(Mg4-xLi2x)(Nb1.92V0.08)O9陶瓷微波介电性能

采用固相合成法制备了(Mg_(4-x)Li_(2x))(Nb_(1.92)V_(0.08))O_9系列微波介质陶瓷。通过XRD、SEM以及HP网络分析仪等测试手段对其烧结特性、晶体结构和微波介电性能进行了系统研究。结果表明:x<0.3时形成了(Mg_(4-x)Li_(2x))(Nb_(1.92)V_(0.08))O_9固溶体;x≥0.3时,除主相(Mg_(4-x)Li_(2x))(Nb_(1.92)V_(0.08))O_9外,还有少量第二相Li3Mg2NbO6生成。微波介电常数ε随x的增大持续升高,品质因数Q则先增大后减小。x=0.2,950℃,5h烧结样品的微波介电性能达到最佳:ε=12.7,Q.f=14078GHz(f0=8GHz)。     

烧结助剂对Mg4Nb2O9陶瓷性能的影响

研究了Bi2O3-V2O5、CuO-Bi2O3-V2O5、Li2CO3-V2O5掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷烧结特性和微波介电性能的影响。通过XRD分析材料物相组成,结果表明,CuO-Bi2O3-V2O5、Bi2O3-V2O5的添加能有效地将Mg4Nb2O9陶瓷烧结温度从1 350℃降至950℃,但同时陶瓷的品质因数(Q.f)有很大恶化。掺杂w(Li2CO3-V2O5)=3%,试样致密化温度降至950℃,保温5 h,其具有良好的微波介电性能:介电常数(rε)为14.0,Q.f为83 276 GHz。     

低温烧结Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷(英文)

分别研究了不同含量Li2CO3/V2O5共掺杂和部分Li取代Mg对Mg4Nb2O9基陶瓷烧结特性、显微结构和微波介电性能的影响.结果表明:Li2CO3/V2O5共掺杂或部分Li取代Mg,均能使Mg4Nb2O9基陶瓷的烧结温度从1 400℃降至950℃,但其烧结机理不同.Li2CO3/V2O5共掺杂Mg4Nb2O9(MNLV)样品中的低熔点液相,使MNLV陶瓷的致密化烧结温度降低.部分Li取代Mg显著降低了(Mg(4-x)Lix)(Nb1.92V0.08)O(9-δ)(MLNV)样品的致密化烧结温度.950℃烧结,相对于MNLV样品的品质因数(Q=13276)而言,MLNV样品的Q值(1 759)显著恶化,这是由于Li1+占据Mg2+晶格.使晶体中非谐振项损耗增加.     

低损耗( Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷的微波介电性能研究

采用标准电子陶瓷工艺制备了(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷.研究了(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷的烧结特性、相结构和微波介电性能.采用X射线衍射分析其物相组成,利用SEM观察其显微结构.XRD图谱表明烧结样品为立方尖晶石( Mg0.95Zn0.05)2(Ti...     

紫外分光光度法测定面粉中的过氧化苯甲酰

本文基于在酸性条件下,过氧化苯甲酰(BPO)能把Fe2 氧化成Fe3 ,再与邻菲罗啉发生褪色反应,建立了紫外分光光度法测定面粉中过氧化苯甲酰的方法.测定过氧化苯甲酰线性范围为1.0 ×10-7g/mL-3.2×10-6g/mL和3.2 ×10-6g/mL～2.4×10-5g/mL,检出限6.0×10～g/mL,对8.0 ×10-7g/mL过氧化苯甲酰连续11次测定的相对标准偏差RSD为4.2%,已用于面粉中过氧化苯甲酰的测定.     

水热法制备Zn_2SnO_4超细粉体

采用水热法制备Zn2SnO4纳米粉体。采用X-射线衍射和扫描电镜观察样品的相组成和微观结构。结果表明:合成条件诸如矿化剂浓度、水热合成温度和保温时间,对粉体的相组成有显著影响。Zn2SnO4纳米粉体的最佳合成条件为:NaOH=2.5 mol/L,水热合成温度230℃、保温72h。     

中温烧结0.6Mg_4Nb_2O_9-0.4SrTiO_3复相陶瓷

采用传统固态反应方法制备0.6Mg4Nb2O9-0.4SrTiO3复合陶瓷。研究LiF掺杂对其烧结特性、相结构和微观形貌的的影响。通过X射线衍射(XRD)和扫面电镜(SEM)观察样品的相组成和显微结构。实验结果表明:1.5 wt%LiF添加,可将Mg4Nb2O9/SrTiO3陶瓷的致密化烧结温度从1300℃降至1100℃;XRD表明除主相Mg4Nb2O9、SrTiO3外,还有少量新相Sr(Ti1-xNbx)O3+δ生成。