Ti掺杂MoS2薄膜的抗氧化性和电学性能

用磁控溅射在硅片上制备MoS₂和Ti-MoS₂薄膜,并将其在恒温恒湿箱中在AT 30℃、RH 70%条件下存储360 h。使用XRD谱、XPS谱和紫外-可见分光光度计、四探针测试仪表征分析薄膜的结构、在恒温恒湿条件下存储前后的表面化学状态和电学性能,研究了Ti掺杂对薄膜抗氧化性和电学性能的影响。结果表明：Ti掺杂影响MoS₂薄膜的晶体取向。随着Ti靶电流的增大薄膜的结晶性变差,Ti靶电流为0.6A时薄膜呈无定型结构且禁带宽度减小、电导率提高;在恒温恒湿条件下存储后薄膜的部分氧化而呈MoS₂与MoO₃的复合状态,随着Ti靶电流的增大I_Mo-O/I_Mo-S比提高、禁带宽度略有增大,Ti靶电流为0.4A的Ti-MoS₂薄膜其化学稳定性较高。     

关于塑封VDMOS器件热点的研究

功率VDMOS器件作为新一代高压大电流功率器件兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,广泛应用于各个领域。由于功率VDMOS的工作条件恶劣,在高温大电压的应用环境下失效概率较大。在所有的失效机制中,很大一部分是由于器件无法承受瞬间高压脉冲,致使器件芯片烧坏失效。表现出的是在芯片某处产生一明显的烧穿点即所谓的"热点"。这里主要介绍了塑封VDMOS器件进行单雪崩能量测试过程和实际应用中不良品产生热点的原因,从二次击穿的角度对其进行理论解释并提出一些改进措施。     

功率VDMOS器件漏电流、热阻与软焊料空洞率的关系

现在被广泛应用的VDMOS器件存在诸多失效模式,主要表现为直流参数大漏电和热阻过高问题,限制了器件应用。通过对其失效器件进行X-RAY、SEM、EDS分析表征得到相关规律。研究结果表明空洞率相对较小时,漏电流大小、热阻值高低均与空洞率成正相关关系,只是随空洞率增长的趋势有所变化。构成器件的不同材料膨胀系数与导热率不同以及空气导热率较低是空洞率引起热阻值改变的主要原因;高热阻加速了Al的电迁移和可动污染离子移动,最终导致器件漏电流增大。     

自旋阀多层膜磁化翻转场的调控和磁电阻特性

用磁控溅射方法制备Ta/CoFe/Fe/Au/Fe/IrMn/Ta和Ta/CoFe¹/Au/CoFe²/IrMn/Ta两种多层膜结构的自旋阀,并优化各功能层的溅射参数有效调控了磁化翻转场和磁电阻特性。根据TEM确定了样品多层膜的微观结构和膜厚,使用VSM和加磁场四探针法分别测量了样品的磁滞回线和磁电阻(MR)特性曲线。结果表明,样品中隔离层Au的厚度与MR值之间存在振荡衰减的关系;而钉扎层、自由层和被钉扎层的厚度直接影响各膜层的矫顽力和饱和磁化强度等磁学性能,进而改变MR值。各层厚度为6/6/3.8/6/9/6 nm的Ta/CoFe¹/Au/CoFe²/IrMn/Ta结构自旋阀,具有最佳的MR值。