非晶硅碳（a-SiC∶H）薄膜光学常数的透射谱表征

报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序．这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系，所有公式均为解析表达式，便于进行数据处理，无须专用软件，使用Excel即可完成，适用于多种半导体薄膜材料．将这种方法应用于PECVD方法制备的非晶硅碳（a-SiC∶H）薄膜，对其光学特性进行了分析．     

HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能

采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池。分析了薄膜的结构、光电特性。结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10-4Ω.cm、在350~800 nm波段的平均光透过率为87.1%,将其应用于HIT太阳电池上,电池的转换效率可达13.38%。     

风光互补发电系统的优化设计(Ⅰ)CAD设计方法

给出了一整套利用CAD进行风光互补发电系统优化设计的方法.为了精确确定系统每小时的运行状态,采用了更精确地表征组件特性及评估实际获得的风光资源的数学模型.为了寻找出以最小设备投资成本满足用户用电要求的系统配置,首先在风力发电机容量固定不变的前提下,计算了与该容量风力发电机匹配的不同容量的PV方阵和蓄电池所组成的风/光/蓄组合的全年功率供给亏欠率LPSP,根据总的设备投资成本最小化的原则筛选出一组与该容量风力发电机对应的满足用户给定系统供电可靠性即LPSP值的风/光/蓄组合;然后通过改变风力发电机的容量,优选出多个与不同容量风力发电机对应的既能满足用户用电要求同时总的设备购置成本又是最低的风/光/蓄组合,比较它们的成本最终唯一确定出以最小投资成本满足用户用电要求的优化的系统配置.     

纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池

该文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下，用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si：H)薄膜，并将其用作pin太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计，在p／i，i/n界面插入渐变带隙缓冲层，制备出了glass／ITO／p—a-SiC：H／i—na-Si：H／n—nc-Si：H／Al结构的pin太阳电池。电池初始开路电压(Voc)高达0．94V，同时还能保证0．72的填充因子(FF)。光电转换效率(Eff)达到8．35％(AM1．5，100mW／cm^2)。     

非晶硅太阳电池的正向注入电流检测磁共振研究

本文首次报道p~+-i-n~+a-Si:H太阳电池的注入电流检测磁共振研究。实验研究了该自旋有关的注入电流效应与正向注入电流、辐照光强以及光电压检测磁共振(PDMR)的关系。结果表明该效应有比PDMR更高的灵敏度,可用于非晶及晶体势垒器件的例行检测。     

非晶硅太阳电池中磁共振的光伏检测(英文)

The detection of magnetic resonance via the photovoltage (PDMR) is a sensitive method for investigating recombination and light-induced meta-stable defects in a-Si:H solar cells. The steady-state PDMR signals are dependent on the light intensity, microwave power and sample temperature. Particularly,the delay time of signal or the phase shift of lock-in amplifier is also dependent on the light intensity and temperature. For a given temperature and microwave power there is an optimum light intensity for the signal noise ratio. According to our results, a brief analysis and discussion are given.     

多孔化PECVD硅薄膜的室温光致发光

本文采用阳极氧化腐蚀技术对等离子ＣＶＤ方法制备的微晶硅薄膜进行了多孔化处理．在室温下用Ｎ２激光激发，在多孔化微晶硅薄膜上观测到了强的可见荧光，其荧光谱中包含１．９４ｅＶ和２．８６ｅＶ两个峰．我们还对其激发谱进行了研究，发现除与跃迁有关的吸收峰（３．４ｅＶ）外，在２—３ｅＶ间还有新的吸收峰．此结果与Ｆ．Ｂｕｄａ等人最近对硅量子线的理论计算相符合．     

硅反型层中的Anderson转变

在4.2—20K温度范围内,利用MOS器件的沟道电导率随栅压的变化,研究了Si-SiO_2界面反型层中的Anderson转变.发现实验Inσ～1/T曲线外推到1/T=0时,一般都不交于一点.考虑到界面势场除具有微观无序性外,尚具有宏观不均匀性,而把反型层看成是由许多迁移率边互不相同的宏观小区域组合而成的非均匀系统;在每个小区域内,再采用均匀无序系统的定域化模型来处理.这样,计算的结果与实验符合,也有助于解释迁移率边随费米能级变化,出现磁阻振荡等反常效应.     

用场效应方法研究a-Si中定域态密度

用场效应方法研究了未掺杂GD-a-Si薄膜中的定域态密度分布N_((E)),比较了不同淀积条件和退火温度对N_((E))的影响.