AFORS-HET软件模拟N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池

运用AFORS-HET程序模拟计算了不同本征层厚度、能隙宽度、发射层厚度、能带失配以及不同界面态密度等参数对N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响.结果表明,在其它参数条件不变的情况下,插入较薄本征层,转换效率增加,但本征层厚度继续增加时,短路电流密度减少、效率也随之降低.本征层能隙宽度的变化对短路电流影响很大,随能隙宽度增加,短路电流先增加,但当能隙宽度大于某一特定值时,短路电流开始下降.在不插入本征层的情况下,N型发射层的能带失配对短路电流几乎无影响,而开路电压随导带失配的增大逐渐增大,界面态密度会导致开压迅速下降.     

超薄太阳能硅片线切割工艺中悬浮液特性研究

对硅片线切割工艺中悬浮液特性进行了理论与实验分析,测绘了悬浮液的粘度与温度特性曲线和pH值与温度特性曲线,为硅片的线切割工艺优化提供了理论和实验依据.     

氮化物结合碳化硅耐火材料的研究进展

对氮化物结合碳化硅结合耐火材料的研究现状进行了综合评述，认为氮化硅或赛隆结合的碳化硅在性能上更适宜于高炉内应用；氧化法烧成的含氮化物结合产品性能还需要进一步改进。     

含金属硅的碳砖材料固定碳含量的分析

采用不同方法测定了微孔碳砖、半石墨碳砖等碳素材料中的固定碳含量，结合对砖结构的分析，认为现有的分析标准与方法难以准确测定加有金属硅粉或碳化硅粉碳砖中的固定碳含量，因此在验收类似产品时，作为产品技术指标考核的固定碳含量难以准确测定。     

Φ200 mm太阳能用直拉硅单晶生长速率研究

介绍了Φ200 mm的太阳能用直拉硅(CZ Si)单晶生长中,采用热屏、复合式导流系统及双加热器改造直拉炉的热系统,进行不同热系统下的拉晶试验,平均拉速从0.6 mm/min提高到0.9 mm/min.用有限元法模拟了氩气的流场及单晶炉的热场,模拟结果表明:改造后的氩气流场被优化,界面附近的晶体纵向温度梯度增加,熔体纵向温度梯度减小.     

自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究

采用镀Ti插入层在氢化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260 arcsec;5 K下样品带边发光峰的半高宽为3 meV,室温下样品的带边发光峰也只有20 meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描电子显微镜观察显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×l07 cm-2。这些结果说明镀Ti插入层有助于提高GaN外延层的晶体质量。通过Raman和低温荧光分析,可以看出自支撑GaN厚膜表面应力已经完全释放。研究了不同温度下样品的荧光特性,证明得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量