掠入射质子荧光分析技术研究

首次提出采用掠入射质子荧光分析(PIXE)方法对表面存在污染的铝片、注入铁离子的单晶硅片以及注入氧隔离SOI半导体材料进行了分析.实验结果表明,现有PIXE分析技术不需要对设备做任何重大的升级改造,只是简单的采用掠入射方法,就能有效提高其表面分析的灵敏度.通过研究不同角度时峰面积与探测限之比与穿透深度之间的关系,得出质子柬在样品中的穿透深度越浅,峰面积与探测限的比值就越大,可检测的表面污染的灵敏度就越高.     

PET应用中的硅光电倍增器研究

本文介绍了硅光电倍增器(SiPM)研制所取得的最新进展及PET应用中SiPM的研究现状。新器件实验室(NDL)制造出光敏面积为2.2mm×2.2mm的SiPM器件,并将SiPM与2mm×2mm×10mm的LYSO晶体耦合,实验结果显示,器件探测FDG 511keV光子的能量分辨率达12.83%,符合时间分辨率达564ps。     

由浅离子注入实现的MQW混合

用浅Ｐ＾＋离子注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变多量子阱（ＭＱＷ）激光器Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火,体内ＭＱＷ层发生组份混合（ｉｎｔｅｒｍｉｘｉｎｇ）,导致器件的带隙波长蓝移（ｂｌｕｅ ｓｈｉｆｔ）,结构的光荧光（ＰＬ）峰值波长向短波方向移动了７６ｎｍ。作者认为,有源区中的应力对量子阱混合起到了十分关键性的作用。     

BDJ光探测器的温度特性及其温度校准研究

掩埋双pn结(BDJ)光探测器的波长及光谱响应度定标曲线与温度有关,因此在环境温度发生变化时需要对器件的定标曲线进行温度校准,以提高器件测量波长和光功率的精度.文章对BDJ光探测器的温度特性进行了研究,在不需要另外附加温度传感器的情况下,直接利用BDJ自身的浅结测量温度,通过matlab编程,能够插值计算出某温度下的波长及光响应度定标曲线,能有效地消除环境温度变化对波长及光功率测量的影响,使器件更具有实用性.数值分析结果表明,经温度校准后,波长及光响应度定标曲线的误差均在5%以内.     

大豆疫霉菌（Phytophthora sojae）抗甲霜灵菌株筛选及生物学特性

以大豆疫霉野生菌株Pmg1为亲本,采用药剂驯化法获得抗甲霜灵菌株.初步研究抗药菌株的抗性水平、菌丝生长阶段抗性的稳定性、菌落生长速率、菌落形态、游动孢子囊和卵孢子产生能力等生物学特性,并利用光学显微镜观察其菌丝、游动孢子囊和卵孢子的形态.结果表明,获得5株抗甲霜灵菌株Pmg1-Mt^r1、Pmg1-Mt^r2、Pmg1-Mt^r3、Pmg1-Mt^r4、Pmg1-Mt^r5,抗性水平分别可达到野生亲本的3793.7、5581.7、5773.9、4409.3和5476.0倍,且抗性可在菌丝阶段稳定遗传.与野生菌株Pmg1相比,抗药菌株的菌落生长速率明显降低;菌丝、游动孢子囊和卵孢子在形态上与野生菌株相比没有明显变化,但抗药菌株游动孢子囊和卵孢子的产量显著降低.表明大豆疫霉菌对甲霜灵容易产生抗性,抗药菌株在菌丝阶段抗药性的保持对甲霜灵没有依赖性.菌株除抗药性提高、游动孢子囊和卵孢子产生能力下降外,其它生物学性状没有发生显著变化.     

一种单基极引出结构的硅晶体管

为研究单基极薄基区晶体管的特性，设计了一种单侧基极引出结构薄基区的晶体管，在p型SOI衬底上全离子注入实现了基区宽度为80nm的npn纵向结构，基区的平均浓度为1e18cm－3．经过版图设计和工艺流片，在2μm实验工艺线上研制了这种器件．基极采用电压输入，Vbe在1.1V附近，跨导和电流增益都达到峰值，小信号电流增益βac(ΔIc/ΔIb)=2.7，小信号跨导gmac(ΔIc/ΔVbe)=0.45mS，且gmac/gm(Ic/Vbe)比βac/β(Ic/Ib)大得多，跨导比电流增益更能准确地描述器件特性，这种器件更倾向于电压控制型器件，特别适用于数字电路的开发和应用．     

磷离子注入诱导InGaAsP／InP双量子阱混合的研究

本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合。注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2。注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒。实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关。大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰。     

带保护环结构的条形X光阵列探测器

研究了带有保护环结构的条形X光阵列探测器,结果表明,保护环的存在不仅降低了表面漏电,而且抑制了耗尽区的侧向扩展.厚度为300μm的探测器样品,切割后的"死区"长度为150μm;环境温度为18℃时,70V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为20nA.