高真空扫描电镜低电压条件下花粉的显微组织研究

利用普通高真空扫描电镜,在低电压条件下对不同种类的花粉进行显微结构观察。结果表明在高真空环境下,样品未出现荷电、漂移现象,同时能得到的清晰、真实的微观形貌图,为含水材料表面分析提供一种简便、有效的方法。     

全固态电致变色智能窗的研究进展

电致变色材料被认为是最有开发前景的智能材料之一,本文结合本实验室的研究成果,简要介绍了电致变色智能窗的结构及变色原理,着重阐述了WO3电致变色材料和固态电解质的最新研究动态,展望了电致变色材料及其器件的应用前景。     

磁控溅射制备ZrN_x薄膜离子导体性能研究

采用射频反应磁控溅射工艺,以纯Zr为靶材,在WO3/ITO/Glass基片上采用不同工艺参数沉积ZrNx薄膜,用紫外-可见分光光度计、循环伏安法、X射线衍射仪、扫描电镜等研究了ZrNx薄膜的离子导电性能。研究结果表明,所制备的ZrNx薄膜为非晶态,ZrNx/WO3/ITO/Glass复合膜的光学调节范围最大达57%以上,在离子传导过程中表现出良好的离子导电性能。     

7085铝合金热压缩变形的流变应力本构方程

采用Gleebe-1500热模拟机对7085铝合金进行热压缩,研究了该合金在应变速率为1～38s-1、变形温度为260～440℃条件下的流变应力行为.结果表明,7085铝合金流变应力在变形初期随着应变的增加而增大,出现峰值后逐渐趋于平稳;峰值应力随应变速率的增加而增加,随温度的升高而降低;通过线性回归分析计算出7085材料的应变硬化指数n以及变形激活能Q,获得了7085铝合金高温条件下的流变应力本构方程.     

工艺参数对磁控溅射TaOx薄膜离子导体性能的影响

采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽为靶材,在WO3/ITO/Glass基材上制备TaOx薄膜,研究氧含量、溅射功率等制备工艺参数对TaOx薄膜性能的影响.用三位电极法和透射光谱等方法检测薄膜的离子导电性能,结果表明:所得的TaOx薄膜主要为非晶态,在一定范围内,在较低的溅射功率和较低的氧含量实验条件下制备的TaOx薄膜具有较好的离子导电性能.