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1.
为了在紫外光谱烟气分析时从连续的混合气体吸收光谱信号中分离并解算出各气体的浓度,在实验数据的基础上,基于朗伯-比尔定律提出了一种新的循环迭代算法,该算法利用吸光度的叠加性,将数据进行非线性拟合,并利用波长优选和循环迭代,将混合气体的不同成分区分开来.实验结果表明:该方法能够一次同时解算出多种有害气体浓度且精度达±3%,抗干扰能力强,适合工程实际应用.  相似文献   
2.
西川煤矿开采10~#、11~#极近距离煤层,工作面采用联合内错方式布置,通过在下部1105工作面设置观测站测定液压支架工作阻力,分析支架初撑力、工作阻力、末阻力分布特征,探讨ZY4000/18/41型液压支架的适应性。结果表明,由于支架初撑力达标率不高,以一次增阻为主,末阻力非常接近额定工作阻力,多为被动承载的状态,维护成本大。回采过程中,应适当加大1005工作面超前距,防止1105工作面煤壁片帮及支架承压。  相似文献   
3.
MOS功率器件的新成员—MBSIT   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了一种新型MOS控制功率器件-MBSIT,它的制造工艺类似于一个功率MOS的制造工艺,其材料是在n^+衬底上生成n^-外延层。该器件被设计为常开器件,它的阳极电流通路完全被BSIT沟道中的自建电场所夹断,当外加一个正向栅压时,器件可通过阳极电流。该器件具有低的导通电阻,高速和大的导通电流密度,是一种很有发展前任的大电流,高速度,高效率开关器件。  相似文献   
4.
本文简单介绍了800V/10A和1200V/A绝缘栅双极晶体管(IGBT)的研制.重点介绍工艺过程和测试结果.  相似文献   
5.
一、概述: 在合成岗位整个工艺操作中,合成塔触媒温度是最重要的操作指标,因为其它参数的改变最后都要影响触媒温度。如果温度偏离给定值过高,就会使触媒加速老化。而影响触媒寿命。如果温度过低于给定值,则会影响合成效率。触媒层“热点”温度是个有代表性的关键参数,只要把“热点”温度控制好,其它温度点可全部稳定下来。我厂合成塔今年新换了触媒,目前“热点”是第五点,工艺指标定为460±5℃。当然,由于触媒使用时间的增长而逐渐老化,“热点”温度也要适当提高。  相似文献   
6.
本文介绍一种采用5μm硅栅CMOS工艺制造的的集成基准电压源,在-20℃到100℃范围内其输出电压稳定性可达50ppm/℃。它的基本工作原理是建立在对双极晶体管VBE的负温度系数以正温度系数来补偿,从而获得温度稳定的基准电压。  相似文献   
7.
本文用数值方法研究了透明传输下,受激布里渊散射(SBS)对在由分布式掺铒光纤放大器级联的传输线中传输的孤子脉冲的泵功率,孤子平均功率涨落,孤于脉宽以及孤子与孤子间的间隔的影响。结果表明:SBS消耗的泵功率,增大孤子平均功率涨落,使孤子脉宽展宽,并对弧子与孤子间的间隔有较大的影响。  相似文献   
8.
用穆斯堡尔谱学、X射线衍射及电解萃取等实验方法研究了Fe-Ni-Al-Ti半硬磁合金在加工过程中相结构的变化。1050℃淬火态合金为具有体心立方结构的单一的铁磁固溶体,其穆斯堡尔谱为峰形不对称的宽六指峰。第一次冷轧和700℃软化回火后有合金元素自母体脱溶,穆斯堡尔谱上开始出现顺磁峰。再经第二次冷轧和650℃最终回火,穆斯堡尔谱中的顺磁峰明显增高,而六指峰明显变窄,结合X射线衍射分析,可以确定回火时有相当多含铁的NiAl相和Ni_3Al或Ni_3(Al,Ti)相粒子生成。由透射电子显微镜观察,可看到这些细小的颗粒状粒  相似文献   
9.
介绍SYSMAC—C200H PC机在石灰窑上料系统中控制窑气浓度、上料、布料等应用情况,给出了硬、软件设计方案。  相似文献   
10.
本文研究了Fe-Ni-Al-Ti半硬磁合金回火时的磁硬化机理。通过回火过程的X射线衍射、透射电镜结果分析,认为:该合金回火时磁硬化的主要原因是有几种新相析出,而不是由于α→γ反向转变产生的奥氏体;这些析出相包括NiAl、Ni_3Al、Ni_2AlTi等顺磁性的有序相;工艺上广泛采用的650℃回火处理,析出相的尺寸约为0.2~0.5μm,它们在铁磁性基体中的弥散分布,使合金具有最佳的使用磁性能。本工作较我们的前一研究工作[5]更细微和定量。  相似文献   
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