无吸收模式滤波结构高亮度大功率宽条形半导体激光器

提升宽条形半导体激光器水平方向激射光输出的光束质量,改善宽条形半导体激光器的工作特性,一直是大功率、高亮度宽条形半导体激光器器件工艺研究的难点.基于激射光在无源波导内的衍射原理制备宽条形半导体激光器的模式滤波结构,利用AlxNy绝缘介质薄膜应力使基底半导体材料带隙变化的原理制备无吸收无源波导.将两者结合,设计制备了带有...     

新型垂直腔面发射激光器的研制北大核心CSCD

热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一。为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一种新型内腔接触式结构VCSEL。在出光孔径为16μm时,同时制备传统结构和新型结构两种器件并对其进行测试,传统结构VCSEL的阈值电流为11.5 mA,当注入电流为34 mA时,最大输出功率达到7.3 mW;新结构器件的阈值电流为9 mA,当注入电流为35 mA时,最大输出功率达到10.2 mW;新结构的阈值电流降低了21.7%,最大输出功率提高了28%。结果表明,这种内腔接触式电极结构有望改善器件的热特性和光电性能。     

ZnSe光学薄膜对GaAs表面特性的影响

GaAs基半导体激光器芯片在空气中解理后,解理腔面会被空气氧化形成腔面缺陷,在腔面形成的缺陷严重影响了器件的寿命.用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,研究了不同的光学薄膜对GaAs表面特性的影响.研究结果表明暴露在大气中的GaAs表面会形成Ga2O3、As2O3和As2O5缺陷.在表面镀含氧光学膜的GaAs表面上会形成少量Ga2O3缺陷,不形成As2O3和As2O5缺陷,在表面镀ZnSe光学薄膜的GaAs表面没有形成Ga2O3缺陷,也没有形成As2O3和As2O5缺陷.在GaAs表面上蒸镀ZnSe光学薄膜能有效地抑制GaAs表面缺陷的形成,提高半导体激光器的寿命.     

电化学方法制备氧化铜晶须

用电化学方法制备了氧化铜晶须。金属铜在含乙醇-水及毒化剂的混合碱性溶液中进行阳极氧化,煅烧后所得样品的成分和形貌用XRD和SEM方法表征。结果表明,晶须的物相是CuO和Cu2O,直径60～100nm,长度0.5～1μm,长径比8～10,同时用循环伏安法探讨了该过程的电化学行为,为晶须的制备提供了一种新的方法。     

α-烯烃的生产技术与应用进展

介绍了国内外α-烯烃目前主要生产技术及应用领域情况,并结合煤制油企业的生产工艺特点,提出了国内α-烯烃生产技术的开发建议.     

200K高特征温度的1.3μm AlInGaAs应变单量子阱激光器

在20-80℃范围内连续工作条件下,非对称波导层结构的1.3μm AlInGaAs/AlInAs单量子阱激光器的特征温度为200K,这是目前国内报道的相同有源材料、相同发射波长的激光器中最高的特征温度值。因此AlInGaAs是长波长光纤激光器的理想有源区材料,研究表明非对称波导结构能降低光吸收,提高激光器的高温特性和COD阈值。     

用于先进太阳电池的InAs量子点材料制备与表征

利用MOCVD外延技术生长InAs量子点材料,通过采用Sb作为表面活性剂,调节所选择InAs量子点材料的生长参数,获得了具有不同尺寸、高密度的InAs量子点材料。     

红壤对磷的吸附特性及其影响因素研究

以红壤为吸附剂,研究了固/液吸附体系中红壤对磷的吸附特性,探讨了温度和pH对红壤吸附磷的影响.结果表明,红壤对磷的等温吸附数据与Langmuir和Freundlich方程的拟合优度较高,当温度为30℃时,红壤对磷的饱和吸附量高达1.61 mg/g,说明红壤是一种优良的磷素吸附材料;红壤对磷的吸附量在吸附初期随吸附时间急剧上升而后期趋于稳定,当磷的初始浓度为25～100 mg/L时,12 h时的吸附量均可达到平衡吸附量的90%以上;当磷的初始浓度<50 mg/L时,温度对红壤吸附磷基本无影响,但随着磷初始浓度的升高,温度对红壤吸附磷的影响渐趋明显;在所检测的试验体系中,pH值为4～8时对红壤吸附磷无明显影响.     

中国城市低碳建筑的内涵与碳排放量的估算模型

提出并阐述了符合中国经济社会实际的城市低碳建筑概念及其内涵,构建了建筑碳排放测算的数学模型,运用该模型分析了中国城市建筑碳排放的现状,分析表明该模型可以较好地测算建筑碳排放量,是有助于低碳建筑发展决策的一个较好的工具。