金刚石热管理材料的研究进展

金刚石热管理材料已成为目前电子工业理想的散热材料之一。文章综述了金刚石热管理材料的研究现状和发展趋势,分析了影响金刚石热管理材料热导率的相关因素。结合复合材料热导率模型和实验研究,探讨金刚石-金属界面导热机制,提出了形成粘结强度高、界面热阻低的金刚石-金刚石有效导热通道有助于获得高导热封装材料。金刚石热管理材料在电子领域的应用前景广阔。     

金刚石热管理材料的研究进展

金刚石热管理材料已成为目前电子工业理想的散热材料之一。文章综述了金刚石热管理材料的研究现状和发展趋势．分析了影响金刚石热管理材料热导率的相关因素。结合复合材料热导率模型和实验研究,探讨金刚石一金属界面导热机制．提出了形成粘结强度高、界面热阻低的金刚石-金刚石有效导热通道有助于获得高导热封装材料。金刚石热管理材料在电子领域的应用前景广阔。     

铜铟镓硒薄膜太阳能电池的研究进展及发展前景

介绍了薄膜太阳能电池结构、性能特点以及目前在研究和生产过程中铜铟镓硒电池的制备方法;阐述了国内外在铜铟镓硒薄膜太阳能电池方面研究开发现状。最后探讨了铜铟镓硒太阳能电池存在的问题及今后研究方向。     

Al0.7Sb2Te3三元靶材的结构性能表征

以原子比Al:Sb:Te=0.7:2:3的混和粉为原料,采用真空合成法与烧结-热等静压制备Al_0.7Sb₂Te₃三元靶材,通过XRD、FESEM、EDS、XPS等手段表征其性能,且重点采用XPS研究Al在Al_0.7Sb₂Te₃三元靶材的存在状态。结果表明：Al掺杂后,靶材主相Sb₂Te₃的晶格常数减小,且单质Al弥散相与Al_0.1Sb₂Te₃基体相共存,表明掺杂对靶材的组织结构确有影响;刻蚀深度从0增加至405.9nm,Al价态从以Al₂O₃的化合态为主逐渐过渡至以单质态为主,且Al以Al₂O₃形态为主的区域深度约90nm;刻蚀深度为405.9nm时,来自非氧化物的Al价态与来自AlSb的Sb价态联合表明：Al_0.1Sb₂Te₃中的Al通过有效化合形成AlSb影响着靶材的组织结构。     

扩散阴极用多孔钨基体材料的评述

本文梳理了扩散阴极对钨基体材料孔隙特性的设计要求。以其制备为主线,介绍了钨粉预处理、钨粉成形、钨压坯烧结、多孔钨渗（去）铜、钨骨架的热等静压及深冷加工;最后总结了钨基体材料的性能表征手段。阴极用钨粉等离子球化、挤压或注射成形是未来的发展趋势;钨骨架的热等静压改性有助于高可靠和长寿命;多孔钨的深冷加工是一种可持续的先进加工方法,有望实现钨基体的短流程制造。     

Pd基活性钎料对SiC陶瓷的润湿研究

为研究Pd基钎料钎焊SiC陶瓷与其他材料的接合机制,研究了PdAgMn＋Ti钎料对SiC陶瓷的润湿规律,发现元素Ti显著影响钎料对SiC陶瓷的润湿性。通过X射线衍射仪对润湿界面进行了观察,发现在钎料与SiC润湿界面存在Pd和Si的化合物Pd100-xSix以及TiC。说明PdAgMn＋Ti能够润湿SiC陶瓷,并与SiC陶瓷形成冶金结合。用PdAgMn钎料对两种SiC样品在同样温度条件下作了高真空,低真空润湿试验。一种是在高真空中处理的涂Ti的SiC样品;另一种是不涂Ti的SiC样品。结果在高真空和低真空两种试验条件下,PdAgMn钎料对高温处理的涂Ti的SiC样品均润湿良好,而对不涂Ti的SiC样品不润湿。实验结果说明PdAgMn合金对涂Ti的SiC样品表面的润湿其实就是对TiC表面的润湿,TiC的形成是Pd合金润湿SiC陶瓷的必要条件。     

基于最大似然估计法的计量器具校准周期分析和优化

本文通过开展周期性校准,评定不确定度,在积累了一定数据基础上,采用最大似然估计法,分析并优化了我司电子天平的校准周期。对保障测量结果的准确可靠性,同时降低校准的经济成本和时间成本有重要实践意义。     

高温高压烧结金刚石-铜复合材料的研究

采用高温高压烧结工艺制备了金刚石体积分数为80%的金刚石-铜复合材料。研究了金刚石颗粒大小、烧结温度、烧结时间等因素对复合材料成分、界面状态和热导率的影响。结果表明:金刚石颗粒直径为80μm时,在高温高压条件下可获得热导率高达639 W.m-1.K-1的金刚石-铜复合材料。当金刚石体积分数一定时,存在一临界粒径,随金刚石颗粒直径增大复合材料热导率先增大后减小。恰当的烧结温度和时间有助于获得黏结良好的界面和高热导率。     

动力电池的研究现状及发展趋势

汽车、摩托车尾气是造成城市空气污染的重要原因之一。发展电动汽车、摩托车、电动助力车不但可以从根本上消除尾气污染,而且还可以改善能源消费结构,减轻人类对于石油这种宝贵资源的依赖,因此世界先进国家都非常重视、并投人大量的人力、物力进行电动车的开发。 研究开发出性能好、寿命长、价格低、使用方便的动力电池是研制电动车的关键之一。     

铝粉直接氮化法制备氮化铝粉末

采用直接氮化法对铝粉进行氮化,分别研究了添加剂、反应温度、保温时间对合成产物的影响。运用扫描电镜(SEM)、X射线衍射物相分析(XRD)、X射线荧光光谱分析(XRF)对合成产物进行了表征,研究结果表明:提高反应温度、延长保温时间可以有效促进铝粉转化为氮化铝,提高合成产物的氮含量。同时提高反应温度可以促进添加剂的挥发,减小杂质元素的残留量。在1000℃下保温3 h后,对多孔疏松的合成产物进行球磨24 h处理,最终可以得到氮含量大于32%,Cl的残余含量低于0.3%,K的残余含量低于0.1%,平均粒度小于2μm氮化铝粉末。同时在多孔疏松状合成产物表面观察到了氮化铝晶须的存在,这说明铝粉直接氮化法也可以制备出氮化铝晶须。