水热可控合成多面体BiFeO3颗粒

以Bi(NO)3·5H2O和Fe(NO)3·9H2O为水热反应原料,选择KOH作为矿化剂合成单相BiFeO3.通过调节KOH浓度和升降温速率可控合成了规则的大尺度多面体BiFeO3颗粒.发现高碱浓度有利于合成规则多面体BiFeO3颗粒,合适的水热降温速率是影响高结晶度BiFeO3颗粒合成的重要因素之一.当KOH浓度为6和8 mol/L,降温速率为0.2℃/min时,产物为高结晶度准立方和截角立方颗粒,当降温速率调节为0.1℃/min时,产物为表面粗糙的立方八面体和截角八面体颗粒.当KOH浓度为8 mol/L,降温速率约为2℃/min时,产物为表面粗糙且有孔洞的截角立方颗粒.通过扫描电镜图片观察到其形貌演变过程并解释了大尺度多面体BiFeO3颗粒的形成机制.     

Gd掺杂BiVO4纳米粉体的制备及其光催化性能

采用水热法制备了单斜相白钨矿结构的Gd掺杂BiVO4粉体。采用X-射线粉末衍射、扫描电子显微镜和紫外一可见吸收光谱对样品进行表征。研究了不同浓度Gd掺杂BiVO4纳米粉体的晶相组成、形貌和光催化性能的影响。结果表明,Gd掺杂BiVOt粉体在可见光下的催化活性优于纯相BiVO4粉体,Gd掺杂量为2％的样品对罗丹明B催化效果最佳,在100min内对罗丹明B溶液的分解率达98％。     

水热法制备ZnO及其光致发光

以氯化锌做为原料,氢氧化钠为矿化剂,在温度180℃、反应15h的条件下,利用水热法制备ZnO粉体。通过X射线衍射、扫描电镜和光致发光谱表征其晶体结构、微观形貌和光学性能。表征结果表明,随着反应溶液pH值的增大,ZnO的微观结构逐渐由一维棒状变成三维花状。对三维花状ZnO的形成机理进行了讨论,研究了pH对ZnO粉体的光致发光的影响。     

温度对Mg4Nb2O9合成的影响

Mg4Nb2O9具有与α-Al2O3相同的刚玉型晶体结构,可望成为取代氧化铝陶瓷的新一代高Q值基板陶瓷.在900～1400℃温度范围内,合成了Mg4Nb2O9化合物,采用X射线粉末衍射法进行了相结构分析.结果表明,生成物中含有Mg4Nb2O9、Mg4Nb2O6和MgO三种物相,主晶相是Mg4Nb2O9;在900～1300℃温度范围内,随着温度的升高,MgNb2O6和MgO反应生成Mg4Nb2O9相,主晶相含量线性增加,但在1300℃以上,主晶相含量随温度的升高而减小;Mg4Nb2O9相的最佳合成温度为1300℃.这些结果对研究开发Mg4Nb2O9微波基板材料有着重要的意义.     

染料包覆胶态银纳米粒子掺杂的有机复合膜的制备与光吸收特性

为避免传统的湿化学法制备纳米掺杂复合材料中热处理给材料性能带来的负面影响,提出了一种简易可行的工艺方法:通过胶体化学法制备出稳定的胶态银纳米粒子分散系,以它为纳米粒子来源,使有机染料罗丹名6G(R6G)分子包覆到银纳米胶粒表面,将该胶体分散系均匀掺杂到明胶溶液中,制备出染料包覆胶态银纳米粒子掺杂的有机复合膜.本工作成功地制备出无机/有机活性基元掺杂的三元系复合膜,实现了染料分子对金属纳米粒子完全意义上包覆的设想和对活性基元的室温包埋工艺.电镜(TEM)观测了复合膜的显微结构,对复合膜的UV-Vis吸收光谱进行了测量.给出了一种包覆掺杂的结构模型,并用该模型成功地解释了实验结果.     

低温低碱浓度条件下水热法制备锆钛酸铅粉体

以Pb(NO3) 2、ZrOCl2·8H2O 和TiCl4作为原料,NaOH作为矿化剂,水热合成锆钛酸铅粉体.系统研究了物质的量比Pb/(Zr,Ti)、矿化剂NaOH浓度、反应温度、反应时间4个因素对PZT晶相形成和粉体形貌的影响.结果表明Pb/(Zr,Ti)在1.7～2.0,NaOH的浓度为1 mol/L、反应温度为200 ℃、时间2 h的水热条件下,可以合成结晶良好的Pb(Zr,Ti)O3粉末.     

压电压磁三明治结构小样品的磁电耦合效应

研究了PMN-PT/Terfenol-D/PMN-PT三明治结构复合材料中的磁电耦合效应.通过电诱导磁测试系统得到该3层结构的电诱导磁转化系数,在电-机械谐振频率225 kHz时为6.94×10-7 s/m,是个较大的转化系数.磁电压的相位在谐振频率附近增加了0.75π～π,且样品与磁场中的方向也对电场诱导磁输出的贡献不同.     

QCS-01变换催化剂在60万吨甲醇装置上的应用

介绍了耐硫变换催化剂QCS-01在60万吨甲醇装置变换炉的装填、硫化及应用情况,运行结果表明该催化剂性能良好,完全满足我公司甲醇生产的需要。     

铌锑酸镁陶瓷的烧结和微波介电性能

用固相反应法制备了一系列铌锑酸镁(Sb含量x≤2)陶瓷,研究了该陶瓷的烧结性能、物相结构和微波介电性能。结果表明,当x≤1.6时,铌锑酸镁形成了连续固溶体,少量Sb5+对Nb5+的取代(0.4≤x≤0.8),使得陶瓷最佳烧结温度从1400℃降到1300℃,而材料εr和Q·f值没有降低。1300℃,5h烧结的铌锑酸镁陶瓷具有优异的微波介电性能:εr为11.61,Q·f为169820GHz,τf为–54.4×10–6℃–1。     

Mg4Nb2O9的合成及其微波性能

Mg4Nb2O9具有与α-Al2O3相同的刚玉型晶体结构,可望成为取代氧化铝陶瓷的新一代高Q值基板材料.TG-DTA(热失重-差热)和X射线衍射分析表明,Mg4Nb2O9的合成温度低于900℃.在900～1400℃温度范围内,采用固相反应法合成了Mg4Nb2O9化合物.相结构检测分析表明,生成物中除了主晶相Mg4Nb2O9外,还含有MgNb2O6和MgO2种物相;Mg4Nb2O9相的最佳合成温度为1300℃.同时,对Mg4Nb2O9陶瓷的微波性能进行了测试分析,得到了ε为13.1,Q·f为136682 GHz的较好性能.