大面积Si(Li)X射线探测器

本文介绍了30mm~2和80mm~2大面积Si(Li) X射线探测器的研制工艺及测量中的部分问题,并作了讨论。80mm~2探测器的系统能量分辨率为173eV(对~(55)Fe 5.89keV Mn Kα X射线),该指标已达到国外同类产品的水平。     

高分辨率硅(锂)X射线探测器

本文介绍了GL1221型硅(锂)X射线探测器管芯的制造工艺及与之相配合的脉冲光反馈低温前置放大器。探测器系统的能量分辨率为165eV(对~(55)Fe 5.89keV Mn-KaX射线),计数率为1020cps,电子学噪声104eV。该指标已达到国外同类产品的商品水平。     

对国产探测器级P型硅单晶的评价

本文介绍了用739厂的P型硅单晶制作Si(Li)X射线探测器所得的一些结果。探测器对~(55)Fe5.89keVX射线的能量分辨率小于165eV(FWHM)。并介绍了用国内不同厂家的几种P型硅单晶在美国劳伦斯实验室(LBL)制作Si(Li)X射线探测器的结果。实验表明,国产P型硅单晶可以制出高质量Si(Lj)X射线探测器。对西德瓦克(Wacker)公司的一些P型硅单晶和国产一些较高电阻率材料进行了对比试验,利用LBL的条件分析了某些材料的深能级杂质,并对实验中的一些问题进行了简单的讨论。     

硅(锂)X射线探测器

介绍了10～80mm’的硅(锂)X射线探测器研制工艺,并讨论了工艺过程和测量中的一些问题;给出了探测器的指标,这些指标大都达到和接近国外同类产品水平。硅(理)X射线探测器是一种低能X射线探测器,它具有能量分辨率高、线性好,对低能区X射线探测效率高等特点,在核物理、医学、地矿、环保等领域有着广泛的应用。它也是扫描电镜X射线荧光分析等能谱分析的核心部件。     

硅锂探测器的辛烷漂移工艺

对各种漂移型半导体探测器的锂漂移工艺,人们总希望漂移速度快、离子补偿好。通常采用的有三种方法:①烘箱漂移;②油循环漂移;③用低沸点或与硅锗漂移所需温度为沸点的化学试剂作散热介质的漂移。常用于硅的有辛烷、用于锗的有正戍烷、庚烷、氟里昂等。 本文侧重介绍Si(Li)漂移的辛烷漂移。