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1.
本文提出了一种基于平衡态的动态比较器失调电压分析设计技术。以两支路电压电流相等的平衡态为分析基础,通过在复位电压跳变时刻引入补偿电压的方法,逐一分析了动态比较器各晶体管参数对总体失调电压的影响,建立了失调电压的数学模型;采用Chartered 0.18um1P6M工艺对Lewis-Gray型动态比较器进行了电路和版图设计,并利用可快速提取失调电压的定步长仿真方法对其失调电压进行了仿真,结果表明所提出的分析方法可以相对准确的估算失调电压。以该分析方法为基础,本文还提出一种基于总体失调电压影响权重的晶体管分组优化方法,在保证总体面积不变的条件下,可将失调电压有效降低50%以上。经流片测试结果表明,本文所提出的分析和优化方法可应用于高速高精度系统中比较器的设计。 相似文献
2.
3.
在研究CMOS数字像素传感器(DPS)噪声特性的基础上,利用脉冲宽度调制(PWM)原理建立了关于PWM DPS完善的系统噪声数学模型。相比于传统CMOS图像传感器噪声研究,该模型考虑了系统中各像素单元积分时间不同和像素级模数转换的特点,推导出总噪声表达式。研究表明,低照度时噪声由暗电流散粒噪声主导,光强大时主要来源为光电二极管散粒噪声。模型中光电二极管散粒噪声与光照无关、暗电流散粒噪声与光照有关。研究结果表明针对PWM DPS系统,适当增大节点电容和比较器参考电压、改善比较器失配可有效降低噪声。 相似文献
4.
Based on the study of noise performance in CMOS digital pixel sensor(DPS),a mathematical model of noise is established with the pulse-width-modulation(PWM) principle.Compared with traditional CMOS image sensors,the integration time is different and A/D conversion is implemented in each PWM DPS pixel.Then,the quantitative calculating formula of system noise is derived.It is found that dark current shot noise is the dominant noise source in low light region while photodiode shot noise becomes significantly important in the bright region. In this model,photodiode shot noise does not vary with luminance,but dark current shot noise does.According to increasing photodiode capacitance and the comparator’s reference voltage or optimizing the mismatch in the comparator,the total noise can be reduced.These results serve as a guideline for the design of PWM DPS. 相似文献
5.
城镇街道景观改造是城镇形象更新的重要手段之一,有大量实践活动但仍缺乏系统的理论指导。笔者通过对广西北部桂林、兴安、恭城、阳朔等几个城镇的考察,结合最近参与的柳州市融水苗族自治县街景改造项目的实践,从街道美学和环境心理学理论角度,总结了一些街景改造的规律和方法,以期对今后街景改造的实践活动有所帮助。 相似文献
6.
应用于CMOS图像传感器的低功耗电容缩减循环ADC 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种应用于CMOS图像传感器的低功耗电容缩减型循环ADC。该ADC在最高有效位(MSB)量化结束后,采样及反馈电容值减为之前的一半,使ADC中开关电容电路的功耗相应减少。同时该ADC在采样阶段应用运放消失调技术,对运放失调电压的敏感度降低。在0.18μm CMOS工艺下应用该结构设计了一个11 bit、833 kS/s的循环ADC。Spectre仿真表明,该ADC的信噪失真比(SNDR)为64.49 dB,无杂散动态范围(SFDR)为68.38 dB,在1.8 V电源电压下的功耗为270μW。与传统结构相比,该ADC的功耗降低了32%。 相似文献
7.
基于CMOS图像传感器应用,针对列并行的单斜模数转换器设计了一种内在精度高、分辨率可调的斜坡发生器IP核.在建立数学模型的基础上,通过改变参考电压实现分辨率在8bits与10bits之间可调.在3.3V电源电压、10MHz采样时钟下,平均功耗为2.288mw;8位分辨率时最大微分非线性和积分非线性分别为0.12LSB和0.32LSB;10位分辨率时微分非线性<0.38LSB,积分非线性<0.54LSB,满足百万像素阵列数据处理要求.整体CMOS图像传感器芯片采用Chartered 0.35 μm CMOS工艺实现,斜坡发生器所占有效面积仅为150×112μm2. 相似文献
8.
CMOS图像传感器中电荷非完全转移的影响分析 总被引:1,自引:1,他引:0
A method to judge complete charger transfer is proposed for a four-transistor CMOS image sensor with a large pixel size.Based on the emission current theory,a qualitative photoresponse model is established to the preliminary prediction.Further analysis of noise for incomplete charge transfer predicts the noise variation.The test pixels were fabricated in a specialized 0.18μm CMOS image sensor process and two different processes of buried N layer implantation are compared.The trend prediction corresponds with the test results,especially as it can distinguish an unobvious incomplete charge transfer.The method helps us judge whether the charge transfer time satisfies the requirements of the readout circuit for the given process especially for pixels of a large size. 相似文献
9.
10.