中子源发射率国际比对(1999-2005)——CCRI(Ⅲ)

国际电离辐射咨询委员会(CCRI)第三分部举行了一次241Am-Be(α,n)放射性核素中子源发射率测量比对.一个241Am-Be中子源于1999年至2005年在各参加比对的实验室之间传递.参加比对的有中国的CIAE、捷克的CMI,韩国的KRISS、巴西的LMRI、法国的LNE-LNHB、美国的NIST、俄罗斯的VNIIM等八个实验室.为了检验中子源的稳定性,NPL对中子源进行首次测量和末次测量.每个实验室提交一份报告,给出中子源4π立体角的发射率以及详细的不确定度分量,它们都使用了锰浴技术,VNIIM还使用了伴随粒子技术,CMI、KRISS和VNIIM测量了中子源各向异性.     

用于CSNS反角白光中子源的双屏栅电离室设计及性能研究

为测量中国散裂中子源（China Spallation Neutron Source, CSNS）反角白光中子源150 keV以下能区飞行时间法中子能谱,研制基于¹⁰B(n, α)⁷Li和⁶Li(n, t)α核反应的双屏栅电离室,采用薄窗和薄底衬的结构设计。通过Garfield++、SRIM和Simcenter Magnet Electric程序对屏栅电离室的工作气体、极间距和电场分布等工作参数进行模拟设计,并采用α源及CF₄、P10、90%Ar-10%CO₂三种气体对电离室进行性能参数测试。结果表明,选定电子漂移速度快、扩散系数小,以及阻止本领大的CF4作为CSNS/Back-n束上测试工作气体,阴极-栅极和栅极-阳极间距分别为20 mm和5 mm。屏栅电离室收集区74 mm范围内是电场均匀区,场强的相对偏差≤0.03%;性能测试结果表明,工作气体为CF₄时,电离室对²³⁹Pu/²⁴¹Am/²⁴⁴Cm混合α面源具有很好的能量分辨,最佳能量分辨率为2.4%@5.48 MeV。对比平板型电离室和硅微条探测器的测量结果,验证了本工作研制的屏栅型电离室的能量分辨优势。     

亚太地区中子周围剂量当量（率）仪的校准比对

适当的校准方法是保证中子周围剂量当量（率）仪测量结果准确可靠的重要因素。本文介绍了亚太地区首次中子周围剂量当量（率）仪校准比对APMP.RI(Ⅲ)-S1,以及韩国、澳大利亚、印度、中国台湾、中国大陆、日本和俄罗斯等国家和地区的计量院的放射性核素中子参考辐射场及比对结果。本文利用实验室建立的²⁴¹Am-Be和²⁵²Cf中子源参考辐射场对两台比对传递仪器进行了校准,并将校准结果进行了比较。结果表明,本实验室采用影锥法和距离反平方法的校准因子与比对参考值在不确定度范围内一致。     

TEPC中子和γ分辨技术研究

混合辐射场中子剂量、剂量当量的测量需进行中子、γ分辨。依据各种辐射沉积线能的不同,组织等效正比计数器（TEPC）具有一定的中子、γ分辨能力。本文采用自制的圆柱形TEPC在5SDH-2加速器单能中子辐射场进行了微剂量谱测量,对其中子、γ分辨技术进行了探讨分析。采用¹³⁷Cs纯γ辐射微剂量谱匹配法,在²⁵²Cf、²⁴¹Am-Be中子辐射场进行了中子、γ分辨研究。分辨后的中子剂量当量与约定真值一致性较好,表明TEPC用于中子、γ混合辐射场的吸收剂量、剂量当量测量是可行的。     

热中子注量测量关键比对

在计量与校准技术国家重点实验室电离辐射分室的建设中，增加了1套VME多参数数据获取系统。系统硬件购自意大利CAEN公司，主要模块由采样模数转换器V1729、I／O寄存器V977、时间数字转换器V775N、PCI—VME接口、定标器V560、模拟数字转换器V785N、VME机箱和机箱控制器组成。     

计量与校准技术国防科技重点实验室电离辐射分室项目测试

本次中子源强比对由国际电离咨询委员会第三分部（CCRI（Ⅲ））组织，目的是通过测量214HAm-Be中子源强度，比较国际问初级标准的状态。214HAm—Be中子源由英国国家物理实验室（NPL）提供，在参加比对的实验室间传递。     

238U裂变电离室测量25.5MeV中子注量率

在飞行时间谱仪测量中子能谱的基础上，利用²³⁸U裂变电离室测量了中国原子能科学研究院HI-13串列加速器产生的25.5MeV中子注量率。为验证该裂变电离室测量快中子注量率的可靠性，在中国原子能科学研究院5SDH-2串列加速器上，利用该电离室和伴随α粒子装置同时测量14.8MeV中子注量率，结果在不确定度范围内一致。     

中子源发射率国际比对（1999—2005）——CCR1（Ⅲ）

国际电离辐射咨询委员会（CCRI）第三分部举行了一次^241Am-Be（a,n）放射性核素中子源发射率测量比对。一个^241Am-Be中子源于1999年至2005年在各参加比对的实验室之间传递。参加比对的有中的CIAE、捷克的CMI，韩国的KRISS、巴西的LMRI、法国的LNE-LNHB、美国的NIST、俄罗斯的VNIIM等八个实验室。为了检验中子原的稳定性，NPL对中子源进行首次测量和末次测量。每个实验室提交一份报告，给出中子源4π立体角的发射率该及详细的不确定度分量，它们都使用了锰浴技术，VNIIM还使用了伴随粒子技术、CMI、KRISS和VNIIM测量了中子源各向异性。     

中子剂量仪表校准的本底扣除方法研究

用241Am-Be中子源参考辐射场校准了一台中子周围剂量当量（率）仪,采用影锥法、半经验法、多项式拟合法和简化拟合法等方法扣除散射中子本底的结果,并对结果进行了比较研究,说明了各自的优缺点和适用范围。结果表明,这四种方法的结果在不确定度范围内一致。     

单球中子谱仪的能量响应模拟及解谱方法研究

本文阐述了单球中子谱仪的原理,介绍了基于单慢化球和19对⁶Li-⁷Li闪烁体探测器构成的单球中子谱仪的结构及解谱方法,使用蒙特卡罗中子输运程序模拟了单球中子谱仪的中子响应函数。计算结果表明,该谱仪具有较好的空间对称性,能根据谱仪中各探测器的计数对源的大致方位进行判断;模拟了单球谱仪在²⁴¹Am-Be源照射下各探测器的计数,使用Unfolding with Maxed and Gravel (UMG)解谱程序在不同解谱算法以及初始谱的情况下对模拟数据进行解谱计算,在使用最大熵散发以及与源项相同的预置谱的情况下,解谱结果最为准确,验证了响应函数的准确性。