浅析三种数控落地式铣镗床滑枕平衡补偿装置

介绍三种数控落地式铣镗床滑枕平衡补偿装置,解决滑枕低头的问题。     

多壁碳纳米管水基纳米流体重力热管传热特性数值模拟

为揭示多壁碳纳米管水基纳米流体应用在重力热管中的传热特性,基于多相流模型(VOF)建立其重力热管数值模型,并将数值结果与实验数据进行对比验证。以热阻作为性能评价指标,改变加热功率和充液率,讨论二者对热管换热性能的具体影响。通过添加传热传质源项来编写用户自定义函数(UDF)完成内部流体蒸发冷凝过程中的相变模拟。模拟结果表明:该数值模型能够较好模拟多壁碳纳米管水基纳米流体应用重力热管内部复杂的流动与传热过程;在选定的加热功率及充液率参数范围内,该重力热管的整体热阻随蒸发段加热功率的增大而减小,随充液率的增大而增大。     

磷酸三丁酯从盐湖卤水中萃取锂的机理研究

以磷酸三丁酯（TBP）为萃取剂,磺化煤油为稀释剂,在六水合三氯化铁存在的条件下,从盐湖卤水中萃取锂。研究了TBP浓度对萃取率的影响,得到TBP最佳浓度为80%TBP+20%磺化煤油。通过斜率法、化学分析法、紫外光谱与红外光谱法,证实了锂离子（Li+）在溶液中与铁络阴离子（FeCl4-）形成铁氯络酸盐（LiFeCl4）,LiFeCl4与TBＰ中的PO键作用配位形成二溶剂化物LiFeCl4·2TBP,从而达到与其他组分分离的目的。利用空腔理论阐述了萃取过程。     

用贝壳制备苹果酸钙的研究

从保护环境的角度出发,探索了以废弃贝壳为原料制备苹果酸钙的工艺条件.讨论了一次煅烧法和两次烧法对中间产物氧化钙含量的影响,并利用正交实验,确定了制备苹果酸钙的最佳条件,即,0.50 g的煅烧产物加入20 mL的水,3.0 mL 4.0 mol/L的苹果酸,反应温度为50℃.在该条件下制备的苹果酸钙的产率为:84.04%;纯度为:97.08%.     

我国硫酸盐型盐湖钾镁锂资源的分析工艺以及与犹他州合作领域的探讨

详细地阐述了我国盐湖尤其硫酸盐型盐湖资源的分布特征;客观评述了我国盐湖钾、镁、锂资源的开发工艺现状;最后简单介绍了我国与美国犹他州未来在盐湖钾、镁、锂资源开发利用方面的合作方向。     

我国硫酸盐型盐湖钾镁锂资源的分析工艺以及与犹他州合作领域的探讨

详细地阐述了我国盐湖尤其硫酸盐型盐湖资源的分布特征;客观评述了我国盐湖钾、镁、锂资源的开发工艺现状;最后简单介绍了我国与美国犹他州未来在盐湖钾、镁、锂资源开发利用方面的合作方向。     

用贝壳制备苹果酸钙的技术经济分析

从保护环境和节约能源的角度出发,探索了以废弃贝壳为原料制备苹果酸钙的工艺条件,得到了贝壳一次煅烧制得苹果酸钙的产率为85.65%,纯度为94.90%;贝壳双烧制得苹果酸钙产率为84.04%,纯度为97.08%。讨论了一次煅烧法和双烧法对产品产率和纯度的影响,从技术经济角度分析了贝壳一次煅烧和双烧制备苹果酸钙的优缺点,一次煅烧比较节能,但产品纯度不如双烧高。     

α-Fe的磁性转变与β-Fe的身世之谜

你知道铁的磁性是怎样产生的吗?你知道铁的磁性又是如何发生转变的吗?钢铁和人类一样,也有家族,更有秘密。关于钢铁你是否了解过它的秘密呢?文章针对现在公认的铁-渗碳体二元合金平衡相图中没有β-Fe存在的现象进行了阐述,证实β-Fe与α-Fe有着相同的晶体结构,β-Fe与α-Fe之间的主要差别是磁性转变,并用居里温度成功地解释了α-Fe向β-Fe的磁性转变问题。     

磷酸三丁酯萃取体系从盐湖卤水提取锂

选取磷酸三丁酯（TBP）为萃取剂,磺化煤油为稀释剂,氯化铁（FeCl₃•6H₂O）为共萃取剂从盐湖提钾老卤萃取锂。考察了不同因素对萃取率的影响,结果发现,相比（O/A）对萃取率的影响最大,铁锂物质的量比次之,TBP含量（体积分数）影响最小;由单因素实验及正交实验的研究分析得出萃取锂的最优工艺条件：φ（TBP）=80%、相比（O/A）为2.0、n(Fe)∶n(Li)=1.5、c(H⁺)=0.05 mol/L、振荡时间为5 min;该工艺萃取效率高,单级萃取率可达91.4%,且具有良好的稳定性和重现性,可为工业扩大化生产提供可靠的参考依据。     

关于石墨烯上Ge/Au/Ni/Au欧姆接触的对比研究

Superior graphene-metal contacts can improve the performance of graphene devices. We report on an experimental demonstration of Ge/Au/Ni/Au-based ohmic contact on graphene. The transfer length method （TLM） is adopted to measure the resistivity of graphene-metal contacts. We designed a process flow, which can avoid residual photoresist at the interface of metal and graphene. Additionally, rapid thermal annealing （RTA） at different temperatures as a post-processing method is studied to improve graphene-metal contact. The results reveal that the contact resistivity of graphene and Ge/Au/Ni/Au can reach 10^-5 Ω· cm^2 after RTA, and that 350 ℃ is optimum annealing temperature for the contact of graphene-Ge/Au/Ni/Au. This paper provides guidance for fabrication and applications of graphene devices.