掺碳氧化铟薄膜的铁磁性研究

采用磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺碳氧化铟(In2O3:C)薄膜,溅射过程分别在衬底温度为室温和550℃的条件下进行。通过测试所制In2O3:C薄膜的XRD谱和磁化曲线,研究了In2O3:C薄膜的结构和铁磁性能,并探讨了其铁磁性的起源。结果显示,随着含碳量的增加,In2O3:C薄膜的饱和磁化强度先增大后减小;此外,氧空位缺陷浓度高的样品其铁磁性也更强,这表明氧空位缺陷与In2O3:C薄膜的铁磁性起源有直接的关系。     

提拉法制备高透光率超亲水性TiO2薄膜及性能分析

采用溶胶-凝胶法结合提拉工艺在载玻片上制备TiO2薄膜,分别以不同温度(200℃、250℃、300℃、350℃、400℃、450℃、500℃)对薄膜进行退火处理2h.用X射线衍射及扫描电镜测试样品的微观结构和表面形貌,用紫外-可见分光光度计和接触角测量仪分别测试薄膜的透射光谱和水接触角.结果表明,所有样品均为透明薄膜,在可见光范围内平均透光率均大于70％;薄膜光学带隙随退火温度升高依次降低;水接触角随退火温度升高依次减少,当退火温度为450℃和500℃时,水接触角分别为2.5°和2°,薄膜表现为超亲水性.     

Mn4+掺杂Sr4Al14O25荧光粉的制备及其发光性能

采用传统的高温固相反应法成功制备Sr₄Al₁₄O₂₅:Mn⁴⁺红色荧光粉。应用X射线粉末 衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计等对样品形貌和结构进行表征,研究煅烧温度、 锰离子掺杂浓度对荧光粉发光性能的影响。实验结果表明,所制备的荧光粉具有从近紫外到 蓝光宽广区域的吸收谱,并能发出强烈的中心波长位于656 nm的红光,这主要是源于Mn 4+离 子的自旋禁止的²E_g→⁴A₂跃迁。在Sr₄Al₁₄O 25:Mn⁴⁺中,Mn⁴⁺离子更倾向于进入AlO₆八面体 中的替代Al³⁺离 子,当Mn⁴⁺离子的掺杂浓度为x=0.02,煅烧温度 为1200 ℃时发光效率最高, 内量子效率达到46.85%。所制荧光粉的色坐标为(0.716,0.284),且发射谱与叶绿素在红 光区的吸收峰十分吻合,因而Sr₄Al₁₄O₂₅:Mn⁴⁺可用作白光LEDs和植 物成长的LEDs红粉。     

半导体气敏元件

首先介绍半导体气敏元件的工作原理,然后从制备工艺、基材现状、测量方法三方面进行了综述。     

溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜及其结构与光学性能分析

以Zn（CH3COO）2·2H2O和Al（NO3）3·9H2O为主要原料，采用溶胶一凝胶法结合旋涂工艺以ITO玻璃为衬底制备获得掺Al型氧化锌透明导电薄膜（Zn2Al0.6O）。分别采用XRD和分光光度计测试分析了所制各薄膜的结构和透射光谱，并计算了薄膜的平均晶粒尺寸和光学带隙。结果表明，所制备薄膜为ZAO薄膜：薄膜平...     

蓄电池自适应充电装置的设计

介绍采用PLC实现蓄电池自适应充电的方法,采用这种方法能对不同电压的蓄电池自动识别、自动充电。整个装置线路简单、元器件较少、系统可靠性高,有一定市场前景。     

Bi3.45Eu0.55Ti3O12铁电薄膜的光学性能

采用化学溶液沉积法在石英衬底上制备了Bi3.45Eu0.55Ti3O12(BEuT)铁电薄膜,研究了BEuT薄膜的结构和光学性能。XRD测试结果表明,BEuT薄膜皆形成铋层状钙钛矿型结构,其晶粒尺寸随着退火温度的提高而增加。薄膜的光学透过率曲线显示,在大于500nm的波段BEuT的透过率比较高,而其禁带宽度大约为3.61eV。BEuT薄膜的发光强度随着退火温度的提高,先是增强后减弱,在700℃时达到最大。这与薄膜的结晶状况有关。