聚变堆中第一壁材料钨的紧束缚理论研究

为研究辐照时处于电子激发态下第一壁材料钨（W）的结构演化规律和热力学性质,采用紧束缚方法对聚变堆中W的物理性质进行理论研究。结果表明,体系在高能粒子辐照下诱导的电子激发导致了体系中被辐照的区域自发出现微孔、晶格急剧膨胀、熔点下降等现象。具体地,在中等电子温度（~5 000 K）以下,W的晶格膨胀主要由晶格温度驱动,但在电子温度较高时电子温度导致被辐照区域的晶格膨胀效应不可被忽略。特别是当电子温度很高（>10 000 K）时,即便晶格温度不高,电子温度也会导致很大程度晶格膨胀。这对认识聚变堆中第一壁材料W在服役过程中的物理状态十分重要。     

Mg掺杂对MgZnO纳米线带隙和结构的调节

采用第一性原理对Mg掺杂的不同尺寸MgZnO合金纳米线的晶体结构、分布行为、电子结构和波函数进行了计算和分析.研究表明,Mg在合金纳米线中偏向均匀分布并且Mg能有效地在较大范围内线性调节纳米线的带隙.此外,通过计算结合能得到MgxZn1-xO纳米线从纤锌矿结构到岩盐矿结构的相变点在x=0.65,和实验上薄膜的转变点(0.62)很接近.