MC68122集群终端控制器(CTC)

MC68122集群终端控制器减少了主MPU 与诸如终端和行打等进行通讯操作所消耗的时间。CTC 执行操作需要处理字符串,并为异步通讯及兼容元器件之间的通讯提供了合适的控制功能。CTC 容易支持 MC     

DJS061—1微型计算机使用的MOS电路工艺报告

1978年初,我所开始研制以构成微处理机芯片为主的 MOS 大规模集成电路,主要任务为仿美莫托洛拉公司的 M6800即我国 DJS-06系列。根据当时国内半导体基础材料的现状,考虑到我所工艺水平及现有条件,结合对 MC6800微处理机 GPU 的解剖分析,确定 DJS-061微型机采用三电源供电,整机由分片电路构成。     

垂直MOS功率器件的结构设计

本文以理论分析为依据,对垂直导电型功率器件,即 VDMOS 晶体管的结构进行优化设计。特别对高压器件的元胞形状、尺寸、导通电阻、终端保护结构、工艺参数等进行了合理设计,并在工艺上验证了400~V-2~A 及600~V-5~A 两种器件的设计。对工艺流程中出现的问题亦进行了相应的分析解决,获得合格的样品及一套完整的 VDMOS晶体管的设计方法     

测定钢中氢的新型仪

钢内许多类型的缺陷直接或间接归因于氢,在有些情况下,氢为唯一的因素,在其它情况下氢为因素之一。与氢有关的主要缺陷是发裂和多孔,后者尤其容易在钢铸件中产生。到1964年,定氢采用易碎而往往又是     

DJS-062微型机用接口电路PIA研制报告

前言每种微型机都有一系列用于简化MPU和外设接口的支持电路,其作用为承担MPU和外设之间的控制,状态信号和数据信号的转移。为我所研制的DJS-062微型机而设计的并行同步接口适配器(PIA),是062机电路系列的一个品种,是外围设备与062微型机     

SOI技术进入工业开发时代

本文叙述了SOI衬底材料的加工和检测技术，特别着重介绍了已取得惊人进展的SIMOX（separationbyimplantationofoxygen）和BESOI（BondingandetchbackSOI）技术。论述了SOI衬底在抗辐射电路、ULSI、高温器件、双极和BICMOS器件、微波器件、高电压及功率器件、智能传感器、光电子器件的应用。最后讨论了SOI衬底材料和器件在工业开发阶段存在的问题，并展望SOI技术的前景。     

CMOS工艺节省单电源可按PROM功耗

可按可编程序唯读存贮器作为一种不挥发暂存介质很快的找到了它的适当地位。用 N 沟或 P 沟金属氧化物半导体技术制成的这种器件,在以微处理机为基础的样机中使用良好。为提高它在编制程序中的用途,并且将它扩展到很少的生产体系中去,下一步设计就是把这些单沟边浮栅可按 PROM 改进成易于使用功耗低仅需单一电源的互补 mas 部件。