N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展

获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键.目前,国际上公认V族元素中的N替代O位(No)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径.但p-ZnO:N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足.大量的理论和实验研究表明N基二元共掺( N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜.为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状.     

无机固体电解质Li7La3Zr2O12的制备及掺杂改性研究进展

无机固体电解质由于其安全性能高、能量密度大等特点备受研究者的青睐。其中Garnet型锂离子无机固体电解质Li_7La_3Zr_2O_(12)具有较高的离子导电率,较低的界面电阻,优良的稳定性能和电化学性能,在未来的全固态锂离子电池、锂空气电池等领域有着广阔的应用前景。主要从Li_7La_3Zr_2O_(12)的晶体结构、制备工艺和掺杂改性等方面详细阐述无机固态电解质Li_7La_3Zr_2O_(12)的研究进展。     

透明导电ZnO：Sn薄膜光学和电学性能的研究进展

纯ZnO电阻率高,电学性能不稳定,通过掺杂其他元素提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。文章从制备方法、掺杂浓度和退火等方面综述了Sn掺杂ZnO(ZnO:Sn)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:Sn薄膜电阻率和提高透光率的有效途径。     

透明导电GZO薄膜电学和光学性能的研究进展

ZnO因其价格便宜、无毒等优点,最有希望替代昂贵的掺锡氧化铟ITO,但未掺杂ZnO是高阻材料,如何提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。其中,Ga掺杂是提高ZnO性能的一种有效手段。从制备方法、掺杂浓度、生长条件等方面综述了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜光电性能的研究进展,归纳总结后发现:适当增加掺杂量、提高衬底温度等都有利于薄膜光学和电学性能的提高。目前,GZO薄膜电阻率最低可达10-3～10-4Ω.cm,透光率一般可达80%以上,光电性能可以满足透明导电膜的要求,但其性能的稳定性还不如广泛使用的ITO。因此,GZO薄膜要达到实际应用要求,尚需进一步优化工艺,提高其性能的稳定性。     

钢结构建筑防火问题探讨

钢结构材料被广泛的运用于建筑场合,但是,在实际的运用中,因为其耐火性差,以及耐火成本的考虑,在建筑中并不单独采用这种材料.因此,作为建筑施工材料设计者和研究者应该要对其采用合适的方法增强器耐火性能.     

锆合金表面Mo/Al/Cr复合涂层的抗高温水蒸气氧化性能

锆合金是重要的核燃料包壳材料,在包壳表面沉积抗高温水蒸气氧化涂层是在失水事故中避免核泄漏的有效途径,然而涂层在高温氧化过程中存在氧化产物不稳定及界面扩散问题。用磁控溅射的方法在Zr-4合金表面沉积Mo/Al/Cr复合涂层,拟利用Al层生成氧化铝提升抗氧化温度上限,利用Mo层阻挡Al与Zr-4基体的扩散。用SEM表征涂层的表面及横截面形貌,利用XRD分析涂层物相结构,用纳米压痕的方法评价涂层的力学性能,用管式炉连接水蒸气发生器来评价涂层的抗高温水蒸气氧化性能。结果表明：在锆合金表面制备的Mo/Al/Cr复合涂层与基体结合良好,结构完整,界面清晰,硬度高于Zr-4合金基体。在高温水蒸气氧化试验中,复合涂层中的Al会发生熔融,导致涂层结构的破坏而不能生成连续致密氧化铝膜。在Cr层、Al层失效的情况下,Mo层可以有效阻挡Al及O元素向基体内部扩散。探讨了Al作为抗氧化层及Mo作为扩散阻挡层的可行性,试验结果可为核燃料包壳涂层的设计选材提供借鉴和支撑。     

德莱赛3700数控测井仪声波测井系统

德莱赛—阿特拉斯公司生产的3700数控测井仪是以计算机为核心的现场测井设备。它的声波测井系统是由计算机控制声波发射和接收,由软件自动地根据测井速率调整声波的重复频率。井下声波信号在地面接口中进行快速全波列采样后也由软件进行数据处理、计算和校正。本文分析了3700声波时差测井的硬件和软件,硬件部分概述了井下仪器、地面接口和计算机的选择通道;软件部分分析了声波驱动程序和声波首波检测程序。     

基于物联网技术的高压电气结点温度监测系统研究

针对基于物联网技术的高压结点测温系统进行研究,填补了国内有关技术的空白,为高压设备结点温度的实时监测、自动报警提供了一种先进的、行之有效的技术手段.基于物联网技术的高压结点测温系统的推广使用,可以为各种高压电气设备在不同环境下的正常使用提供技术依据,从而为巡线检修、设备保养和更换提供科学依据,进而预防发生因温度过高而引起的设备爆炸和损坏.高压电气设备结点发热与线路负荷大小、结点安装工艺、工作环境等有关.实时了解电气结点温度变化,及时进行负荷转移、改善安装工艺等,减少发生故障的几率,提供供电可靠性.     

衬底温度对Sn掺杂ZnO薄膜结构、电学和光学性能的影响

采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了掺杂浓度为0.5％(原子分数)的ZnO∶Sn(TZO)薄膜,研究了不同衬底温度下薄膜的结构、形貌、电学和光学的性能.研究发现,TZO薄膜沿着C轴择优生长,在400℃时结晶度最好,最低电阻率为2.619×10-2Ω·cm,在可见光范围内具有较好的透光率.     

铜纳米线复合透明电极的构筑及应用研究进展

铜纳米线(Cu NWs)作为透明导电层,具有良好的光透过性、导电性、柔性以及低成本等特点,受到了研究者及工业界的广泛关注。然而,Cu NWs极易被氧化,严重限制了其在光电器件中的应用。针对这一难题,研究者普遍采用构筑Cu NWs复合透明电极的方式提高其稳定性。本文综述了近年来国内外在构筑Cu NWs复合透明电极方面的研究进展,重点介绍了不同构筑方式对Cu NWs透明电极结构、光电性能和稳定性的影响,简述了Cu NWs复合透明电极的应用研究进展。最后,对Cu NWs复合透明电极的应用前景和发展方向进行了展望。