掺钠对CaS:Ce荧光体光致发光和粒子形状的影响

先前已经报导了用助熔剂硫化法制备硫化钙(CaS)荧光体的方法,原料是含有激活剂的含钙化合物,作助熔剂用的 Na_3CO_3,以及过量的硫磺混合物。CaS 还可以用助熔剂还原法制备,即在含有碳和大量助熔剂Na_2SO_4时使含有 Ce 的 CaSO_4还原,这两种方法制成的荧光体颗粒要比不用助熔剂法制备的 CaS 的颗粒大。Lehmann 指出用助熔剂法制备的 CaS:Ce 的发射峰要比不用助熔剂制备的荧光体     

SiO_2使Na_5Eu(MoO_4)_4发光增强的效应

Na_5Eu(MoO_4)_4是化学计量的基质发光材料,发光中心Eu~(3+)浓度很高,但没有明显的浓度猝灭。文献[4]指出,在Na_5Eu(WO_4)_4制备过程中加入适量的SiO_2,可增加Na_5Eu(WO_4)_4的光输出,原因可解释为SiO_2对Na_5Eu(WO_4)_4的包裹,增加了紫外线的激     

轧管过程中内鼓包缺陷的案例分析

针对此次N80 1类139.7 mm×7.72 mm规格套管在PQF连轧生产过程中出现的钢管内鼓包缺陷,利用金相和能谱分析的方法,对缺陷样品的缺陷形貌、显微组织、夹杂物形态等进行分析.结果表明此次管体内鼓包缺陷是由于管坯内部存在大量夹杂物偏聚,致使管体壁厚中间部位产生分层,导致定径过程中在管体分层部位内壁被挤起而形成凸包缺陷.     

固体表面发光分析法

固体表面发光分析法是指通过对吸附或化学结合在固体表面上的成份进行荧光或磷光探测,以确定成份的方法。该方法快速,简便,灵敏,选择性强以及价格适中,可广泛应用到有机和药物分析等许多方面。     

陶瓷绝缘体电致发光器件对比度的增强

交流薄膜电致发光器件(AC TFEL)已实现商品化,主要因为它们有长的寿命和优良的性能。这种器件需要高的驱动电压,典型值为200伏。为了降低驱动电压,已经研制出一些新的具有高介电常数的绝缘材料来代替通常使用的 Y_2O_3,Al_2O_3等。有人报导     

用金属有机气相外延法生长的GaN:Mg及其发光特性

本文第一次公布了 GaN:Mg 的金属有机气相外延生长法和它的发光性质,所用有机 Mg 气源是 Cp_2Mg 或MCp_2Mg。实验发现在 GaN 中的 Mg 浓度正比于 Mg 气源的流动速率。Mg 进入 GaN 中的掺杂效率在衬底温度处于850到1040℃之间时与此温度无关;Mg 在 GaN 中起受主作用,并形成蓝色发光中心。用制备 GaN:Mg/GaN 的办法可制成高效的近紫外光和蓝色发光二极管。     

Structure and Luminescent Enhancement Effect of Na_5Eu(MoO_4)_4 by Doping(WO_4)~(2-)

The luminescent enhancement effect of Na_5Eu(MoO_4)_4 by doping(WO_4)~(2-) has been studied.When the value x in Na_5Eu(Mo_(1-x)W_xO_4)_4 is in 0相似文献   

SiO_2:Sm玻璃掺Al后的荧光增强

掺杂 Al 的 SiO_2:Sm 荧光体用醇盐法制备,它从硅的乙醇盐和金属硝酸盐在低温下水解开始,注意尽量减少杂质的污染。Al 离子加入到 SiO_2:Sm 中使 Sm 离子的发光强度增加了不止一个量级。扩展 x 射线吸收精细结构谱(KEXAFS)研究表明,掺 Al 或不掺 Al 的荧光体在 Sm 离子周围的结构有很大不同,在 SiO_2:Sm 荧光体中,当 Sm 浓度低时,Sm原子是分散的,当 Sm 浓度高时,Sm 原子是结团的,而当 Al 共掺杂时,Sm 原子和 Al 通过 Sm-O-Al 联结在一起。实验给出了 Al 共掺杂作用的直接结构证据。     

喇曼光谱学研究固体和薄膜方面的进展

本文综述了从1987年末到1989年末两年间嗽曼光谱学在薄膜,半导体,超导体和固体方面的重要进展,这里涉及的许多材料是与固体发光研究密切相关的。一、薄膜和表面在簿膜方面,近二年来增长最为迅速的嗽曼光谱的应用是研究金刚石和类金刚石薄     

分子发光动态测定和化学及生物发光

本文综述过去二年中分子荧光和磷光的动态测定以及化学和生物发光的重要进展,重点放在紫外和可见波段分子发光方面。一、分子发光的动态测定方法