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以大量数据为基础,阐述了近10年来国内电解金属锰的产能、产量、消耗量及开工率状况。通过对电解金属锰行业内主要企业的投资动向分析,得出规模化发展是行业的必经之路。非主流矿市场份额逐年增加表明国内锰矿石供应正在向多元化发展。在简述产业政策和企业发展成果的基础上,对电解金属锰行业的发展方向进行了展望。 相似文献
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高压电动机采用开口槽,运行时其气隙的齿部和槽部的磁导相差很大,由此所引起的转子的齿脉动损耗和齿表面铁损,是电动机基频铁损的2~3倍。磁性槽楔是一种具有一定的机械强度、适当的导磁率、足够大的电阻的一种 相似文献
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非晶硅太阳能电池背反ZnO:Al薄膜制备 总被引:1,自引:0,他引:1
以ZnO:Al(2%Al2O3,质量分数)为靶材,用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备ZnO:Al薄膜,分析了各沉积参数对薄膜光电性能的影响。结果表明:溅射功率对ZnO:Al的透过率影响最大,其次是反应腔室压力,而衬底温度对透过率几乎没有影响。ZnO:Al的电阻率主要取决于衬底温度和溅射功率。综合考虑透过率和电阻率,确定了背反ZnO:Al的最佳沉积参数(衬底温度为200℃,溅射功率为200W,反应腔室压力为0.6Pa),得到了透过率大于85%,电阻率最小为7.6×10-4Ωcm的ZnO:Al薄膜。制备了ZnO:Al/Ag/ss(stainless steel)背反电极,并将其用于非晶硅太阳能电池。与无背反的不锈钢衬底上的电池相比,非晶硅太阳能电池短路电流密度增加了16%。 相似文献
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该文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p—a-SiC:H/i—na-Si:H/n—nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池。电池初始开路电压(Voc)高达0.94V,同时还能保证0.72的填充因子(FF)。光电转换效率(Eff)达到8.35%(AM1.5,100mW/cm^2)。 相似文献
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2008年中国电解金属锰发展态势浅析 总被引:1,自引:0,他引:1
对中国电解金属锰发展的市场态势、价格行情以及原材料供应情况作了初步分析,提出我国电解金属锰行业挑战与机遇并存,只要抓住机遇、迎接挑战、夯实基础、科技创新,电解金属锰行业前景将会更加光明。 相似文献
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全国电解金属锰第六届厂长和第三届学术研讨会于2001年9月15~16日在广西南宁市西园饭店召开.参加本次会议的共有67个单位100多个代表,其中电解金属锰厂32家,广西壮族自治区锰矿公司常委书记刘忠林同志参加了会议. 相似文献
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Boron-doped hydrogenated silicon films with different gaseous doping ratios(B2H6/SiH4) were deposited in a plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD) system.The microstructure of the films was investigated by atomic force microscopy(AFM) and Raman scattering spectroscopy.The electrical properties of the films were characterized by their room temperature electrical conductivity(σ) and the activation energy(Ea).The results show that with an increasing gaseous doping ratio,the silicon films transfer from a microcrystalline to an amorphous phase,and corresponding changes in the electrical properties were observed.The thin boron-doped silicon layers were fabricated as recombination layers in tunnel junctions.The measurements of the I-V characteristics and the transparency spectra of the junctions indicate that the best gaseous doping ratio of the recombination layer is 0.04,and the film deposited under that condition is amorphous silicon with a small amount of crystallites embedded in it.The junction with such a recombination layer has a small resistance,a nearly ohmic contact,and a negligible optical absorption. 相似文献