树脂对碳毡硅化处理后的显微组织与性能影响

研究了树脂对碳毡经处理后的显微组织与性能影响。结果表明,未浸渍树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗细注且均匀分布在游离硅中;而浸渍树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗粒粒径及分布均不均匀。大颗粒碳化硅的出现造成了试样断裂强度的降低,ＸＲＤ结果表明Ｓｉ－ＳｉＣ复相陶瓷的主晶相为α－ＳｉＣ,β－ＳｉＣ和游离Ｓｉ,不同晶型ＳｉＣ的出现与试样烧结过程中Ｓｉ／Ｃ反应的放热     

热处理温度对反应烧结碳化硅材料组织与性能的影响

研究了真空热处理温度对反应烧结碳化硅材料显微组织和断裂强度的影响.结果表明反应烧结碳化硅中的游离硅在1600℃、1800℃真空热处理过程中已全部去除;经过1800℃真空热处理材料的强度均高于1600℃真空热处理材料的强度.在1800℃真空热处理过程中发生的碳化硅再结晶以及气孔形状的变化,是其强度较高的主要原因.     

Bi2O3对Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3低熔玻璃结构和性能的影响

采用传统的熔淬技术制得了低熔Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3玻璃,研究了玻璃结构、玻璃特征温度、线膨胀系数(αl)以及密度随Bi2O3含量的变化关系。结果表明:随着Bi2O3含量的增加,玻璃网络中[BO4]取代了部分[BO3],玻璃网络中出现Bi—O结构,玻璃中非桥氧的数量也逐渐增多;软化温度(ts)、玻璃化温度(tg)都是先上升后下降,而线膨胀系数先减小后逐渐增大,玻璃密度先是线性增加,然后增加趋势变大。     

原始粉料对Sr0.4Ba0.6Nb2O6烧结性能与显微结构的影响

对比了以单相Sr0.4Ba0.6Nb2O6为原料的常规烧结试样(SBN40)以及以SrNb2O6与BaNb2O6混合物为原料的反应烧结试样(RSBN40)的烧结性能与显微结构.结果发现,RSBN40试样的致密化速率较SBN40试样较慢,试样SBN40与RSBN40密度分别在1250与1300℃达到最大,其值分别为5.21与5.27g·cm-3.此外,当烧结温度高于1250℃时,试样SBN40比RSBN40易于出现异常晶粒长大现象.     

织构铌酸盐陶瓷的分析电子显微学研究

Strontium barium niobate(SrxBal-xNb2O6,0.25≤x≤0.75.abbreviated as SBN)has a tungsten bronze type structure,with a formula of[(A1)2(A2)4C4][(B1)2 (B2)s]O30[1].     

低电压驱动F-P腔可调谐滤波器的仿真和设计

利用COMOSL多物理场有限元软件,对无孔、圆形孔、正方形孔、菱形孔四种新型折叠梁形桥面结构Fabry-Perot(F-P)腔可调谐滤波器进行了电压-位移、应力和镜面平整度仿真,以优选最佳的桥面结构。结果显示,在相同驱动电压下,菱形孔桥面的位移最大。同时,桥面达到相同位移时,菱形孔桥面所需的驱动电压最小,并且菱形孔桥面的应力和平整度也能满足滤波器的设计要求。利用Essential Macleod软件对优选出的菱形孔桥面结构滤波器进行了滤波性能分析,结果表明,滤波器在3~5μm的光谱调谐范围内,具有良好的滤波效果,可以满足低电压驱动和宽调谐范围的要求。     

碳化硅陶瓷的熔盐腐蚀

系统总结了碳化硅陶瓷的高温熔盐腐蚀行为,包括熔盐的化学性、腐蚀动力学、材料在腐蚀过程中的性能变化,并提出了今后提高碳化硅陶瓷耐熔盐腐蚀的研究方向.     

纳米碳化硅在环氧树脂中的分散工艺研究

采用加入分散剂和超声波分散2种方法改进纳米SiC在环氧树脂中的分散,研究了分散剂种类和用量、分散方法对纳米SiC在环氧树脂中分散的影响。结果表明:分散剂DISPERBYK-2009的降粘效果最好,SiC/EP浆料的粘度下降达57.3%,浆料粘度随分散剂用量的增加呈现先降后升态势。通过添加粉体质量分数5%的分散剂DISPERBYK-2009并采用超声波分散15 min,实现了纳米SiC在环氧树脂中的均匀分散,成功制备了粒子细小、均匀分布的纳米SiC/EP复合材料。     

流延法制备短纤维增强玻璃陶瓷基复合材料

研究了短纤维增强玻璃陶瓷基复合材料制备工艺中的短纤维分散和单向纤维预浸片制备。结果表明: 在聚乙稀醇水溶液与乙二醇的混合分散介质中, 采用搅拌法可以得到短纤维的均匀分散, 分散介质的触变性对于均匀分散体系的获得与保持是十分必要的; 流延法有利于控制短纤维预浸片中纤维的取向。单向预浸片热压获得了高强韧性的复合材料试样。      

改性钙钛酸铅陶瓷的电导性能研究

当掺钙钛酸铅(PCT)用作为压电、热释电材料时,除介电性能外,电导性能也是重要的性能参数。采用传统固相法制备掺钙钛酸铅系陶瓷,研究了不同掺杂量的Sb2/3Mn1/3及烧结助剂NiO、Bi2O3对陶瓷相结构、介电损耗和电导性能的影响。结果表明,在1 180℃下烧结2h,得到纯钙钛矿结构的改性陶瓷,陶瓷介电损耗降低;Sb2/3Mn1/3掺杂量对PCT系陶瓷在20~40℃的电阻温度稳定性有明显影响,随Sb2/3Mn1/3含量增加电阻温度系数(TCR)增大;在Pb0.80Ca0.20(Sb2/3Mn1/3)0.05Ti0.95O3中加入NiO、Bi2O3后有效降低了陶瓷在20~40℃的电阻温度系数;掺杂元素种类和掺杂量对陶瓷在20~80℃的TCR值基本没有影响,TCR值约为-0.15μ℃-1。