高温处理对ZnO薄膜及其忆阻性能的影响

本文研究了高温处理对ZnO薄膜及其忆阻效应的影响,发现利用经800℃高温处理后的ZnO薄膜制备的Cu/ZnO/Pt器件依然保持忆阻性能,并观察到无电形成过程的忆阻效应。研究表明,无电形成过程的原因在于高温处理后的ZnO薄膜出现了纳米级通道,使得在沉积顶电极Cu的过程中,形成天然的导电通道,使器件呈现低阻态。     

直流平面电磁泵流槽结构的实验研究

目的 研究直流平面电磁泵流槽结构与静压头的关系和相对效率。方法 在以水银为传输介质的模拟直流平面电磁泵上进行实验,测量不同流槽结构在相同工作参数下天然坟头的大小,并以理论计算值为１００％的效率,计算了不同流槽结构的相对效率。结果 不同结构的流槽,在相同工作参数下产生的静压头不同,相对效率有很大的差别。结论电磁泵的流槽结构对电磁泵的压头及相对效率有显著影响,抑制工作电流的漫流,优化电力线赆 可能减小     

关于2-D温度场计算的有限元法分析

目的　分析有限元法实现 2 -D温度场计算的一般规则及程序编制技巧 .方法　根据理论分析及实例 ,计算验证上述规则及技巧的正确性及在程序设计中的可行性 .结果　单元、单元节点的编号以及单元网格的形状对 2 -D温度场计算结果的精确度有很大的影响 ;而程序设计的技巧直接关系到计算能否顺利进行 .结论　遵循 2 -D有限元分析的一般原则加上适当的编程技巧 ,可顺利并精确地完成 2 -D温度场的计算     

基于全局二值特征描述子的三维CBCT图像快速匹配算法

三维图像拼接是通过锥束CT(CBCT)获取大尺寸物体完整的高分辨率三维图像过程中的关键技术之一,成为目前三维图像处理的一个新的研究方向.针对基于特征点的三维CBCT图像拼接技术中相似特征匹配正确率低、匹配过程耗时长的问题,提出一种基于全局二值特征描述子的三维CBCT图像快速匹配算法.首先对二值特征描述子BRIEF进行三维拓展,以适应三维图像;在此基础上加入全局描述子,增强特征描述子的独特性;在特征点匹配时,根据上述特征描述子的特点设计由粗到精的匹配策略,提高特征匹配正确率和效率.实验结果表明,该算法简单有效,可以在大量相似特征条件下提高特征点匹配的正确率,同时也显著提升了匹配速度.     

基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件

本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能。ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为。在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时刻依赖可塑性学习规则。ZnO突触器件实现了超低能耗操作,单次突触行为能耗最低为1.6pJ,表明其可以用来构筑未来的人工神经网络硬件系统,最终开发出与人脑结构类似的认知型计算机以及类人机器人。     

低温制备N-Fe共掺杂TiO_2-SiO_2可见光催化复合薄膜北大核心CSCD

采用溶胶-凝胶结合低温(<100℃)热水后处理法,在塑料衬底上制得N-Fe共掺杂锐钛矿TiO_2-SiO_2复合薄膜。采用多种技术手段对薄膜样品进行了表征,并考察了薄膜样品在可见光下对罗丹明B的降解能力。研究结果表明,有机衬底上形成了锐钛矿TiO_2纳米晶弥散分布的复合薄膜,薄膜具有较高的可见光催化效率,150min后对罗丹明B的降解效率达到77.4%,其中矿化率达61%。     

化学浴沉积过程中的氧化锌微米棒与纳米棒研究

采用化学浴沉积法在氧化锌种子层上制备了整齐有序且具有c轴取向的氧化锌纳米棒,同时还出现了自由分布的微米棒,其生长速度高于纳米棒,且生长模式符合扩散控制"Ostwald熟化"机制,但纳米棒生长过程的影响因素除扩散过程外还有形核密度、生长界面的反应动力学等.并研究了氧化锌纳米棒的微观结构和光学性质.     

LF炉精炼过程钢液温度预报及控制

LF炉精炼过程钢液温度预报及控制是炼钢工艺过程优化的主要内容,它不但影响能否为连铸提供温度合格的钢液,能否实现节奏调整及多炉连浇,而且对整个炼钢过程的节能降耗以及现场的操作影响很大。通过LF炉精炼过程钢液温度预报及控制研究,建立LF炉升温期钢液目标温度数学模型,给出LF炉热效率公式及确定损失能量的方法,将供电制度与钢液温度控制结合在一起,给出LF炉精炼过程供电原则。其研究结果有利于进一步强化LF炉精炼过程,增加LF炉对电炉-连铸流程节奏的调节能力,实现多炉连浇及高效节能。     

氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响

本文研究了氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响,发现等离子体处理可以使薄膜表面平整,并且增加薄膜中的缺陷浓度。以等离子体处理后的ZnO薄膜作为介质层,在Pt/ZnO/Pt三明治结构中观察到无电形成过程的阻变效应。本文研究表明,氩等离子体处理是消除氧化物阻变效应电形成过程的有效手段。     

p型氧化镍薄膜晶体管的微流控法制备研究

可以图形化和沉积同时进行的镀膜技术可有效简化器件制备流程, 从而降低成本。本工作研究了一种新型的图形化沉积镀膜技术-微流控法: 将宽度及间隔均为80 μm、沟槽深度为2 μm左右的PDMS模板与衬底贴合构筑微流通道, 毛细力作用下前驱液可在微流通道内流动, 并在衬底表面形成图形化的液膜, 最后经热处理完成图行化的薄膜沉积。此外, 分析了硝酸镍/2-甲氧基乙醇前驱体的热分解过程和不同温度退火下前驱体粉末的相结构演化规律。最终利用微流控法图形化沉积技术制备了图形化的氧化镍沟道, 并构筑了薄膜晶体管器件。优化后的薄膜晶体管表现出典型的p型特征, 场效应迁移率可达0.8 cm²·V^-1·s^-1。