MoS_2薄膜电子性质随层数变化的理论研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了体相和1-10层3R-MoS_2的几何结构和电子结构。计算获得了体相3R-MoS_2的几何结构参数,与实验值相一致,表明了计算方法和参数设置的可靠性。随后,分别计算了1-10层3R-MoS_2的几何结构和电子性质。可以看到,优化后的结构参数c随层数增加而线性增加;计算得到的带隙值随着层数的增加而呈现出减小趋势,并趋于稳定值。     

非均匀磁场下磁流体形态的研究

本文首先分析了磁丘形成的原因及其影响因素,然后采用控制变量法研究了在不同磁场强度和不同作用距离下磁丘的数目及高度,最后得到了磁场强度与磁丘形态的变化关系,为在非均匀磁场下研究磁丘的形态提供了依据。