生成长寿命放射性核的（n，γ）截面测量

生成长寿命放射性核的（ｎ，γ）截面测量夏宜君，龙先灌，王春浩，杨志华，罗小兵杨经福，刘漫天，彭秀峰，何福庆（四川大学原子核科学技术研究所，成都，６１００６４）卢涵林（中国原子能科学研究院，北京，１０２４１３）低放射性水平作为聚变堆发展的重要目标，对聚...     

可预置可逆式步进电机驱动器

<正> 在许多自动化设备中都要使用步进电机,因为步进电机给很多测量带来极大便利。例如,在一些物理实验中,由于某种条件的限制,被测试的样品远离实际操作者,特别是在核物理的一些实验中,待测样品被放在反应堆或加速器等有放射性的场所里,实验者不能直接靠近试样。试样的转动、平移、升降等,可借助步进电机加一个驱动装置来完成,试样安装在带步进电机的试验架上,用长电缆将电机与驱动器连接起来,实验者就可在远离(一般几十米至上百米)试样     

CdSe核辐射探测器的噪声与漏电流

对具有金属-半导体-金属(MSM)结构的CdSe探测器的噪声进行了实验观测,并对探测器中光生载流子的输运过程进行了分析,结果表明探测器的噪声是由从正极注入的空穴电流引起的.因此只有改变正极接触,才能有效地阻止空穴注入,从而消除探测器噪声.     

~(107)Ag(d,2n)~(107)Cd和~(109)Ag(d,2n)~(109)Cd反应的激发函数

用13.4MeV的氘束轰击天然银迭靶,银箔前后用铝箔作捕集减能膜。实验确定了~(107)Ag(d,2n)~(107)Cd和~(109)Ag(d,2n)~(109)Cd反应的激发函数,同时作了理论计算。由结果可见,实验值与理论值吻合得很好。     

另一种多道脉冲幅度分析器死时间的数字测量方法

本文描述了一种多道分析器死时间的数字测量方法，与另一类似的测量方法作了详细的比较，实践表明，它是一种更简单适用的方法。     

单晶硅面沟道效应的研究

采用静态的Molière面连续势并计及相邻各晶面的影响,计算了单晶硅<100>、<110>和<111>面沟道的半角宽度以及产额极小值,同1MeV质子对单晶硅面沟道实验测量结果进行了比较。理论分析和实验测量都表明,虽然<111>晶面有两种不同的面间距,但<111>面沟道只存在一个坑。     

CdSe核辐射探测器中的MIS接触电极

对MIS(金属-绝缘体-半导体)接触电极的特性进行了系统的分析和实验观察.结果表明,负极的电子可以通过表面能级和热激发注入到Cd Se晶片中,且晶片表面的电子能级密度越高,电子注入就越快,探测器的漏电流也越大.对探测器进行适当的热处理,可以降低表面能级密度,从而抑制电子注入,降低探测器的漏电流,改善探测器的能量分辨率.     

CdSe核辐射探测器中的MIS接触电极

对MIS(金属-绝缘体-半导体)接触电极的特性进行了系统的分析和实验观察.结果表明,负极的电子可以通过表面能级和热激发注入到CdSe晶片中,且晶片表面的电子能级密度越高,电子注入就越快,探测器的漏电流也越大.对探测器进行适当的热处理,可以降低表面能级密度,从而抑制电子注入,降低探测器的漏电流,改善探测器的能量分辨率.     

CdSe核辐射探测器的噪声与漏电流

对具有金属-半导体-金属(MSM)结构的CdSe探测器的噪声进行了实验观测,并对探测器中光生载流子的输运过程进行了分析,结果表明探测器的噪声是由从正极注入的空穴电流引起的.因此只有改变正极接触,才能有效地阻止空穴注入,从而消除探测器噪声.