对硅器件工艺诱生热缺陷的一种无损检测技术——XCD-H红外电视测微显微镜的应用研究

对半导体硅及其器件芯片中的诱生热缺陷,用XCD-H红外电视显微镜进行了无损检测.通过显微拍照和磁带录相,获得了电活性位错与堆垛层错微区金属杂质富集以及氧沉淀环状活性团等清晰的红外透视图象.结果表明,该种红外透视的系统能够提供相当重要的信息,因而将对器件工艺的质量分析,进一步提高芯片的内在质量产生有益的影响.     

对国外IC芯片多层薄膜的简易检测技术

本文介绍一种简易有效的、能够在生产工序上即时检测多层薄膜厚度及其折射率的方法,即小角度“镜面磨角与干涉显微镜”观测法.只要使用国产6JA型干涉显微镜(上海光学仪器厂).就可以把芯片样品上多层钝化膜的厚度、折射率等同时地快速测定.若是用来剖析国外的有关器件,能够对芯片上的各种钝化膜进行鉴别,可以区分出常规SiO_2膜和优     

掺氮GaP晶片室温紫外光致荧光特性的研究

用紫外光致荧光法可以检测出ＧａＰ∶Ｎ液相外延晶片的室温ＰＬ谱和ＰＬＥ谱，同时还能观测到可引起绿色发光效率下降的Ｆｅ、Ｃｕ和Ｃｒ杂质沾污的荧光谱。本文介绍了ＧａＰ∶Ｎ晶片的ＰＬ特性的多峰结构及其与Ｎ和Ｎ－Ｎ对等电子中心激子复合发光的对应关系。     

LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究

介绍了绿色，红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光和蓝光激发方式，在室温下，有效地观测了ＬＥＤ－ＧａＰ：Ｎ的多峰ＰＬ谱。根据对上述两种发光ＧａＰ外延晶片的相对光强与金属杂质Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉ和Ｃｒ紫外荧光谱的实测数据的相关性，讨论了ＬＥＤ－ＧａＰ外延晶片的工艺质量优化和洁净度的问题。     

硅平面器件内部结构问题的显微考察与精密测量技术

众所周知,在本世纪六十年代初期,半导体平面工艺的出现,引起了半导体技术的重大变革,使得一些新型的半导体器件迅速发展。从此,平面工艺也就成为目前广泛使用的各种硅平面晶体管、半导体集成电路、特别是大规模集成电路研制生产和发展的技术基础。近二十年来,它已发展成了制造半导体器件、特别是制造各种微波晶体管和集     

多孔硅中两种不同的光致发光谱

采用连续变化的单色光作为激发光源，测量了多孔硅的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＬＰＥ）谱．结果表明，多孔硅存在两种不同的ＰＬ谱．一种是人们通常观察到的ＰＬ谱，其峰位可随多孔硅量子尺寸的变小以及激发光波长（λｅｘ）的变短而蓝移，我们称其力量子限制型光致发光（ＱＰＬ）谱．另一种是其峰位波长处于蓝紫光范围且峰位基本上不随多孔硅的量子尺寸和λｅｘ而变化的ＰＬ谱，我们称其为非量子限制型光致发光（ＮＱＰＬ）谱．多孔硅还存在与ＰＬ谱相对应的两种不同的ＰＬＥ谱．与ＱＰＬ谱对应的ＰＬＥ谱是双峰谱，与ＮＱＰＬ谱对应的ＰＬ     

露天矿山危险源及安全管理措施

叙述了宁化行洛坑露天矿山的环境条件和存在的危险因素,提出相应的安全管理措施,提高了矿山的安全管理水平,供矿山安全管理人员借鉴。     

一种消除硅器件热氧化缺陷的简易方法

硅器件工艺的高温热氧化,将在芯片表面产生氧化缺陷。本文观测了高温氮气退火对二次缺陷的消除作用,采用了初次热氧化后接着通干氮高温退火的方法,能够有效地改善芯片的PN结击穿特性,减少表面漏电流。文中给出了显微分析的照片。