金属间化合物MgB2电子结构与超导电性的研究

利用正电子湮没实验,结合理论模拟计算研究了金属间化合物MgB2系列样品.结果表明,在不同压强下,样品的电子结构发生了变化,Mg原子层电子向B原子层方向转移,与B原子层面上的空穴载流子复合,导致费米能级降低,其附近的态密度减小,使可配对电子减少;同时由于压力作用,样品材料晶格弹性减弱,电声耦合失匹,抑制了材料的超导电性.最后对激光辐照下的MgB2系列样品进行了分析,可能在一定光剂量范围内,有助于超导电性,过量的光子掺杂将会抑制其超导电性.     

稀土化合物TbNiAl4的磁性和晶场效应研究

采用点电荷晶场理论模型，通过模拟W．D．Hutehison小组测量的磁化率倒数与温度的关系曲线，得到了稀土化合物TbNiAl4的晶场系数、晶场分裂能和相应波函数，并从理论上分析了晶场效应对化合物磁性的影响．计算表明，非Kramers离子Tb^3＋在晶场效应的作用下，基态简并消除得到了13个单态．计算得到的TbNiAl4的总分裂能913K与实验吻合较好．     

稀土化合物TbNiAl_4的磁性和晶场效应研究

采用点电荷晶场理论模型,通过模拟W.D.Hutchison小组测量的磁化率倒数与温度的关系曲线,得到了稀土化合物TbNiAl4的晶场系数、晶场分裂能和相应波函数,并从理论上分析了晶场效应对化合物磁性的影响.计算表明,非Kramers离子Tb3+在晶场效应的作用下,基态简并消除得到了13个单态.计算得到的TbNiAl4的总分裂能913 K与实验吻合较好.     

溶胶-凝胶法制备氧化铝绝缘薄膜及其电性能研究

以乙二醇乙醚为溶剂,异丙醇铝为前驱物,乙酰丙酮为螯合剂,采用溶胶-凝胶法和旋转涂覆工艺,在不同衬底上制备了氧化铝薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和金相显微镜等手段对薄膜的微观结构和表面形貌进行了表征。结果表明,溶胶-凝胶法制得的薄膜为无定形结构,表面均匀、致密、无裂纹。通过对薄膜电流密度与电场和时间(J-E和J-t)曲线的测量,对薄膜的电学性能进行了研究。薄膜击穿场强约为2.0～3.0MV/cm,在电场强度为0.5MV/cm时,漏电流密度约为9.0×10-6 A/cm2。