电流密度对TC4钛合金表面熔盐电解渗硼的影响

以TC4钛合金为基体进行熔盐电解渗硼,利用辉光放电光谱仪(GDOES)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和显微硬度计研究电流密度对渗硼层厚度、成分、组织、相结构及硬度的影响。结果表明:电流密度在50~90 m A/cm2时,渗硼层晶粒随电流密度的增加由粗大变得细小,渗硼层厚度先增大后减小,电流密度为60 m A/cm2时渗硼层厚度最大。渗硼层不含Al,而V则易固溶于硼化物中。渗硼层主要由Ti B和Ti B2组成,在(111)晶面择优生长。渗硼层的显微硬度相对基体硬度提高了5倍。     

NaCl-KCl-NaF熔盐体系初晶温度与成分配比关系的研究

采用差热分析法测定不同配比NaCl-KCl-NaF熔盐体系的初晶温度,利用混料设计中的对称—单纯形设计法,经回归分析,建立了该体系初晶温度与各组分含量之间具有高度显著性的回归方程。结果表明,当NaCl、KCl和NaF摩尔分数分别为0.45、0.45、0.10时,该体系的初晶温度最低。     

电流密度对铌表面熔盐脉冲电沉积渗硅的影响

采用熔盐脉冲电沉积法在纯铌表面渗硅,利用辉光放电光谱仪（GDOES）、扫描电镜（SEM）和能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）分析不同电流密度对渗硅层厚度、成分、组织及相结构的影响,并对渗硅层的抗氧化性进行了研究。结果表明,渗硅层厚度随电流密度的增大而增加,超过100 mA/cm2厚度增加缓慢。渗硅层晶粒随电流密度的增加由粗大变得细小。渗层与基体结合紧密,渗层组织较均匀整齐,致密无孔洞。渗硅层由单相NbSi2组成,在（110）和（200）晶面上择优生长。NbSi2渗层提高了纯铌的抗氧化性。