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1.
针对现有的锑化铟一铟磁阻式传感器的灵敏度、噪声等电学特性的测量过程所存在的不足之处,本文提出一种改进的测量方法,并且在此基础之上设计了一个自动测试仪,采用ADS744型A/D转换器和CH365型专用PCI接口芯片,达到高的采样速率与传输速率,实现对此种传感器的电学特性的快捷、精确的测量。  相似文献   
2.
本文设计了一种检测方法,它提拱精确可控制、且在一定的条件下磁感应强度的大小是稳定的磁场,同时设计了一种低噪声的放大电路对磁阻元件的输出进行测量.利用这个装置,可以精确地测量薄膜式InSb-In磁阻元件的灵敏度.本文检测并讨论了磁阻式Insb-In磁阻元件在一定的磁偏置的条件下,外加磁感应强度B与磁阻元件的电阻值的变化率间的关系,从而提出了一种精确、便捷的薄膜型InSb-In磁阻元件的测量方法.  相似文献   
3.
4.
针对基于Hilbert变换的零相位低通滤波器数值计算中,时域离散化带来的频域周期化影响了其低通特性的问题,提出了相应的改进方法。通过证明Hilbert低通滤波器时域解析表达式的频率响应特性,指出离散Hilbert低通滤波器的频响特性混叠了π两侧倒相的频率成分,并根据频响特性图的特征采用两级滤波结构对数值计算方法做出了改进。理论证明了改进后的滤波器能数值实现零相位低通滤波,并通过调幅信号以及调幅-调频信号的仿真算例进行了验证。应变实测信号处理实例表明,改进后滤波器能剔除动应变信号中低频的温度效应成分的影响,适合非平稳信号分析的预处理。  相似文献   
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