锌硼玻璃基低温共烧陶瓷的微波介电性能研究

采用3ZnO-2B2O3玻璃与Al2O3和TiO2复合烧结制备了锌硼玻璃基低温共烧陶瓷复合材料,研究了TiO2/Al2O3质量比对所制复合材料相组成和微波介电性能的影响.结果表明:随着TiO2/Al2O3质量比减少,复合材料中ZnAl2O4相含量增多,TiO2相含量减少,4ZnO·3B2O3相的含量基本不变.随着TiO...     

电子陶瓷材料的纳米尺寸效应和纳米技术

电子陶瓷材料的纳米尺寸效应、纳米技术以及代表纳米特征的相关特征技术变得日益重要。本文讨论了电子陶瓷材料领域的纳米技术研究进展以及将来的发展趋势。首先阐述了纳米氧化物陶瓷的尺寸效应，然后讨论纳米结晶陶瓷的制备方法和应用，最后叙述在纳米技术与半导体技术发展中并驾齐驱的集成陶瓷薄膜技术的发展趋势。     

高能辐射室温探测器用TlBr单晶及其器件

TlBr单晶材料具有探测器高的阻止本领、宽禁带、高电阻率、高密度、能量吸收深度较小等特点,是目前理想的高能X和7射线探测用半导体材料之一.介绍了TlBr单晶材料、TlBr探测器的基本原理以及T1Br单晶及器件的研究现状,概括了TlBr原料提纯和晶体生长的主要方法及其特点,同时总结归纳出TlBr晶体生长和器件制备方面所存在的高质量材料制备问题、电极接触问题、器件结构设计问题和载流子收集问题,以及将来TlBr探测器领域的热点研究方向.     

碱偏高岭土矿渣地聚合物砂浆强度及新拌性能研究

采用水玻璃作为激发剂,采用偏高岭土和矿渣作为固体前驱体,研究了不同水玻璃模数、不同碱当量和不同偏高岭土掺量对碱偏高岭土矿渣地聚合物水泥砂浆流动度、凝结时间、强度和粘度特性的影响,并基于牛顿内摩擦定律,推导了砂浆剪切应力与剪切速率的相关关系.结果 表明:碱偏高岭土矿渣水泥砂浆流动度和强度均随水玻璃模数和偏高岭土掺量增大而降低.凝结时间随偏高岭土掺量的增大而增加,随水玻璃模数增大逐渐增大.经过推导,发现碱偏高岭土矿渣水泥砂浆剪切应力与剪切速率呈线性关系.关系式中的屈服应力和塑性粘度均随偏高岭土掺量和水玻璃模数增大而增大.     

成型工艺对片式PTCR素坯及瓷片性能的影响

将注凝成型、注浆成型与轧膜成型应用于片式PTCR的制备,研究了不同成型工艺对片式 PTCR素坯及瓷片性能的影响。研究发现,用注凝成型和注浆成型工艺制备的素坯比用轧膜成型更加均匀, 其陶瓷颗粒与粘结剂分布规则。在3种成型工艺所得的瓷片中,注凝成型瓷片晶粒生长最均匀,注浆成型瓷片晶粒生长较均匀,而轧膜成型瓷片晶粒生长不均匀。注凝成型和注浆成型工艺所制备瓷片的 PTC性能稍优于轧膜成型。瓷片的耐电压性能与成型工艺有较大的依赖关系。     

铜钼复合添加ZnO-TiO2微波介质陶瓷的低温烧结及相转变

研究了添加0.25CuO-0.75MoO3(摩尔比,简记为CM)对ZnO-TiO2(简记为ZT)陶瓷的低温烧结特性、相转变及微波介电性能的影响.CM添加的ZT陶瓷由传统的固相反应方法制备而得,烧结温度限定在900～1050℃范围内.样品的显微形貌、元素成分、物相构成及微波介电性能分别由FE-SEM、EDS、XRD及网络分析仪进行表征或测量.EDS及XRD分析显示,Cu2+和Mo6+均进入了ZT陶瓷的主晶相的晶格,并导致ZnTiO3分解温度的降低,同时,也降低了在Zn2TiO4和金红石之间形成固溶体(Zn2Ti3O8)的起始温度.实验结果表明,CM的添加可有效地促进ZT陶瓷的低温致密化烧结.添加4wt%CM且在975℃烧结4h后的ZT陶瓷的密度可达理论值的94%,其微波介电性能为品质因素Qf=12150GHz,介电常数εr=28.6,谐振频率温度系数τf=+17.8×10-6/℃.     

铜钼复合添加ZnO-TiO2微波介质陶瓷的低温烧结及相转变

研究了添加0.25CuO-0.75MoO₃(摩尔比, 简记为CM)对ZnO-TiO₂ (简记为ZT)陶瓷的低温烧结特性、相转变及微波介电性能的影响. CM添加的ZT陶瓷由传统的固相反应方法制备而得, 烧结温度限定在900~1050℃范围内. 样品的显微形貌、元素成分、物相构成及微波介电性能分别由FE-SEM、EDS、XRD及网络分析仪进行表征或测量. EDS及XRD分析显示, Cu²⁺ 和Mo⁶⁺ 均进入了ZT陶瓷的主晶相的晶格, 并导致ZnTiO₃分解温度的降低, 同时, 也降低了在Zn₂TiO₄和金红石之间形成固溶体(Zn₂Ti₃O₈)的起始温度. 实验结果表明, CM的添加可有效地促进ZT陶瓷的低温致密化烧结. 添加4wt%CM且在975℃烧结4h后的ZT陶瓷的密度可达理论值的94%, 其微波介电性能为品质因素Qf=12150GHz, 介电常数ε_r =28.6,谐振频率温度系数τ_f=+17.8×10^-6/℃.     

TlBr粉末的水热重结晶提纯和TlBr晶体生长(英文)

采用水热重结晶法提纯TlBr,用等离子耦合质谱仪检测痕量杂质。结果表明:水热重结晶法是一种有效的TlBr提纯方法,经一次水热重结晶提纯后,杂质Ca,Fe,Mg,K,Zn,Cu,Na和Si的总浓度从139.6×10–6(质量分数,下同)下降为9.3×10–6;随着溶液冷却速率的下降,杂质含量下降幅度明显增大。对比真空蒸馏提纯法,水热重结晶法具有更高的提纯效率。以水热重结晶制备的TlBr粉为原料,采用垂直Bridgman法生长了尺寸为φ8mm×55mm的TlBr晶体。TlBr晶体的禁带能为(2.83±0.005)eV,电阻率为2.26×1011(Ω·cm)。     

SrTiO_3-(K1/2Bi1/2)TiO_3-Bi_2O_3·3TiO_2系统铁电陶瓷材料低频介电性(1)介电常数,介质损耗以及电容器温度与频率特性

本文在较大范围内研究了SrTiO_3-(K_1/2Bi_1/2)TiO_3-Bi_2O_3·3TiO_2系统铁电陶瓷材料的介电性能,并获得介电常数高,介质损耗小,温度特性好的陶瓷介电材料.X射线衍射,扫描电镜,透射电镜以及能量色射x射线谱仪微观结构与成份分析表明:Sr-Bi-K-Ti等材料是由钙钛矿型SrTiO_3基固溶体为光晶相与含铋层状结构锶铋钛化合物为次晶相组成.     

原位聚合法制备BaTiO3厚膜的研究

研究了在BaTiO3水浆料中通过加入丙烯酰胺有机单体原位聚合形成聚丙烯酰胺的过程制备厚膜。生坯的柔韧性通过加入丙三醇作为增塑剂加以改善。实验结果表明，由于所制备浆料的均匀性好，这种由原位聚合形成的厚膜显微结构均匀，电性能优良。