方面的应用,提出了发展展望。     

TFT-LCD驱动电路的设计

薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）具有重量轻、平板化、低功耗、无辐射、显示品质优良等特点，其应用领域正在逐步扩大，已经从音像制品、笔记本电脑等显示器发展到台式计算机、工程工作站（EWS）用监视器。对液晶显示器的要求也正在向高分辨率、高彩色化发展。     

钛酸锶钡铁电薄膜的制备与性能优化研究

综述了目前钛酸锶钡(BST)铁电薄膜最为常用的4种制备工艺:磁控溅射法(Magnetron Sputtering)、脉冲激光沉积法(PLD)、溶胶-凝胶法(Sol-gel)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)。并介绍了在优化BST铁电薄膜性能方面所作的工作和取得的成果。     

锆钛酸钡(BZT)陶瓷的制备研究

将氧化物固相反应法用于制备BaZr0.2Ti0.8O3(简称BZT)陶瓷,所制备的陶瓷实际密度为理论密度的96.1%。利用光学显微镜观察到样品中的晶粒大小为几微米至十余微米,形状大多为球形或接近于球形。     

掺Sb、Mn钛酸钡系陶瓷的组成显微结构和PTC性能间的关系

本文阐述了关于掺Sb、Mn钛酸钡系陶瓷的组成、显微结构和PTC性能间的关系的实验和研究结果。阐明了当Sb、Mn的掺入量变动时,该系材料存在三个组成区(即I_1,S,I_2);其外观颜色、电性能及显微结构间存在确定的规律性关系;在ρ_(RT)最小、ρ_(max)/ρ_(min)最大的材料中,Mn和Sb的掺入量之间存在经验公式为[Sb]=A+B[Mn]的线性关系;S区内存在PTC性能较好的B组成区,以B区配方配制的材料,其ρ_(max)/ρ_(min)大于10~6,α_(min)大于60％/℃,可达100％/℃。     

陶瓷超级电容器的研究进展

介绍了新型电能储存单元陶瓷超级电容器,概述了其发展现状,以及较之现有几种电池的优势。详述了陶瓷超级电容器的结构及工作原理。从钛酸钡粉体的掺杂、粉体粒径、击穿电压三方面分析了陶瓷超级电容的关键技术。     

BNST薄膜电容的制备及电性能研究

采用磁控溅射法在覆釉95-Al2O3陶瓷基片上制备了BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(BNST)微波介质薄膜为介质的金属-绝缘体-金属结构电容器。原子力显微镜(AFM)显示在800℃退火0.5 h后的BNST薄膜晶粒形状完整;XRD图谱显示薄膜化后BNST晶体面间距减小;电性能测试表明,1 MHz频率下BNST薄膜介电常数为77.2,介电损耗为0.25%,-55~125℃范围内介温系数为-51.8×10-6/℃,30 V偏压下漏电流密度为3.28×10-8A/cm2。