气敏元件反应温变的规律及其应用

给出了反应温变Δtrea随气体浓度C变化规律的复合次方形式：Δtrea =ACn/（1+BCm ）（ A,B,n,m>0,n>m）。给出了反应放热率Prea的公式。由此研究了闭室测试时,不同容器中容积为V的气体浓度C（ t）与测试时间的t的关系,并对有关问题进行了讨论。     

ZnO薄膜气敏元件的反应温变和表面反应速率方程

提出了一种研究气敏元件和材料反应温变的方法和实验装置;给出了反应温变Δtrea随气体浓度C变化的规律;给出了反应放热率Prea与反应温变Δtrea的关系式;得到了表面反应的速率方程一般形式,它包括了目前常用的两种经验公式:双曲线型和幂函数型.     

质量作用定律在半导体统计中的应用

本文用化学反应动力学中的质量作用定律及阿累乌尼斯（Ａｒｒｂｅｎｉｕｓ）定律，对金属氧化物半导体一些统计公式进行了研究，给出了费米（Ｆｅｒｍｉ）函数、氧空位施主浓度的公式，表面吸附氧的氧原子及氧离子浓度公式．并对有关问题进行了讨论．     

熔体的粘度，亚稳相，相变和相图——Ⅲ．合金液相相图

对Sn（x）Bi（1-x）11种组分（x=0.10％，20％…80％，90％，100％）的熔体的粘度进行了测量，给出了它们的相变点Tt，相区和相参数；根据这些参数作出了一个二元合金液相相图；为了表明相区的划分和每个相区的结构特征提出两种相图的形式；第1，温度一组分（T-X）图，第2，结构-组分（df-x）图。     

反应动力学理论和n型金属氧化物EF的变化范围

首先，提出了一种用化学反应动力学来研究半导体点缺陷浓度统计分布的理论；其次，用这个理论来研究了有2次施主能级的n型金属氧化物费米能级EF，给出EF的下限EFm为Ed2-RTln2； 第三，用泊松方程的解和电中性方程来估算费米能级，得出EF的上限EFM为Ed1-RTln2.     

粉末溅射ZnO薄膜酒敏元件

针对金属氧化物薄膜气敏元件传统制造工艺中存在的掺杂不稳问题，开发了一种实用化的ZnO薄膜气敏基材料.采用粉末溅射法研制ZnO:1%CeO2薄膜，利用衬底Al2O3与ZnO晶体均为六方结构的特点，选择适当溅射参数研制出薄膜气敏元件，同时通过悬挂芯片双点焊工艺，使元件更加小型化.长期检测结果表明，此类元件气敏特性和稳定性良好，适合进一步推广应用.     

N型金属氧化物泊松方程的解和费米能及Ef的变化范围Ⅰ泊松方程解

提出了任意形状、无量纲n晶体的Poisson方程:d2Ψdy2 η-1ydΨdy=1-Re-Ψ(η=1~3,0≤R≤1),其中通过引入耗散系数R隔断了泊松方程贺电中性方程的耦合.通过用参量展开的微扰理论,对泊松方程进行了级数求解,并对微扰论方法的优越性进行了讨论.     

熔体的粘度,亚稳相,相变和相图Ⅰ.熔体的粘度理论和亚稳相

用Einstein-Debye粘度的流团扩散理论和流团振动的量子理论给出了熔体粘度的微观公式,并用熔体的结构模型和流团的扩散模型分析了熔体粘度的微观本质是分子间相互作用.发现熔体中存在多个亚稳相相区,指出了表征熔体亚稳相特征的有宏观相参数η0,ε和微观相参数df.     

熔体的粘度,亚稳相,相变和相图Ⅱ.熔体中的不连续结构相变

实验和理论表明,粘度是一个能明确表征和反映熔体中存在的亚稳相和这些相之间转变特征的“好”物理量.表征熔体中亚稳相特征具有宏观参量(η0,ε)又有微观参量(df);是一类有别于其它有液-液相变液体的(例如4He,液晶)新的液相.熔体中亚稳相之间的转变是一类新的LLPT:第1,是可逆的一级相变:在相变点两相平衡并服从相律;第2,是不连续结构转变并有两种突变形式:热缩(吸收蒸发热),热胀(放出凝结热).对任意组分的熔体均有相似的亚稳相特征和相变特征.     

气敏薄膜电导响应的扩散反应和传感理论（Ⅱ）──实验结果与讨论

本文通过实验结果证实了扩散反应模型，证实了Ｆｉｃｋ扩散定律可推广用于有表面反应的金属氧化物多孔材料中，支持了以兰缪－享希尔伍德机理和传感理论为基础建立起来的扩散反应电导气敏响应的理论．提出了一种通过气敏电导现象的观测和分析来研究表面化学物理有关问题的方法．还就密闭测试室的过冲驰豫现象进行了分析讨论．