多晶硅还原炉接地故障预防措施

高纯三氯氢硅与氢气在还原炉内反应生成硅为改良西门子法生产多晶硅的关键步骤,还原炉运行情况对多晶硅的质量、产量及设备本体有极大的影响。接地故障是还原炉非正常停炉的常见原因。文章分析、总结接地故障发生的原因并提出相应预防措施。     

12对棒多晶硅还原炉传热的数值模拟研究

对添加内衬的新型多晶硅还原炉内的传热过程进行数值模拟,分析了12对棒还原炉中内衬热导率、辐射率对多晶硅还原炉能耗及内衬表面温度的影响。结果表明:西门子还原炉的能耗随着内衬热导率、内衬发射率的增大而增大;内衬热导率的增加可降低内衬表面温度,而内衬辐射率的增大会导致内衬表面温度的增大;随着硅棒半径增大,外环硅棒的能量耗散量一直升高,内环硅棒的能量耗散量先升高后降低,西门子还原炉的总能耗先增大后减小;并且外环硅棒的能量耗散量比内环上的硅棒能量耗散量大。     

提高氢化炉进料温度的措施

四氯化硅热氢化是改良西门子法生产多晶硅的关键环节,氢化炉的稳定运行是维持系统物料平衡的决定因素。分析了四氯化硅、氢气的进料状况对氢化炉运行的影响,并提出了既提高进料的温度,又节能降耗的措施。     

单体合成中影响甲基氯硅烷产品质量的因素分析

分析了甲基氯硅烷合成反应中硅粉、氯甲烷、催化剂及助剂、温度、压力等因素对二甲基二氯硅烷质量的影响,给出了提高二甲基二氯硅烷产品质量一些建议。     

多晶硅生产中硅芯氧化问题探究

改良西门子法生产多晶硅中硅芯是多晶硅生长的载体,硅芯氧化会降低多晶硅产品品质,硅芯氧化的产品对下游铸锭、直拉均有不同程度的影响。目前硅芯氧化是影响多晶硅产品质量的一大问题。分析了硅芯氧化机理,针对相关因素开展了试验,提出了降低硅芯氧化率的措施。