一种适用于移动芯片的低功耗低温漂LDO电路

针对移动设备低功耗的要求,基于GSMC 0.18μm CMOS集成电路工艺,设计了一种新型无片外电容低压差线性稳压电路．在传统结构的基础上,用经温度补偿的恒流源替代反馈电阻,并将此恒流源作为基准电压源电路及误差放大器偏置参考电流,降低了静态功耗,同时对输出电压实现了温度补偿且可调．结果表明,在2.85～4.00V工作电压范围内,空载时静态电流仅为5.486μA; 在-40~85℃工作温度范围内,输出电压温漂为9.772×10^-6/℃;电路版图面积仅为0.12mm×0.09mm．     

单相时钟动态CMOS反相器分析与高速动态器件设计

从逻辑功能和工作速度等角度,分析总结了当前三种类型的单相时钟动态CMOS反相器,总结得出了构造各种高速CMOS动态D触发器的方法。并由此设计了新的高速移位寄存器、高速鉴频鉴相器,以0.8um CMOS工艺模型,经PSPISCE模拟,其最高工作频率分别达到了1.7GHz、700MHz以上,工作速度达到或超过了双极型ECL电路。     

适用于RISC CPU的转移指令的原理及仿真

介绍了一款RISC CPU的转移指令的设计及转移指令的处理原理，给出了对一段程序的仿真结果。该转移指令通过使用延时转移和引入跳转目标Cache(BTC)，尽可能的减少流水线中的气泡，提高了CPU效率。     

2.4GHz0.18um CMOS功率放大器设计

文章介绍了采用TSMC 0.18um CMOS工艺设计的2.4GHz WLAN(无线局域网)功率放大器,放大器采用并联拓扑结构设计,改善了功率附加效率(PAE).在3.3V工作电压下,其压缩点输出功率为21dBm,最大输出功率22.3dBm,最大功率附加效率PAE高于38％,可应用于无线局域网802.11b标准的系统.     

内嵌RAM的液晶显示控制驱动器

讨论一种液晶控制驱动器的设计及使用方法。根据设计要求，阐述了每个分模块的设计思想与设计方法，并进行了数模混合仿真。     

双极型压控晶体管模型及原理

本文提出一种新的双极型压控晶体管模型，并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电，有较大的电流密度和功率，导电能力又受电压控制，具有较大的输入阻抗，兼有双极器件和MOS场效应器件的特点。     

氢化非晶硅磷掺杂工艺条件的研究

本文对氧化非晶硅磷掺杂的工艺条件进行了研究，得出掺磷氢化非晶硅的电导率随衬底温度、气体流量、气体压力、射频功率、淀积时间的变化关系，为非晶硅的有效掺杂和器件研究提供了依据。     

一种高速JPEG2000 MQ编码器的VLSI实现

JPEG2000采用的MQ编码器是一种优于Huffman编码的无损数据压缩算法。基于JPEG2000算法规程的MQ编码器速度较慢,限制了整个编码系统的实时性。本文采用部分并行算法,MQ编码器每个时钟最多可以编码2对数据,有效提高了编码器的数据吞吐率,并设计了基于3级流水的VLSI结构。试验结果表明,该算法平均每个时钟编码1.32bit,比普通算法的编码效率提高了约32%。     

基于ARM和μC/OS-Ⅱ的全自动测硫仪的设计与实现

针对传统测硫仪存在实时性差的问题,设计一种基于ARM和μC/OS-Ⅱ的嵌入式全自动测硫仪.本文给出了系统的软硬件设计与实现,并对μC/OS-Ⅱ进行了移植.测试结果表明,任务切换时间约为510us,各任务运行无明显滞后.与传统的测硫仪相比,极大的提高了系统的实时性和稳定性.