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利用俄歇电子能谱研究了Cr/SiO2薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反应产物。研究结果表明,Cr/SiO2体系的界面还原反应主要是Cr与SiO2的反应,其还原反应产物是CrSix和Cr2O3物种。界面还原反应的速度与反应时间的平方根成正比,其界面还原反应过程受Cr向SiO2层的扩散过程所控制,界面还原反应的表观活化能为72.5kJ/mol(约0.75eV)。 相似文献
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研究了三种方法制备的氮化硅薄膜的组成、表面结构、热氧化稳定性以及抗离子束损伤等性能。研究发现APCVD法制备氮化硅薄膜的Si3N4含量最高,PRSD法制备的薄膜次之,而PECVD法制备的薄膜Si3N4含量最低。在PRSD薄膜中没有N-H键存在,仅有少量的Si-H键存在,薄膜的热氧化稳定性和抗离子束损伤性能最好。APCVD薄膜中含有少量的N-H和Si-H键,虽然膜层的热稳定性很好,但由于膜层具有较多的缺陷,因此其抗氧化性较差,抗离子束损伤性能也不好。对于PECVD薄膜,由于其形成温度较低,膜层中含有大量的N-H和Si-H键,因此膜层的热稳定性和抗离子束损伤性能最差。此外,还发现XPS获得的N/Si原子比和膜层的真实成分校一致,而RBS和AES由于离子束损伤效应,其结果偏低。氮化硅薄膜热稳定性差和离子束损伤的本质均因氯化硅的脱氮分解。热氧化的本质是膜层中自由硅和气氛中残余氧的氧化反应。 相似文献
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俄歇化学位移影响因素分析 总被引:1,自引:0,他引:1
对几种硅化物及金属氧化物的俄歇化学位移作了实验研究。基于现有的化学位移的两个理论模型(电荷势模型和弛豫能模型),提出了俄歇化学位移的半经验计算关系式。概括了俄歇化学位移与元素的化合价、相邻原子的电负性差以及极化能(离子有效半径)之间的关系,实验结果与理论计算相一致。 相似文献
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层状结构碳材料与Ar离子束的相互作用 总被引:1,自引:0,他引:1
利用XPS分析技术原位研究了层状结构的石墨碳及碳纳米管材料与Ar离子束的相互作用机理,以及对层状碳材料电子结构的影响。研究结果表明,Ar离子束与层状碳材料作用后,构成层状结构的以sp2杂化为基础的C-C共轭π键被Ar离子束打断,形成了新的C-C键。原有的层状结构也被破坏,形成了无定形结构。Ar离子束的作用是通过与C-C共轭π键作用,促进C-C共轭π键的断裂,而不仅仅是单纯的剥离作用。 相似文献
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镍—磷非晶镀层的表面研究 总被引:1,自引:0,他引:1
应用XRD、AES和XPS研究了晶态和非晶态Ni-P镀层的表面结构和体相结构。结果表明:Ni-P非晶态镀层的形成与电镀工艺条件有关,碱式碳酸镍的使用对非晶态的形成和镀层耐蚀的提高起着重要作用。样品表面的磷以两经学态,分别为Ni-P合磷和磷酸根的磷,为了形成蜚 晶态镀层,Ni-P原子比应控制在3.36以上,此外,Ni-P非晶态合金镀层的腐蚀实验还表明,非晶态合金镀层的耐蚀性能要比晶态镀层高得多。 相似文献
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用变角X-射线光电子谱(VAXPS)分析了模型催化剂Rh/TiO_2体系在还原气氛下的特点。观测到几何效应无论是其强度还是相互作用的范围,都在很大程度上依赖于TiO_2基底的表面结构。在XPS谱上,于34.52eV处发现一个新的特征峰,这很可能是Rh与被部分还原的TiO_2之间的键合所致,这处峰可以认为是Rh/TiO_2体系中电子相互作用的重要特征之一。 相似文献
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本文用程序升温脱附方式对自制GR-50扩4工业銀催化剂表面上氧吸附、脱附特性作了实验考察。在20—330℃温度范围內,取得了其特征峰峰顶温度分別为120℃(Ⅰ)、230℃(Ⅱ)和300℃的TPD图谱。这三个特征峰各自对应氧分子的弱化学吸附(O_2)、活化的非解离吸附(O_2~-)及非活化的解离吸附(O~-)。同时,作了平行的反应动力学实验。通过研究二氯乙烷和助剂铯对TPD图谱中I、Ⅱ两个特征峰的影响以及对乙烯氧化性能的影响,确认TPD图谱上I、Ⅱ两个特征峰大小的变化和(O~-2/O~)之比以及催化反应选择性这三者之间的平行关系。 相似文献
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利用X射线光电子谱(XPS)、扫描俄歇微探针(SAM)、X射线衍射(XRD)和差热-热重(DTA-TG)等多种分析技术,对由溶胶凝胶(Sol-Gel)法制备的Pd-SnO2薄膜试样的结构作了综合表征,系统地研究了热处理过程中试样结构及试样中Pd和Sn元素化学状态的变化规律。 相似文献