现代军事物流体系研究

从阐述现代军事物流的科学内涵出发,分析了加速发展现代军事物流的重要意义,提出了现代军事物流保障组织体系、保障手段和保障机制。     

十极场成分对四极质谱性能的影响

从理论上研究了十极场A5,以及少量六极场A3、八极场A4等高阶场的产生方法以及它们对线形四极质谱性能的影响。结果表明,可以通过改变组成四极质量分析器的电极对称性,如使用特殊形状的电极将少量的十极场等高阶物加入到四极场中。也可以通过使用4根直径不等的圆柱形电极将十极场加入到四极场中,但此时也会有少量的十二极场A6、十六极场A8、二十极场A10等产生。这些高阶场成分的存在将会影响四极质谱的性能,如使得线形四极质量分析器的第一稳定区图的顶部形状发生改变,进而影响四极质谱的质量分辨能力等。但少量的六极场和八极场有助于四极质谱质量分辨能力的改善。     

谈包装设计专业基础课的静物设置

“优先发展教育,建设人力资源强国”这是我国在新的历史时期为进一步实施科教兴国战略和人才强国战略作出的重大战略决策。提高教学质量是发展教育关键。     

含高阶场成分的四极杆电极系统及其性质

由4根柱状电极组成的四极杆电极系统在射频电源的作用下主要产生以四极电场为主的电场分布。四极电场可以用于离子质量分析、离子存储和离子传输等。理论分析表明,只有用4根双曲面电极组成四极杆电极系统时,才会产生纯四极场分布;在其他情况下,除四极电场外,还可能会产生六极、八极、十二极、二十极等高阶电场成分。本研究用数值计算的方法,分析了用4根不同直径的圆柱形电极组成的四极杆电极系统的电场分布情况和作为质量分析器时的性能。结果表明：当用3根相等直径和1根较大直径的圆柱形电极组成四极杆电极系统时,可以产生除四极电场外的高阶电场分布,其高阶场成分主要有六极场（A₃）、八极场（A₄）、十极场（A₅）、十二极场（A₆）、二十极电场（A₁₀）等;各种高阶场的含量可以通过改变圆柱形电极的直径,或使具有较大直径的圆柱形电极偏转一定的角度加以调节;当四极电场中含有一定量的高阶电场时,仍可获得较好的质量分辨。含高阶场的四极杆电极系统具有较高的离子传输效率和更好的离子串联质谱分析能力,具有潜在的实用价值。     

高职教育强校实践与战略理论探索——评《高职教育特色院校建设的探索与实践》

<正>当今我国的产业结构正处于由劳动密集型和资源消耗型向资金密集型和技术密集型转变,为了顺利完成这一转变,整个社会需求大量高素质、高专业性的应用型人才。高职教育作为高等教育的一个重要组成部分,其设立的初衷和最终目标就是为了满足社会对人才的需求,积     

PCB分压离子阱性能优化的理论模拟研究

印刷线路板（Printed-Circuit-Board,以下简称PCB）分压离子阱是一种主要由印刷线路板围成的新型简单电极结构的质量分析器。PCB分压离子阱的尺寸小巧、加工装配容易且成本较低,适于用作小型化离子阱质谱仪的质量分析器。为进一步提高PCB分压离子阱的分析性能,本研究对原有的PCB分压离子阱的电压施加方式与几何结构进行改进。利用计算机模拟软件SIMION和AXSIM,分析了分压离子阱的内部电场、离子运动轨迹及模拟质谱峰图。模拟中分别采用m/z 4 000、4 001和4 002离子,结果显示在射频信号（RF）分压比不变的情况下,不同的共振激光信号（AC）分压比对质量分辨率有显著的影响。随着该分压比的减小,质量分辨率得到相应的提高。当仅在中央电极施加AC信号时,可将质量分辨率提高约25%。另一方面,撤除角接地电极的新型PCB分压离子阱结构的性能较原有PCB分压离子阱的性能更优,对于m/z 4 001离子,其质量分辨率可以达到10 325。该结果可为进一步的实验提供理论基础。     

基于电喷雾电离源质谱仪系统的八电极线性离子阱性能研究

八电极线性离子阱在前期的理论模拟研究中取得了较好的质量分析性能,为验证理论模拟结果,选择其中最优的结构参数,设计、加工并组装了八电极线性离子阱实物,以此为基础搭建电喷雾电离源质谱测试系统。在传统射频电压施加模式下,测试八电极线性离子阱的分析性能。当扫描速度为765 u/s时,八电极线性离子阱获得离子峰的半峰宽可达0.3 u,对应利血平（m/z 609）的质量分辨率为2 030。当分析浓度为10 mg/m3的利血平样品时,对应的质谱峰信噪比可达45.8。本文进一步研究了扫描速度对质量分辨率和灵敏度的影响,实现了离子碰撞诱导解离,分析了不同浓度的25羟基维生素D2标准样品,线性动态范围可达4个数量级。结果表明,八电极线性离子阱具有良好的分析性能,可为结构简化线性离子阱的研究提供全新思路,推动小型化离子阱质谱仪的研究进展。     

基于微机电系统加工技术的微小型矩形离子阱的研制

矩形离子阱（RIT）不仅具有线性离子阱（LIT）捕获效率高和存储容量大等特点,还兼具圆柱形离子阱（CIT）易加工和装配的优点,具有小型化的优势。为了使RIT进一步微小型化,本研究采用微机电系统（MEMS）和激光切割技术加工微小型RIT,并通过模拟仿真分析RIT的各项参数与其内部电场成分的关系。结果表明：固定离子阱非出射方向的场半径为1.4 mm,拉伸离子出射方向的场半径为1.60 mm,在电极厚度为50 μm时,分析m/z 119离子的质量分辨率可达到452。使用MEMS工艺可制备高精度、微米级的微小型RIT。质谱分析表明,制备的微小型RIT对m/z 391的邻苯二甲酸二辛酯具有高于500的质量分辨能力,该结果验证了其结构设计的正确性以及MEMS工艺制备的可行性,为矩形离子阱的进一步微小型化奠定了良好基础。