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1.
为科学确定地下工程氡防护措施,本文根据地下工程氡防护经验,梳理了典型氡防护方法,并通过实际测量和性能实验,评价各种氡防护方法。结果表明,通风降氡是地下工程降氡普遍方法,对12000 m^(3)空间按照2 m^(3)/s风速通风1小时能够降低空气中氡浓度三分之一左右;吸附降氡能够对人员活动集中区域进行局部降氡,采用自研的移动降氡装置工作2小时能够使80 m^(3)含氡空气的氡浓度降低55%左右;屏蔽降氡能够对高氡析出率区域进行重点降氡,采用聚酰亚胺树脂防氡材料能够使阻氡效率大于99.5%。不同降氡方法都有其适用范围和优缺点,应根据地下工程实际情况进行优化设计。 相似文献
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采用双螺杆共混方法研究CaCO3(碳酸钙)改性PP-SEBS(苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯共聚物)复合材料的力学性能,并研究了相容剂对PP-SEBS/CaCO3的结构与性能的影响.结果表明,当PP-SEBS 65份、相容剂5份、CaCO330份时,弹性体的力学性能最佳.扫描电镜(SEM)分析显示,加入相容剂后,CaCO3的粒子被PP-SEBS基体包覆,两相间粘合力增强,CaCO3与SEBS之间的浸润有效改善,共混物的力学性能提高. 相似文献
3.
以L-脯氨酸(L-Pro)为原料,正丁醛作催化剂,在正丁酸溶剂中,与R-酒石酸(R-TA)反应制备D-Pro.R-TA.着重研究了反应温度、反应时间、羧酸溶剂用量和催化剂的用量对产物收率和光学纯度的影响,获得了最佳工艺条件.即:反应温度为90℃,反应时间为6 h,正丁酸为溶剂(60 mL),n(L-Pro)∶n(R-TA)∶n(正丁醛)=1∶1∶0.1(mol),中间体D-Pro-R-TA在甲醇中加35%的氨水处理得到D-脯氨酸,总收率为91.74%,光学纯度为98.7%. 相似文献
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近地空间强流脉冲中子源大气传输散射γ特性研究 总被引:1,自引:1,他引:1
基于射线与物质的相互作用原理和辐射输运理论,建立了近地空间强流脉冲中子源在大气中输运时与气体散射产生γ射线传输到同步轨道的数学物理模型,应用MCNP程序对散射γ输运至地球同步轨道的特征参数进行了数值模拟,获得了一些规律性的辐射现象,并依据这些辐射特征,初步提出了散射γ探测器相关指标,为相关研究提供了一定参考。 相似文献
5.
简单阐述了氢弹设计原理和爆炸过程,约定了文中要用到的一些基本概念,提出了武器次级γ和次级聚变中子散射γ联合测量氢弹爆炸爆高的思想,并例举了联合测量方法的计算过程,给出了预期要得到的数据、拟合公式及图形等.该方法在思想上是一种创新,但是在实际应用中尚需要深入研究,才可进入实用阶段. 相似文献
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单体滑坡灾害承灾体的有限元模拟与易损性评估 总被引:1,自引:0,他引:1
针对目前单体滑坡灾害承灾体易损性评估定量化程度不高的问题,提出了一种承灾体易损性计算方法。在分析滑坡运动过程和承灾体破坏机制的基础上,引进塑性铰的概念,考虑了承灾体塑性变形过程,建立了简化计算模型。应用有限元软件SAP2000对钢筋混凝土框架结构受侧向力形变过程进行数值模拟,所得受力与位移参数代入简化计算模型,得到易损性数值并确定了承灾体破坏等级。结果表明:建筑物弹塑性变形与局部塑性铰变形过程类似,且塑性阶段所占比例较大;计算所得安全距离92.7m和承灾体易损性V为1时距离69.7m与实际基本相符。 相似文献
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受井资料不足的制约,基于井资料的HM地区沉积微相分析精度不能满足该区隐蔽油藏精细勘探的要求;应用地震属性技术开展沉积微相分析则存在单属性解释精度低、多属性联合解释工作量大且难以统一的问题。为此,把地层切片技术、多属性融合技术及三相联合解释技术应用到HM地区沉积微相研究,建立了地震相平面解释配套技术方法。实际应用表明该方法充分利用了地震资料横向密集连续的特性,能够对地质体进行精细成像,对于以寻找单一砂体为目标的隐蔽油气藏勘探,尤其是在缺乏钻井的浅湖—半深湖地区,具有明显的优势。 相似文献
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地震剖面极性判别直接关系到地震地质层位标定的准确性,现有的合成地震记录判别地震剖面极性方法存在不确定性。围绕这一问题,利用苏北盆地火成岩分布广泛、反射特征明显的特点,提出了基于地震剖面零相位化处理的极性判别流程,并详细叙述了流程每一步的方法原理。通过在SN地区的实际应用证实该方法是适用于苏北盆地的有效方法。 相似文献
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熔盐堆以石墨作为反射体和慢化体,熔盐与石墨直接接触,石墨在熔盐中的腐蚀反应和辐照损伤是值得研究的问题。本文采用自主研发的细结构石墨,阻隔熔盐浸渗,采用30 MeV He+模拟中子辐照,研究不同温度及熔盐环境下石墨微观形貌、微结构和化学结构的变化。研究结果表明,高温环境下,由于高温的退火效应,石墨缺陷密度的增加及形貌的变化都远小于室温环境。辐照后的石墨与熔盐接触,其缺陷密度略微降低。这种微结构的改善与高温熔盐环境中的退火效应及熔盐固化引起内部微裂纹的闭合有关。辐照后的熔盐浸泡可在石墨C—C键结构中引入C—F键,且C—F键的形成与缺陷密度及缺陷类型密切相关。稳定的空位簇及间隙原子的迁移均会影响层间化合物的形成,从而产生限制C—F键形成的环境,进而降低由层间化合物的形成对石墨表面结构的破坏。 相似文献