CAD网络系统集成技术在工程设计中的应用

ＣＡＤ网络系统集成技术在工程设计中的应用杜莲芝徐英乔（中国建筑科学研究院电子计算中心）１ＣＡＤ网络系统集成技术概述ＣＡＤ网络系统集成技术，在工程设计中采用了“多任务分布式处理微机局域网”，其设计思想先进，实用性强，扩充性好，便于将来的技术升级并能适合...     

微型机的兼容性

<正> 目前国内外微型机市场上机型繁杂。用户在选购微型机时,往往要对厂家的产品质量,价格,软件,兼容程度及服务响应速度等因素进行综合分析与比较。我国现今使用得最多的微型机机型是IBM PC,PC XT机及其它们的兼容机。有些采用Intel 8086,80186,80286芯片作为中央处理机的兼容机,它们的性能往往     

中文听写输入系统——全新的非键盘输入新概念

1概述键盘操作不熟悉，普通话不标准，这些都会使您面对文字录入工作束手无策。中文听写输入系统为您解决汉字输入上的难题。它突破了传统的汉字键盘输入方法，使语音输入、智能笔达到了实用化的水平。该系统是汉王公司的手写识别输入系统与IBMViaVoice普通话连续语音识别技术的集成，可以同时用于听写和手写的“语音～手写”文字处理器。二者结合将使用者的语音或手写信息转化为相应的文本记入文档，可以说该系统是一个既能满足速度又能保证准确性的稍加学习就会的、自然简便、快捷的非键盘汉字输入的解决方案。2中文听写输入系统的特点1…     

工程设计CAD网络系统集成技术

本文介绍一个已进行推广应用的建筑业工程设计CAD网络系统的集成技术。内容包括系统需求分析和不同的设计方案。     

采用浮动栅单管单元的8192位电改写ROM

本文介绍一种采用双层n沟道多晶硅栅工艺的全译码(与TTL相容)电改写8K位MOS ROM。存储单元由叠栅结构的单管组成,其浮动栅只盖住沟道的一部分,并扩展到沟道外的源扩散区的清除复盖层上。通过热电子从短沟道(3.5μm)注入到浮动栅来编码,典型的为100ms/字。通过电子从浮动栅的Fowler-Nordheim 发射完成成组清除。在清除期间,为了避免雪崩击穿电流过大,在清除复盖层加了40nm～50nm 的氧化层并采用了斜坡电压。存储器在读、编码和清除操作中用标准电压(±5V,+12V),编码用一个高压单脉冲(+26V),斜坡清除电压最大值为+35V。典型的读出时间为250ns。从存储实验数据外推法(Extrapolation of storage data)(在125℃,400小时)可以予示,90%以上的存储电荷可望保持100年以上。每个存储单元允许写入次数在10000次以上。面积为19.7mm~2的芯片装在24引线双列直插式封装中。     

UV-EPROM的测试与分析

本文介绍了UV-EPROM 2708这类器件的工作原理,概述了测试装置,并对测试结果进行了较深入的分析。本装置可以测试器件的各种主要的直流参数及动态特性。为了研究地址变化及写入图案与输出噪音的关系,装置中增设了伪随机地址发生器和图形发生器。另外本装置采取了措施,实现了固定地址写入。本文对测试结果的分析和研究对了解器件中各组成部分的工作状况,存贮单元的写入特性等提供了材料,补充了国内现有资料的不足。     

工程设计CAD网络技术

一、微机CAD系统使用的新水平近年来，计算机辅助工程设计技术在全国设计单位得以普及和发展，许多设计单位已做到人手一台高档CAD微机工作站。计算机已成为工程设计中不可缺少的帮手和工具。“甩掉图板，其绘明天”，已不再是口号，正逐步成为现实。工程设计越来越依赖于计算机，广大的计算机软硬件工作者正在继续为工程设计人员提供越来越丰富实用的软件和硬件产品。一个单位可以为每个工作人员提供一台计算机，但不可能为他（她）提供一套完整的价格昂贵的输入和输出设备和一个装有所有软件和数据的资源库。应用软件的加密锁更是各设…     

建筑工程图档管理系统BEM—D

建筑业工程图纸的保存和管理，长期以来一直是困扰建筑设计单位的棘手问题，设计院每年可以生产出几千甚至几万张图纸，而可供保存这些图纸的场地和人员却相对有限。同时，图纸经过长年保存后，难免会发黄，变脆，字迹模糊不清，甚至是发霉或虫蛀，这对于我们的工作无疑是一种巨大的损失。近年来，随着CAD系统在建筑业的推广和应用，大量的工程图纸已经是在计算机的CAD平台上绘制完成的，也就是说，我们最终所得到的是计算机矢量文件（dwg文件）而不再是手工绘制的底图。在这种情况下，过去的以图库和密集架为主体的手工图档管理方式已经…     

一种称为SIMOS的新型n沟道单管EAROM单元技术

本文描述一种新的非易失性电荷存储器件的结构和工艺。叠栅注入MOS(SIMOS)器件是一种控制栅叠在浮动栅上的n沟道MOS晶体管。在编制程序方式中,用沟道漂移电场加速电子使其能量大到足以克服Si-SiO_2界面的势垒高度,电子就注入到浮动栅。由于程序编制用沟道注入机构来完成,故要求沟道长度小于4μm。用自对准工艺能把这个条件同叠栅概念结合起来,自对准工艺用一道光刻工序确定两个多晶硅栅。用自对准工艺可以实现单管的EPROM单元和单管的EAROM单元。二种不同型式的单管存储单元的基本结构分别为SIMOS晶体管和SIMOS四极管。本文详细地描述了这二种不同的SIMOS器件的工艺并报导了有关电荷积累、清除及电荷保持的实验结果。