HZSM-5分子筛上2-溴噻吩异构化的催化性能

采用水热法合成了具有MFI结构的不同硅铝比的HZSM-5催化剂,利用X射线衍射仪(XRD),氨的程序升温脱附(NH3-TPD)等手段对催化剂的晶型结构和表面酸性进行了表征。考察了不同硅铝比的HZSM-5对2-溴噻吩异构化为3-溴噻吩的催化性能影响。结果表明,催化剂表面的弱酸中心的量增多有利于2-溴噻吩的转化,而强酸量过多,催化剂的选择性降低。当Si O2/Al2O3=160,反应温度为150℃,催化剂用量为8%,反应时间为2 h时,催化异构化性能最好。此时,反应物的转化率在93%以上,产物选择性达98%。     

Pro/E在立体表面交线求解中的应用

立体表面的交线包括截交线和相贯线,在求解立体表面交线的过程中,利用Pro/E三维仿真功能进行建模,将立体截切和相贯过程进行动态描述,使截交线和相贯线的形成过程十分清楚和直观,解决了截交线和相贯线求解过程中漏线的问题.通过解题时穿插Pro/E建模的方法增加了空间想象能力和创新构思能力,提高了学习效率.     

多点激励下输电塔-导线体系纵向地震反应分析

基于所建立的输电塔-导线体系空间有限元模型,利用非线性时程分析法研究了体系在多点地震输入下的反应特性.首先依据<电力设施抗震设计规范>,在传统的谐波叠加合成算法的基础上,给出了拟合规范反应谱的输电塔-导线体系多点地震动模拟算法.利用生成的人造地震动研究了行波效应、部分相干效应以及局部场地土效应对体系的影响规律,研究结果表明,在所考虑的行波波速下,行波效应对塔的受力有利,但放大了导线的轴力和位移响应;部分相干效应对于塔的受力、导线的轴力和位移响应均不利;局部场地土条件的差异同样会放大塔和导线的响应,随着各塔场地土条件差异变大,响应被强烈的放大了;在实际分析中,应该综合考虑三个因素对结构地震响应的影响,以保证结构体系的安全.     

空心电抗器用低损耗导线探讨

通过对不同结构换位导线的比较和对导线交流电阻的测量与分析,发现了复绞换位导线可以降低空心电抗器高频损耗的特性。     

城市化进程中土地规划利用研究

近年来,我国的城市化呈现加速发展的趋势,城郊土地被征用的范围在不断扩大,相应的矛盾和问题也在不断增加。如何合理对土地规划和利用成为亟需深入探讨的重要现实问题。本文就对城市化进程中土地规划利用相关问题进行了研究,以提高土地利用水平。     

湘东南茶陵地区锡田岩体成因分析

以岩石学、岩石化学以及微量元素地球化学特征和稀土元素地球化学特征为切入点,对锡田岩体的成岩物质来源、成岩构造环境进行分析,并以此为基础探讨锡田岩体的成因.结果表明:锡田主体花岗岩和补体花岗岩均富硅、富碱、高钾、准铝质,稀土总量较高,显示A型花岗岩的特征;其成岩物质主要来源于古老的下地壳物质部分熔融,并有部分幔源物质参与.主体花岗岩形成于印支晚期碰撞环境向板内环境的地壳伸展转换环境,是局部伸展环境下的后碰撞花岗岩;补体花岗岩形成于燕山早期可能与古太平洋板块俯冲消减有关的地壳"伸展-减薄"的板内非造山环境,为板内花岗岩.     

基于光弹调制的原子磁强计中光信号检测方法

在无自旋交换弛豫原子磁强计中,需要检测极小的旋光角度。基于光弹调制器的偏振调制技术由于其较低的噪声和长时间的稳定性在各种检测方法中是优选的。但光弹调制器的输出信号里包含有大量噪声和高次谐波,严重影响了原子磁强计的性能。针对以上问题分析了基于光弹调制器的偏振调制技术的原理和待检测信号的特性,并提出一种基于双通道数字锁相放大器的原子磁强计微弱信号检测方法。该方法简化锁相放大算法,减小电路复杂度,并能准确地同时检测一次谐波和二次谐波的幅值。理论分析和仿真结果表明,该检测系统工作良好,可以准确地检测微弱信号,误差在0.1%以内。     

基于融媒体技术报道全国“两会”的方案设计与实施

2017年的全国“两会”是一场媒体报道盛会.贵州广播电视台为增强报道节目内容的可视性,呈现多样化,丰富节目报道内容,设计了一套基于安全、可靠、稳定又高效的节目制作、信号分发与传输方案,保障了全国“两会”的报道任务顺利完成.     

SMW工法在复杂环境基坑支护中的应用

结合上海某基坑工程具体情况，介绍了基坑支护方案的设计及优化，对支护方案的施工过程进行了详细阐述，提出了具体工序的施工要求，并得出了SMW法在该工程中应用成功的结论，可供类似工程参考。     

铝合金表面微弧氧化涂层制备工艺

用微弧氧化技术对铝合金表面进行强化处理,利用正交试验设计优化试验方案,按五因素四水平得到正交表,合理安排微弧氧化试验,达到优化工艺条件的目的;并用综合平衡法评价各因素对陶瓷膜硬度和厚度影响的主次顺序和最优水平.结果表明:铝合金微弧氧化陶瓷膜的硬度和厚度受各因素水平的影响显著,其中硅酸钠的质量浓度对陶瓷膜硬度和厚度的影响最大;在最优工艺条件下,陶瓷膜致密层硬度达1 700 HV,膜层总厚度达到约200μm.