金属表面纳米复合抗磨防腐保护技术的研究进展

综述了金属抗磨减摩与腐蚀防护方法的关系与进展,阐述了纳米复合自修复材料对提高金属的耐磨性、防腐性及表面保护效应的主要类型,最后提出了优化金属保护材料体系及延长金属使役特性的方案。     

导向钻进铺管法在西安燃气建设中的应用

本文结合实际施工案例，介绍了非开挖导向钻进铺管法技术工艺，及其施工的优越性和先进性，客观提出非开挖导向钻进铺管法在施工中存在问题。分析了非开挖导向钻进铺管法在西安燃气建设中的重要作用。随着施工文明意识的增强，以及非开挖技术不断进步，我国必将掀起非开挖导向钻进铺管法的热潮。     

基于SCE-PSO的无线传感器网络节点三维定位方法

目前,无线传感器网络节点定位算法的研究主要集中在二维空间,对三维定位算法的研究较少。如果将现有的二维定位算法扩展到三维,一些算法很难扩展,另外一些算法虽然可以扩展,但扩展后由于维数的增加,计算复杂度太大。为此,结合粒子群算法PSO(Particle Swarm Optimization)和混合复杂进化算法SCE-UA(Shuffled Complex Evolution-University of Arizona)的优点,提出了两个无线传感器网络节点三维定位算法SCE-PSO1和SCE-PSO2。这两个算法保持了PSO算法收敛速度快,受问题维数影响小的优点,同时采用了SCE-UA算法中的洗牌策略,增加了粒子的多样性,改善了PSO算法中的早熟现象,提高了节点定位精度。两个算法的不同在于粒子的速度更新公式,与SCE-PSO1算法相比,SCE-PSO2算法中粒子的速度更新公式增加了各复合形之间的信息共享,因此,SCE-PSO2算法的性能要优于SCE-PSO1算法。仿真分析证明,与原始的PSO算法和SCE-UA算法相比,SCE-PSO1和SCE-PSO2算法具有更高的定位精度。     

四氢咪唑苯二氮卓酮类抗艾滋病药物定量构效关系的研究

采用三维全息原子场作用矢量(3D-HoVAIF)研究89个四氢咪唑苯二氮卓酮(TIBO)类抗艾滋病药物的定量构效关系(QSAR).分别运用偏最小二乘回归、人工神经网络建模,同时采用内部及外部双重验证的办法深入分析和检验模型的稳定性.PLS与ANN建模的复相关系数(R2cum)、留一法(leave-one-out,LOO)交互校验(cross-validation,CV)复相关系数(Q2CV)和外部样本校验复相关系数(Q2ext),分别为0.802、0.710、0.552和0.871、0.864、0.760.表明用3D-HoVAIF表征TIBO类抗艾滋病药物分子结构信息较好,建立QSAR模型的稳定性和预测能力良好,运用ANN建模优于PLS及前人报道的多元线性回归(multiple linear regression,MLR).     

5GHz0.18μm CMOS宽带LC VCO

采用0.18μm RF CMOS工艺,设计了一个5GHz的宽带电感电容压控振荡器。该压控振荡器的电路结构选用互补交叉耦合型,采用噪声滤波技术降低相位噪声,并采用开关电容阵列扩展其调谐范围。后仿真结果表明,实现了4.44～5.44GHz的宽调谐。振荡器的电源电压为1.8V,工作电流为2.78mA,版图面积为0.37mm2。     

水刺加固对膜裂PTFE基布损伤性的影响

将水溶性维纶纤网和膜裂PTFE基布复合进行水刺,利用水溶性维纶在水中可溶解的性能去除表层维纶纤网,使膜裂PTFE基布从试样中分离出来,通过测试PTFE基布的强力来获取水刺后基布的损伤情况,观察水刺后基布的表观形态,并与水刺对熔纺PTFE基布的损伤和针刺加固工艺对PTFE基布的损伤进行比较。试验表明:随着水刺压力增大,膜裂PTFE基布强力损失率迅速增大,损伤以纬纱为主;表层纤网中纤维横向排列有助于降低水刺对基布的损伤;在相同水刺工艺参数下,水刺对纤维为长方形截面的膜裂PTFE基布的损伤比对纤维为圆形截面的熔纺PTFE基布的损伤大;针刺加固工艺比水刺加固工艺对膜裂PTFE基布的损伤小。     

纳米SiO2复合润滑脂流体的触变效应

以10~50 nm SiO₂制备了分别以二甲基硅油、NBR硅油以及PAO-40为基础油的复合润滑脂,考察了其流变与触变性。采用Casson模型,拟合所得到的复合润滑脂流变曲线表明,纳米SiO₂的比表面积越小,所制备的复合润滑脂的屈服应力和表观黏度越大。比表面积大的纳米SiO₂制备的复合润滑脂易形成均相非触变流体,升高温度将会显著诱导负触变环的产生,从而降低润滑脂稳定性。在高剪切速率时,在3种制备的复合润滑脂中,纳米SiO₂-二甲基硅油复合润滑脂的黏温性能最佳。这种复合润滑脂独特的触变效应是由其内部SiO₂纳米粒子絮状微结构和黏滞运动所造成。     

2.488 Gbit/s时钟数据恢复电路的设计

利用Cadence集成电路设计软件,基于SMIC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺,设计了一款2.488 Gbit/s三阶电荷泵锁相环型时钟数据恢复(CDR)电路.该CDR电路采用双环路结构实现,为了增加整个环路的捕获范围及减少锁定时间,在锁相环(PLL)的基础上增加了一个带参考时钟的辅助锁频环,由锁定检测环路实时监控频率误差实现双环路的切换.整个电路由鉴相器、鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器和压控振荡器组成.后仿真结果表明,系统电源电压为1.8V,在2.488 Gbit/s速率的非归零(NRZ)码输入数据下,恢复数据的抖动峰值为14.6 ps,锁定时间为1.5μs,功耗为60 mW,核心版图面积为566 μm×448μm.     

一种高性能全差分双环路VCO的设计

设计了一种基于SMIC 0.18μm RF 1P6MCMOS工艺的高性能全差分环形压控振荡器(ring-VCO),采用双环连接方式,并运用交叉耦合正反馈来提高性能。在1.8V电源电压下对电路进行仿真,结果表明:1)中心频率为500MHz的环形VCO频率调谐范围为341～658MHz,增益最大值Kvco为-278.8MHz/V,谐振在500MHz下VCO的相位噪声为-104dBc/Hz@1MHz,功耗为22mW;2)中心频率为2.5GHz的环形VCO频率调谐范围为2.27～2.79GHz,增益最大值Kvco为-514.6MHz/V,谐振在2.5GHz下VCO的相位噪声为-98dBc/Hz@1MHz,功耗为32mW。该VCO适用于低压电路、高精度锁相环等。     

常减压装置塔顶挥发线、缓蚀剂管线结垢分析

2014年10月玉炼常减压装置缓蚀剂管线出现结垢现象,通过初顶挥发线温度监测表明挥发线内也存在局部结垢。本文以玉门炼化常减压装置为例分析了常减压装置塔顶挥发线及缓蚀剂管线结垢现象和结垢原因,从塔顶注水和配剂工艺上介绍了结垢原因,以及操作环境下各因素对结垢速率的影响,并提出了相应的解决措施。