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1.
中子辐照金刚石生成卡宾碳   总被引:3,自引:3,他引:0  
金刚石在中子辐照下发生相转变,得到了线性结构的卡宾碳。所得产物为覆盖金刚石表面的黑色薄膜状物质,其拉曼光谱在2191cm-1处有强峰,归属于C≡C伸缩振动;同时,其俄歇电子谱的峰位与金刚石相比有5eV的位移,证实了卡宾碳的存在。在中子辐照条件下,金刚石向卡宾碳的转化可能是通过碳原子堆垛形式发生变化而实现的。  相似文献   
2.
高秀清 《新疆有色金属》2007,30(3):86-87,90
凝聚力,是一个国家、一个民族生存发展的重要基础,也是企业内增活力,外争市场的根本动力。企业凝聚力是指一个企业在理想、目标、利益高度一致的基础上,企业员工共同形成坚定信念的粘合力、团结一致的向心力、凝聚智慧的聚合力,是企业发展的强大推动力。可见增强企业凝聚力具有重要的现实意义。  相似文献   
3.
一、前言随着半导体工业的发展,对硅单晶的纯度要求越来越高,硅单晶中的杂质水平,一般在ppb级以下。因此,硅单晶中痕量杂质的分析,用一般的化学分析方法已不能满足要求。目前,多采用灵敏度高的中子活化分析方法。本工作采用非破坏性的中子活化分析方法,分析了不同硅材料厂提供的硅多晶和区熔硅单晶样品,给出了Cu,Na,Au,La,Ga,Sb,Cr.Sc、Fe、Ni、Zn.Ag.Cs、K.Ce等十六种杂质元素的含量或探测极限值。  相似文献   
4.
采用现场实测方法研究2306工作面的矿压显现规律,分析了综采支架支护强度及支架工作阻力分布规律,得出了综采工作面的矿压显现规律,并分析了支架的适应性,对综采工作面的高效生产有一定指导意义.  相似文献   
5.
随着科学技术的迅猛发展,世界经济一体化的进程在加快,自中国加入了WTO之后,企业跻身于国际经济的大循环之中。入世在给国内企业带来机遇的同时,也向企业提出了严峻的挑战。企业如何在激烈的国际、国内市场竞争中立于不败之地,是摆在每个企业面前的现实问题。企业竞争表现为产品的竞争,产品的竞争又表现为科技的竞争,科技的竞争最终表现人才的竞争,一个企业的最终竞争力说到底还是人力资源!  相似文献   
6.
对压敏器件用低阻NTD CZ Si(直拉硅)的深辐照工艺进行了研究,主要包括三个方面内容:(1)配合自然单晶生长工艺的改进,对CZ与FZ单晶痕量重金属杂质进行中子活化分析。(2)在同样深辐照条件下对CZ与FZ单晶的β-低本底剩余放射性进行跟踪测量,所得到的放射性强度衰减曲线表明CZ与FZ是一致的,同样可以采用NTD技术。(3)低阻CZ硅单晶中子嬗变掺杂工艺研究,根据目标电阻率,适当地选择电子移率μ_e值,通过实验与校正,得到合理的掺杂系数K值。保证掺杂精度,使晶体掺杂的命中率获得显著提高,与常规掺杂相比由原来的40%提高到90%左右。径向不均匀性Δp≤5%,径向微区不均匀性Δp_m≤3~5%。首批量低阻CZ NTD硅的研制及其压敏器件生产中的应用,获得良好的效果,压敏器件性能达到规定标准,并明显地优于普通CZ硅材料的产品,成品率和优品率由40%提高到60%。  相似文献   
7.
主要介绍探测器级特高阻区熔硅单晶的高精度微量中子嬗变掺杂技术。技术的关键在于掺杂精度的精确控制。例如从理论计算和实验结果对ρ_0值提出合理要求;辐照孔道的选择和辐照装置的改进;掺杂系数K值的调整;硅单晶样品的模拟试验;辐照时间所严格控制;辐射损伤及其消除的机理等研究工作。所研制的N型(10~100)kΩ·cm NTD FZ Si均匀性好,少子寿命高、晶体纯度高。  相似文献   
8.
对压敏器件用低阻NTD CZ Si(直拉硅)的深辐照工艺进行了研究,主要包括三个方面内容:(1)配合自然单晶生长工艺的改进,对CZ与FZ单晶痕量重金属杂质进行中子活化分析。(2)在同样深辐照条件下对CZ与FZ单晶的β-低本底剩余放射性进行跟踪测量,所得到的放射性强度衰减曲线表明CZ与FZ是一致的,同样可以采用NTD技术。(3)低阻CZ硅单晶中子嬗变掺杂工艺研究,根据目标电阻率,适当地选择电子移率μ_c值,通过实验与校正,得到合理的掺杂系数K值。保证掺杂精度,使晶体掺杂的命中率获得显著提高,与常规掺杂相比由原来的40%提高到90%左右。径向不均匀性Δρ≤5%,径向微区不均匀性Δρ≤3~5%。首批量低阻CZ NTD硅的研制及其压敏器件生产中的应用,获得良好的效果,压敏器件性能达到规定标准,并明显地优于普通CZ硅材料的产品,成品率和优品率由40%提高到60%。  相似文献   
9.
为线圈拉形机配置了液压系统,使硬绕组线圈拉形机的操作由手动改为机动。由液压传动机构将硬绕组线圈从梭形拉至成形线圈,降低了工人的劳动强度,提高了生产效率。  相似文献   
10.
以稻壳活性炭(AC)为基体,采用五乙烯六胺(PEHA)为改性剂,制备了改性AC-PEHA。研究了AC-PEHA对溶液中Cd离子的吸附动力学、等温吸附曲线、pH的影响等吸附行为,考察了不同HCl浓度对解吸率的影响,并通过SEM、FTIR、BET比表面积等手段,对AC和AC-PEHA吸附剂进行了表征。结果表明:AC-PEHA对Cd离子的吸附在反应时间为60 min处达到平衡,符合准二级吸附动力学模型。在初始Cd离子浓度为10~350 mgL-1,pH值为5.0的条件下,AC-PEHA对Cd离子的吸附量达53.58 mgg-1,显著高于AC的吸附量26.15 mgg-1。初始pH值为6~8的条件下,碱性环境更有利于AC-PEHA对Cd离子的吸附。采用30 gL-1的HCl时AC-PEHA对Cd离子的解吸率为83.8%。改性后,由于PEHA进入AC孔道,虽然使其孔容和孔径分别降低了21.6%和7.4%,但同时使AC表面负载了伯胺N—H吸附基团,提高了AC-PEHA对Cd离子的吸附能力。   相似文献   
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