TiC陶瓷中H原子扩散行为第一性原理计算研究

采用第一性原理计算方法研究了H原子在立方TiC 晶格中的结构稳定性及扩散行为。结果表明：H原子在TiC晶格中的最稳定位点位于Ti/C六面体中靠近C原子的C-H（C-HS）位置,H被C原子捕获而形成C—H键,键长1.15 Å（1 Å=0.1 nm）,零点修正（ZPE）后形成能为1.58 eV;其次是Ti/C六面体中心位置（CS）,H 原子主要与Ti原子成键,ZPE修正后的形成能为1.75 eV。采用CI-NEB方法计算预测了TiC晶格中H间隙原子的最优扩散路径,即先在Ti/C六面体内沿(110)晶面进行“跳跃”扩散,扩散势垒为0.47 eV;然后以C原子为中心,沿(100)晶面进行两次“旋转”扩散穿越Ti/C原子面,扩散势垒为0.28 eV。     

加速器氚靶膜厚误差对BIXS方法反演的影响

BIXS(β-ray induced X-ray spectrometry)方法是一种氚β衰变诱发X射线谱的氚无损分析技术，在反演过程中会受到诸多因素的影响，氚靶膜厚误差的影响不可忽略。本文基于蒙特卡罗方法程序PENELOPE模拟和实验验证研究，表明加速器氚靶膜厚误差会对BIXS方法反演有一定的影响，其中对递增分布的影响最大，对递减分布的影响最小；氚在靶膜中的深度分布的斜率越大，膜厚误差对BIXS方法反演的影响也越大。     

1452A（G）整经机刹车装置的改进

湖北省天门市第三棉织厂使用的1452A(G)整经机,原先采用主电机直流刹车。按照规定,刹车时间为3秒,但实际上由于大滚筒的惯性和传动带的滑移磨损,刹车时间长达4～7秒。当纱线断头停车效果最好时,滚筒滑移长度也达3.2m(即大滚筒回转两圈);效果差时,滚筒滑移长达5～6m。这样,不仅使挡车工操作劳累,也给整经质量造成严重的不良影响。另外,配套电机常因刹车时间过长,造成负荷过大而发