光电材料多孔硅的多孔度理论计算方程

在制备多孔硅材料时 ,多孔硅的多孔度和厚度与电解电流强度、电解时间以及氢氟酸的浓度有关 .如果氢氟酸的浓度保持不变 ,通过改变电解时间和电解电流强度就可以得到所需多孔硅的多孔度及厚度 .但现在一般都通过测量设备来重复测量多孔硅的多孔度及厚度 ,特别是多层多孔硅 ,很难严格控制其厚度 .为此 ,通过对多孔硅中载流子运动的研究 ,结合 BET方程中的 SBET定义 ,推导出多孔硅的多孔度、电解速度和电解电流强度之间的关系表达式 .通过该理论公式 ,就可以保证精确得到多孔硅的多孔度及厚度 .该理论公式得到了实验的验证     

光电材料多孔硅的多孔度理论计算方程

在制备多孔硅材料时,多孔硅的多孔度和厚度与电解电流强度、电解时间以及氢氟酸的浓度有关.如果氢氟酸的浓度保持不变,通过改变电解时间和电解电流强度就可以得到所需多孔硅的多孔度及厚度.但现在一般都通过测量设备来重复测量多孔硅的多孔度及厚度,特别是多层多孔硅,很难严格控制其厚度.为此,通过对多孔硅中载流子运动的研究,结合BET方程中的SBET定义,推导出多孔硅的多孔度、电解速度和电解电流强度之间的关系表达式.通过该理论公式,就可以保证精确得到多孔硅的多孔度及厚度.该理论公式得到了实验的验证.     

Holmium-doped Porous Silicon Prepared by a New Electrochemical Approach and Its Photoluminescence

Ｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ（ＰＳ）ｗａｓｆｏｕｎｄｔｏｅｍｉｔｖｉｓｉｂｌｅｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｂｙＣａｎｈａｍｉｎ１９９０［１］．Ｔｈｉｓｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎｉｍｐｌｉｅｄａｐｏｔｅｎｔｉａｌａｐｐｌｉｃａｔｉ...     

Characterization of Superfine Sr2CeO4 Powder Prepared by Microemulsion-Heating Method

Powder phosphor of Sr2CeO4 is prepared by microemulsion-heating method and a film of the phosphor on ITO glass is formed by electrophoretic deposition. Field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) images show that the powder fired at 850 ℃ for 4 h has a spherical shape with an average diameter of 70 ～ 80 nm whereas the powder sintered at 900 ℃ for 4 h and 1000 ℃ for 4 h have shuttle-like and spherical shapes, respectively, with both sizes less than 1 μm.X-ray diffraction (XRD) patterns indicate that the superfine Sr2CeO4 exhibits an orthorhombic crystal structure. Roomtemperature photoluminescence (PL) measurements show that there are three excitation peaks located at around 262, 280and 341 nm, and all the Sr2CeO4 samples display an intense blue emission at 470 nm with CIE coordinate of (x, y) =(0.176, 0.283). The quantum yield of phosphor is high up to 0.47 ± 0.04. Compared with Sr2CeO4 samples prepared with traditional high-temperature heating, the phosphor synthesized with this method has a smaller size, lower calcination temperature, and shorter calcination time, and the main excitation and emission bands are blue shifted about 30 and 12 nm respectively. The startup voltage for Sr2CeO4 film on ITO glass shifts from 2700 to 4000 V with increasing thickness of the film.     

基于非参数核密度估计的密度峰值聚类算法*

针对密度峰值聚类算法CFSFDP(Clustering by fast search and find of density peaks)计算密度时人为判断截断距离和人工截取簇类中心的缺陷,提出了一种基于非参数核密度估计的密度峰值的聚类算法。首先,应用非参数核密度估计方法计算数据点的局部密度;其次,根据排序图采用簇中心点自动选择策略确定潜在簇类中心点,将其余数据点归并到相应的簇类中心;最后,依据簇类间的合并准则,对邻近相似子簇进行合并,并根据边界密度识别噪声点,得到聚类结果。在人工测试数据集和UCI真实数据集上的实验表明,新算法较之原CFSFDP算法,不仅有效避免了人为判断截断距离和截取簇类中心的主观因素,而且可以取得更高的准确度。     

电容耦合氧等离子体处理ITO基片对OLED的影响

在不同条件下采用电容耦合氧等离子体处理用于有机电致发光（OLED）的ITO基片,使用接触电势法测量了基片表面功函数的改变。研究发现,氧等离子体处理可以有效地提高ITO表面的功函数。X射线光电子能谱的测量揭示了其本质：氧等离子体处理可以提高表面氧原子的含量,同时降低ITO表面锡／铟原子的比例,由此导致了ITO表面功函数的提高。高功函数的ITO可降低空穴由ITO向OLED空穴传输层中注入空穴的势垒,从而提高OLED器件的性能。进一步的基于联苯二胺衍生物NPB／8-羟基喹啉铝（Alq3）的标准器件的研究证明了这一点。研究同时发现,在相同的真空和氧压条件下,保持处理时间不变,随着射频激发功率的升高,ITO表面功函数会逐渐降低。这个功函数的降低,使得OLED器件的驱动电压升高且电流效率减小。因此使用电容耦合氧等离子体处理的ITO来制备OLED器件,需要在优化的条件下进行,以达最佳效果。在本实验系统下处理条件为射频功率100W、时间25s。     

DANTEC速度测量技术及其应用

本文介绍了Sensorline 75 2 0测定运动物体表面速度的原理及组成 ,还介绍了Sensorline 75 2 0在造纸机上的应用范围及指导意义 ,最后对广州造纸有限公司五台新闻纸机浆网速测定的结果进行了分析。     

含机心的湿部系统中化学品吸附及增强机理

从机木浆和 常用化学助剂的吸附行为出发,探寻了硫酸铝和阳离子淀粉等常用造纸化学品在含机木浆系统（WC系统）中的作用原理及失效原因,为进一步在WC系统用好造纸化学品提供了理论依据。     

如何提高高职院校足球教学质量

提高教学质量是学校工作永恒的主题,本文主要从激发学生对足球的学习兴趣、改变足球教学的模式、加强教师队伍建设和体育教学管理几个方面阐述了在高职院校如何提高足球教学质量的问题。