用RHEED方法实时观测GaSb晶体表面的溶化

晶体不存在过热溶化。人们普遍认为，这是因为在熔点之下晶体的某些表面已发生表面熔化。熔化层的厚度随温度升高而增加，从几个原子层到百个原子层，达到熔点时晶体则完全熔化。已观察到Pb、Au、Cu、Ag及H2O等晶体一些晶面的表面熔化现象。表面熔化已成为人们关注的一个重要     

EXAFS STUDY OF THE LOCAL STRUCTURE OF Ga IN Ga_2O_3-P_2O_5 GLASSES

Room temperature EXAFS spectra of a series ofgallium phosphate glasses have been obtained in alaboratory EXAFS facility.Fourier transform isemployed for EXAFS data analysis.Low-cristobalitetype GaPO_4 crystal is used as a standard specimento extract the local structure parameters of Gaatoms in Ga_2O3-P_2O_5 glasses.The Ga-O average bondlength is 1.75-1.86 and Ga atoms can form both[GaO_4] tetrahedra and [GaO_6] octahedra in some ofthese glasses.The coordination number of Ga atomschanges from six to four with the increase of Ga_2O_3content,and this change becomes more significantwhen the Ga_2O_3 content exceeds 30mol%.The anomalouschange of the refractive index at 30mol% Ga_2O_3 iscaused by the change of the local structure of Gafrom [GaO_6] octahedra to [GaO_4] tetrahedra.A simpleformula to estimate the concentration of six foldcoordinated Ga atoms in glasses is derived based onaverage bond length measured from the EXAFS.     

蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究

利用XSAFS（X－射线吸收精细结构）方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构,对于第一近邻Ga－N配位,纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近,分别为0．194nm、4．0、0．0052nm、0．0007nm;当温度从78K增加到300K,GaN样品中Ga－N配位的σT增加不多,小于0．0005nm,表明第一近邻Ga－N配位的共价键作用力较强,几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位,R为0．318nm,纳米晶GaN的σs（0．0057NM）比晶体GaN的（0．001nm )大0．0047nm;在78K和300K时,纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0．0053nm和0.0085nm,这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响,纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大,可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。     

高温原位XAFS研究熔态Sb的局域结构

利用高温原位XAFS技术研究了半金属Sb在固态和熔态时的局域结构特点。结果表明在893K高温时固态Sb的局域结构与常温(298K)时晶态Sb的相似,但其热无序度较大。随着温度再升高20K到熔化后的913K时,熔态Sb的主配位峰形状有较大变化,其强度仅为熔化前的70％左右。这一结果表明熔化导致Sb的结构无序显著增加,我们认为这是熔态Sb中Sb原子的第一近邻配位的大部分共价键断裂造成的。模型无关的Reverse Monte Carlo方法拟合计算结果也表明熔化引起Sb样品的第一近邻配位数由固态的6增加到熔态的9。当温度升高至1058K时,Sb样品的Sb原子的径向结构函数曲线的形状与913K的Sb样品的相似,说明在熔化后的100至200K的温度范围,熔态Sb中Sb原子的局域结构差别不大。     

Y_2O_3稳定ZrO_2结构的EXAFS研究

采用EXAFS分析方法研究了较大组成范围内Y_2O_3稳定ZrO_2多晶粉末中Zr~(4+)、Y~(3+)两种离子的近邻结构,得到了Zr-O、Y-O平均间距。进一步确证,Y_2O_3-ZrO_2体系完全稳定的立方相中,Y~(3+)置换了Zr~(4+)并伴随氧空位的产生。发现亚稳定的四方相中,Zr~(4+)、Y~(3+)两种离子的近邻结构与其在单斜相及立方相中有很大差别。     

用EXAFS研究Li_2O-ZnO-GeO_2系统玻璃中Zn的近邻结构

ZnO作为网络修饰体在玻璃中应用很广。Hurt和Phillips研究了Na_2O-ZnO-SiO系统的红外光谱,指出在该系统内有[ZnO_4]、[ZnO_6]两种基团存在。另外一些学者对玻璃热膨胀系数、粘度等物理性质的研究也表明在硅酸盐、硼硅酸盐系统玻璃中Zn~(2+)处于[ZnO_6]或[ZnO_4]配位状态。但最近一些学者通过对ZnK边的EXAFS研究表明,在     

Ga_2O_3-P_2O_5二元系统玻璃中镓近邻结构的EXAFS研究

在室温下,在实验室EXAFS谱仪上,测定了一系列镓磷酸盐玻璃的EXAFS谱。采用博里叶交换对EXAFS数据进行处理,用低温方石英型GaPO_4晶体作标样,得出Ga_2O_3-P_2O_5二元系统玻璃中Ga原子的近邻结构参数。Ga-O平均键长为1.75～1.86A,Ga能形成[CaO_4]四面体和[GaO_6]八面体。随着Ga_2O_3含量增加,Ca的配位发生从[GaO_6]—→[GaO_4]的变化,在Ga_2O_3含量小于30mol％时,这一变化较慢,而在Ga_2O_3含量大于30mol％以后,则变化迅速加快。Ga_2O_3-P_2O_5二元系统玻璃的折射率,在含30mol％Ga_2O_3处的反常变化是由于Ga的配住状态由[GaO_6]八面体转变成[GaO_4]四面体所引起的。本文导出了从EXAFS测得的平均键长计算玻璃中[GaO_6]八面体含量N_6的简易公式。     

含ZnO硼酸盐玻璃的EXAFS研究

作者采用实验室设备,在室温下测得了一组Na_2O-ZnO-B_2O_3玻璃Zn K吸收过高能侧的EXAFS谱。经快速付里叶变换和付里叶滤波分析EXAFS谱线。以ZnO晶体作标样,得到玻璃中Zn近邻配位层的有关结构参数如Zn—O键长等。初步确定Zn~(2+)在这些玻璃中主要以[ZnO_4]四面体形式存在。     

Li_2O-ZnC-GeO_2系统玻璃中Ge的混合配位态研究

本文用最近研究的混合配位态EXAFS分析方法结合红外光谱研究了一种新的非晶态快离子导体——Li_2O-ZnO-GeO_2系统玻璃中Ge的混合配位态。研究结果表明,当ZnO含量不变时,随着Li_2O含量的增加玻璃中[GeO_6]的比例增加,在Li_2O含量为15％左右时,[GcO_6]的比例达到最大值,然后随Li_2O含量的继续增加而下降。[GeO_6]的比例与Li_2O含量的关系和玻璃的密度、折射率的变化规律一致,可用配位数的变化解释“锗反常”现象。     

钛酸钙体系电流变液的研究

采用草酸共沉淀的方法合成钛酸钙(CTO)体系的纳米颗粒,将颗粒与硅油均匀混合成的电流变液表现出了卓越的性能:屈服强度可达100kPa以上;电流密度小,不超过10μA/cm2;同时具有抗沉降性好,制备工艺简单,周期短等优点.研究了体积浓度、硅油粘度等对钛酸钙体系电流变性能的影响.不同温度处理过的CTO粉末所配制的电流变液的流变性能结果和FT-IR结果表明,羰基、羟基等极性基团是引发该体系巨电流变效应的原因.