基于IPv6的校园网用户管理系统设计

在校园网用户基本实现IPv6接入和主要应用系统完成IPv6升级的情况下,本文提出了基于IPv6和J2EE技术框架的校园网用户管理系统设计方案,对与IPv6相关的开发技术如地址识别、地址访问控制和Socket编程等进行了重点研究,实现了校园网用户和业务的有效管理,并通过基于IPv6协议的Socket、HTTP和Telnet方式与其他应用系统进行对接.     

含硼铁精矿粉/环氧树脂复合材料射线屏蔽性能研究

以我国特有的含硼矿物经选矿后得到的含硼铁精矿粉作为中子吸收体与低粘度环氧树脂E51相复合,制备了一种低成本含硼铁精矿粉/环氧树脂复合屏蔽材料。测试了这种复合材料对慢中子和60Coγ射线的屏蔽性能,确定了满足射线屏蔽性能的含硼铁精矿粉与树脂的最佳配比范围。证明了以含硼铁精矿粉作为原料制备复合射线屏蔽材料是可行的。结果表明,3种配比的复合屏蔽材料其慢中子宏观截面均超过了宏观截面为Σ=0.158cm-1,以B4C为中子吸收体的铅硼聚乙烯屏蔽材料B201。此复合屏蔽材料的宏观截面最大值为Σ=0.1882cm-1,具备较好的慢中子屏蔽能力;对60Coγ射线的线性减弱系数最大值为μ=0.0772cm-1,屏蔽性能介于水和混凝土之间。     

含硼矿物及环氧树脂的光子质量衰减系数

以我国辽宁东部地区特有的含硼矿物、含硼废弃物和环氧树脂为对象,理论计算了原矿、含硼铁精矿粉、富硼渣、普通硼泥和环氧树脂等5种材料对1keV～100GeV能量范围的光子质量衰减系数,为放射性同位素源、反应堆和粒子加速器外围建筑材料的屏蔽设计提供依据。结果表明：含硼矿物的添加显著改变了基体环氧树脂对光子的质量衰减系数,矿物在1keV～0.1MeV以光电效应为主的能量范围内对光子的质量衰减系数变化较大,所含元素的K层特征吸收限使得矿物对光子的质量衰减系数突变增加;在0.1～10MeV以康普顿效应为主的能量范围内矿物对光子的质量衰减系数缓慢变化,其中环氧树脂的质量衰减系数较矿物的稍高;在以共轭电子对效应为主的10MeV～100GeV光子能量范围内矿物对光子的质量衰减系数先减少后增加,含硼铁精矿粉是该能量范围内最佳的光子吸收体。     

含硼高硅铁水脱硅时硼的氧化

 提出以我国辽东地区硼铁矿经高炉分离后的含硼生铁为原料直接冶炼硼钢。针对含硼铁水中硅、硫含量较高的特点，以及有价元素硼的进一步提取利用，首先研究了铁水中主要元素硼的氧化行为。再利用中频感应炉、石墨坩埚或刚玉坩埚，以Fe2O3为氧化剂，研究了温度、Fe2O3与CaO添加量、熔体成分等因素对Si、B氧化的影响。结果表明，Si、B氧化几乎是同步的，在1 400 ℃下氧化率均可达到90%；实验结果和有关热力学计算表明，适宜的脱硅温度应在1 400 ℃以下；增加氧化剂Fe2O3有利于脱硅和硼的氧化，本实验条件下CaO添加量对脱硅和硼氧化影响不大。     

含硼矿物及环氧树脂复合材料的中子屏蔽性能

以我国特有的含硼原矿经选矿和高炉分离后分别得到的含硼铁精矿粉和富硼渣为研究对象,用蒙特卡罗方法研究了二者及其环氧树脂复合材料的中子屏蔽性能,讨论了影响材料屏蔽性能的因素,确定了含硼矿物/环氧树脂复合材料合适的配比范围;得到了材料的快中子分出截面和热中子衰减系数,并与常用的混凝土屏蔽材料进行对比。结果表明：复合材料对14.1MeV快中子的屏蔽性能主要与屏蔽材料中低原子序数元素的含量有关,含硼矿物复合材料对热中子的屏蔽性能与硼元素的浓度有关,伴生γ射线光子的衰减主要与矿物材料中高原子序数元素的含量和材料的密度有关。含硼矿物复合材料中含硼矿物的最优体积比为0.4~0.6;最佳配比对14.1MeV快中子的屏蔽性能与混凝土的接近,对热中子的屏蔽性能强于混凝土的,有望作为辐射场周围混凝土屏蔽层的裂缝灌注及不规则孔洞的填补或直接制备复合屏蔽材料。     

Te诱导纯Ni脆化的时效研究

熔盐实验堆中的裂变产物碲(Te)会导致堆内镍基合金结构材料晶间开裂,引起合金部件的失效,危害熔盐堆的安全运行。简化研究体系,在Ni基体上电镀Te薄膜,然后在700℃下对样品进行不同时间的真空热扩散,分析扩散后界面反应产物、合金微观结构、拉伸性能及断口形貌等变化。结果表明,界面反应产物Ni_3Te_2在700℃下具有很好的热稳定性;有Te扩散的纯镍样品拉伸性能下降更明显,拉伸断口为混合型断口;随着扩散时间的延长,Te在纯镍中的扩散深度逐渐加深。     

微束分析仪器在金属材料研究中的应用

简述了微束分析仪器电子探针(EPMA)和扫描电镜(SEM)的原理和功能,对比了波谱仪(WDS)和能谱仪(EDS)的差异.使用这两类仪器对稀土镁合金、铝合金焊接区域及镍合金渗碲实验样品进行了测试和分析.结果表明镁合金中稀土的分布主要富集于晶界但不连续;铝合金焊接区域的元素存在局部偏聚现象;碲在镍基合金晶界富集,并沿着晶界向基体扩散.这些不同类金属的元素分布特征都可以在EPMA的面分析结果上直观体现出来.同时对比了EDS和WDS的性能,在微区分析中WDS的分辨率和灵敏度均较EDS更有优势.     

上海硬X射线自由电子激光装置调试用束流收集桶的设计

在建上海硬X射线自由电子激光装置(Shanghai high repetition rate XFEL and extreme light facility,SHINE)包含一台8 GeV的超导直线加速器,100 PW的激光系统,三条波荡线和10条实验线站。主加速器的第三磁压缩段(BC3段)有一调试用的束流收集桶,BC3段的调试电子流强为0.3 μA、能量为7.7 GeV,束流功率为2.31 kW。本文从材料对7.7 GeV电子的能量吸收方面考虑,对束流收集桶的结构进行了确定。用ANSYS 17.0对束流收集桶的温度场进行了分析,结果证明在有表面空气自然对流换热的情况下,铝芯的最高温度为193.14 ℃,在束流收集桶坑道无外界换气的情况下,束流收集桶需要外围冷却水;用蒙特卡罗程序FLUKA对束流收集桶的活化进行了分析,保守假设束流收集桶连续注束2 000 h。结果证明要保证停机1 h后,束流收集桶周围30 cm处的剩余辐射剂量小于25 μSv/h,束流收集桶外围需要55～85 cm的混凝土屏蔽体;结果显示束流收集桶的剩余辐射剂量在30 min内衰减的非常快,这是由于刚停机时束流收集桶内产生的50%左右的放射性核素半衰期都小于10 min。     

高层建筑钢筋连接及安装技术分析

从机械连接、绑扎连接、焊接连接三方面对高层建筑钢筋连接技术进行了详细的分析,重点介绍了机械连接方式,并阐述了高层建筑的钢筋安装技术。通过研究高层建筑钢筋连接及安装技术,增强高层建筑施工时选择连接技术、安装技术的合理性,切实提高施工质量,解决施工安全隐患。     

TiN/O′-Sialon导电陶瓷的高温氧化行为(英文)

以高钛渣为主要原料制备的TiN/O′-Sialon导电陶瓷为研究对象,研究TiN/O′-Sialon材料在1200～1300℃下的抗空气氧化行为。采用DTA-TG法研究材料的恒温和变温氧化过程,利用X射线衍射、扫描电镜和能谱分析检测方法对氧化产物的相组成和显微结构进行表征。结果表明:TiN和O′-Sialon的氧化分别从500℃和1050℃左右开始进行。在1200～1300℃下氧化后的材料表面可形成由Fe2MgTi3O10、SiO2和TiO2组成的较致密的保护膜,其形成主要与材料中TiN含量、氧化产物中SiO2和非晶相数量以及材料显气孔率有关。材料氧化前期遵循直线规律,中后期遵循抛物线规律,其表观活化能分别为1.574×105J/mol和2.693×105J/mol。增加材料中TiN的含量从而导致材料单位面积氧化质量显著增加。