用于汽车控制系统的a-Si:H薄膜温度传感器

本文介绍了一种成本低廉、灵敏度高的新型氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜温度传感器的工作原理、样品结构和制备方法。同时还报导了作者对这种传感器研制的初步结果。     

Al/a-Si:H肖特基势垒效应

利用辉光放电分解SiH_4的方法制备了三种不同的Al/a-Si:H肖特基势垒结构样品,并测试了它们的I-V和C-V特性.从I-V曲线得到开启电压为0.32V,双肖特基结构的高频C-V特性显示出在高偏压下异常.     

引入a—Si：H材料的氮化硅芯片电容

本文研制了两种引入a-Si:H材料的氮化硅芯片电容,其一是作为辅助介质引入的,其二是为了改善Si/Si2N4界面而引入的,文章报导了这两种电容的研制工艺及样品的各种性能,其结构表明,这类电容有希望应用于厚薄膜集成电路.     

α-Si:H薄膜的制备及掺杂样品电导率

本文介绍了运用辉光分解硅烷法制备a-Si:H薄膜的基本原理、设备及工艺,采用不同的工艺条件制备了一系列不同的掺杂和本征a-Si:H薄膜,对掺杂样品的电导率进行了检测.结果表明,掺杂显著地提高了材料的电导率.