首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   19篇
  免费   2篇
  国内免费   1篇
综合类   1篇
化学工业   4篇
金属工艺   3篇
机械仪表   1篇
轻工业   1篇
水利工程   1篇
无线电   4篇
一般工业技术   6篇
冶金工业   1篇
  2022年   3篇
  2017年   1篇
  2010年   1篇
  2007年   2篇
  2003年   1篇
  2002年   1篇
  2001年   5篇
  2000年   2篇
  1999年   2篇
  1998年   1篇
  1988年   3篇
排序方式: 共有22条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
孙国才  陈冬  李淑领 《河北化工》2007,30(5):56-56,58
论述了应用负荷波形叠加法计算分析优化系统运行,控制供冷温度曲线变化提高单机效率,利用氨制冷系统热力性能优势,实现冷盐水系统经济运行.  相似文献   
2.
采用Biochrom30型全自动氨基酸分析仪,测定了7个单品种干红葡萄酒。结果表明,7个单品种干红葡萄酒的氨基酸组成和含量差异显著,但均以脯氨酸含量最高,部分氨基酸指标之间相关性较强。对19个氨基酸指标进行聚类分析,将7个单品种干红葡萄酒划分为5类,其中马贝克干红酒氨基酸营养价值最高。  相似文献   
3.
孙国才  张宇  陈焕德 《上海金属》2022,(2):56-60+71
采用扫描电子显微镜和拉伸试验研究了回火温度对两种磷含量弹簧钢的组织和力学性能的影响。结果表明:对于磷质量分数为0.005%的弹簧钢,最佳回火温度为420℃,其抗拉强度和断面收缩率分别为1 796 MPa和40.4%;对于磷质量分数为0.041%的弹簧钢,最佳回火温度为450℃,其抗拉强度和断面收缩率分别为1 735 MPa和36.3%。随着回火温度从450℃降至360℃,弹簧钢拉伸断裂方式从韧性断裂逐渐转变为沿晶脆性断裂。当磷质量分数从0.005%升高至0.041%时,弹簧钢发生韧-脆转变的回火温度从360℃提高到了420℃。因此,高磷弹簧钢需采用更高的回火温度以防止脆性断裂。  相似文献   
4.
微波退火非晶硅薄膜低温晶化研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
多晶硅薄膜晶体管以及其独特的优点在液晶显示领域中起着重要的作用。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温制备(<600℃高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺;微波退火非晶硅薄膜固相晶化法,利用X射线衍射、拉曼光谱和扫描电镜分析了微波退火工艺对非晶硅薄膜固相晶化的影响,成功实现了低温制备多晶硅薄膜。  相似文献   
5.
螺旋结构手性材料的结构参数过旋波性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
手性材料具有旋波性。本工作首次研究了螺旋结构手性掺杂体的几何结构参数对旋波性的影响。螺旋结构手性体的结构参数由螺旋体的螺径、线径和环数来表示。利用普通的微波圆波导测量系统,在8.5 ̄11.5GHZ频段内测量了电磁波通过不同螺肇结构手性材料后的偏转角。结果表明:螺旋体的几何结构参数对偏转角有较大影响,随着螺肇体结构参数的变化,有Cotton效应出现。这些实验结果为手性材料的设计提供了实验依据。  相似文献   
6.
作者前期研究工作表明,国内导爆管属不完全传爆反应,这与发明人瑞典P·A·Perssen教授和国内外普遍看法相异。为查明国外导爆管传爆反应的完全性与特点,我们继续使用电镜和电子探针对瑞典诺贝尔公司激爆前后的导爆管进行详细观察与分析,并结合国内导爆管研究进行探讨;结果表明:沿导爆管轴线各切点都存在相当数量的铝粉包围奥克托金颗粒的包裹体结构,这是国内外首次发现;瑞典导爆管与国内导爆管传爆反应后残药成分与结构基本相同,无明显特异性;瑞典导爆管属不完全反应的稳定爆轰。  相似文献   
7.
引入群钻的圆弧刃,建立圆弧刃枪钻的几何数学模型和刃磨数学模型,研制了三支不同圆弧刃位置的枪钻。通过钻削45钢进行新型枪钻钻削试验,对加工孔表面质量进行对比分析可知,双圆弧刃枪钻加工表面质量较好。  相似文献   
8.
孙国才  王建立  张民  陈东  彭红 《河北化工》2007,30(3):41-41,43
低温冰蓄冷系统就是利用制冷机组在夜间电力低谷时段储存冷量,白天电力高峰时段释放冷量来供能,以达到均衡电力负荷,"移峰填谷"的目的.  相似文献   
9.
铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜   总被引:8,自引:0,他引:8  
为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温(<600℃)制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点.本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺:金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法.在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜,并光刻形成铝膜图形,而后于氮气保护中退火.利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法,研究了Al诱导下非晶硅薄膜的晶化过程,结果表明;在560℃退火6h后;铝膜下的非晶硅已完全晶化,确定了所制备的是多晶硅薄膜.初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理.  相似文献   
10.
在普通玻璃衬底上低温(600度以下)制备poly-Si TFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点,采用金属诱导横向晶化法低温研制了poly-Si TFT。分析了晶化前后有源层的刻蚀有poly-Si TFT性能的影响。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号