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1.
Er离子注入Si和SiO2/Si溅射和外扩散对浓度分布的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源引出的Er离子对单晶硅和单晶硅衬底上的SiO2膜进行了离子注入,用背散射方法分析了不同注入条件下Er原子浓度分布.实验结果表明,离子注入突破了平衡生长方法掺Er硅溶解度的限制,实现了离子的高浓度掺杂.在硅和氧化硅中,最大Er体浓度分别达到4.71×1021 cm-3和7.67×102 cm-3,远超过了常规方法所能得到的Er掺杂浓度.但是由于Er离子重,射程短而溅射效应强,因此限制了Er原子浓度的进一步提高.在注量相同时,随束流密度的增加,Er外扩散效应增加.用快速退火热处理可消除部分辐射损伤,但是退火也引起了Er原子的外扩散.本文中给出了溅射和外扩散引起的Er原子丢失量与注入条件和退火条件的关系,给出了获得高浓度Er的途径.Er注入单晶硅和热氧化硅,随注量的增加Er保留量逐渐达到饱和,饱和量接近2×1017cm-2,而丢失量增加. 相似文献
2.
首次研究了钨和碳双注入对抗磨损和抗腐蚀特性的影响,研究了抗磨损和抗腐蚀相生成的条件,以及这些相对抗磨损和抗腐蚀特性的作用,并对其改进机理进行了讨论。实验结果表明,钨和碳双注入H13钢可注入层中形成超饱和的钨和碳原子浓度。因此在注入层中形成钨的碳化物WC和W2C相,合金相Fe2W和Fe2W6C等,这些弥散相不但可以使注入具有钨和碳单注入的特性,所以能进一步地提高H13钢的抗腐蚀性,随着W和C注入剂量的增加,抗磨损和抗腐蚀特性进一步提高,抗磨损特性可改善2倍,双注入样品抗腐蚀特性也有明显也提高,如样品W5C8的腐蚀电流峰值密度Jp经55个周期腐蚀后,其值是H13钢Jp的1/26.7-1/33.3,而钨样品C5W5经过88个周期腐蚀后,其值是H13钢的1/16-1/20。 相似文献
3.
4.
5.
N 和 Ti 注入 TiN 的射程和损伤已在本文中给出。N 和 Ti 注入 TiN 使其颜色发生了变化。试验结果表明,N 和 Ti 注入 TiN 均能使 TiN 的硬度增加.特别是 N 注入使注入层硬度提高更为显著.如5×10~(17)cm~(-2)的 N 注入 TiN,可使 TiN(此时 Ti/N 原子不再是1)的维氏硬度从2600提高到6000.为了分析 N 和 Ti 注入引起 TiN 硬度增加的原因,用 XPS 测量了 N 和 Ti 注入 TiN 所引起化学结构的变化。试验中观察到间隙 N 和 Ti2N 峰的出现.用扫描电镜观察了注入样品磨损后的形貌。据此讨论了 Ti 和 N 注入而引起 TiN 特性变化的机理。 相似文献
6.
本文给出了用背散射和沟道技术所分析的N~+和Bi~+注入InP中In和P原子位移的面密度分布。发现移位原子In和P面密度分布峰的深度随注入剂量的增大而加深。在相同的剂量下磷原子分布峰与表面的距离比In原子峰的大。从移位原子面密度分布峰的移动和分布的展宽与注入剂量的关系出发,研究了离子注入过程中所存在的反冲效应。并讨论了移位原子的反冲机理。 相似文献
7.
8.
离子束技术在工业中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
离子束技术是不断发展和完善的新型技术,它的应用范围非常广泛,加工的对象种类繁多又千变万化,几乎包括整个材料科学的研究对象。这项技术的不断发展和完善,推动了材料科学本身的发展,在基础学科的研究上取得了许多新成果,在国民经济和国防上具有巨大的经济效益。所有这些都说明了离子束加工技术是独具特色的高新技术。 相似文献
9.
评述了离子束技术的发展和应用,特别针对离子束多功能综合加工技术的发展进行了评论.这种技术已经成为独具特色的热处理技术.该技术属于低消耗、高产出、高效率和无污染的绿色加工技术.评述了这一技术的未来发展方向. 相似文献
10.
4.多层DLC膜沉积特性 由于类金刚石膜具有很高的硬度、化学惰性,特别高的热导率和电阻率,因此这种膜在工业上已经有着许多的应用,比如机械工业抗磨损,电子工业中的组装、钝化和散热等。这种膜属于脆性膜,具有很高的压缩应力,高应力膜在使用中往往引起薄膜弯曲,产生应变,薄膜与基体粘合力降低,从而导致薄膜失效。为了增加薄膜与基体的粘合力, 相似文献