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1.
某核电厂辐照监督管运输容器的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
2.
简单介绍了电子束光刻的优缺点及其在科研领域中展现的巨大应用潜力,重点阐述了如何利用基于扫描电子显微镜技术的电子束曝光工艺实现Au线栅阵列的制备,并得到了与实验设计周期和线宽相符的微结构。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对样片表面进行表征获得Au线栅的形貌和高度。通过测量接触角,获得了Au线栅的润湿特性。  相似文献   
3.
4.
介绍了nm级电子束曝光机激光定位精密工件台系统的结构组成、各部分技术措施及总体性能指标。该工件台采用HP5527激光干涉测量系统,测量分辨率达0.6nm,结构上成功将导向与承载分离,对承片台、机械手等进行重大创新。无论是整机性能还是关键技术单元均处于国内领先水平,是一台性能优良、高精度的电子束曝光机工件台。  相似文献   
5.
张敬才 《核动力工程》2003,24(Z1):130-133
介绍了秦山核电二期工程反应堆压力容器(RPV)的设计思想和背景;说明了RPV产品的基本特征;按照NRC-RG1.99(Rev2)规定给出了快中子(E>1Mev)辐照损伤计算结果;并对RPV的使用寿命进行了计算,结果表明,在堆芯核设计和燃料管理不作任何优化时,其预计寿命依然能够达到60年.  相似文献   
6.
明天的芯片生产技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
7.
8.
《中国集成电路》2004,(4):36-40
虽然下一代光刻(NGL)技术的开发仍在继续大力开展工作,但许多人一直支持“不断延续光学光刻”的呼声。248nm光刻性能的进一步扩展,更激励许多企业界人士指望用193nm光刻来完成45nm技术节点的光刻。  相似文献   
9.
用于模拟固体中电子散射轨迹的蒙特卡洛方法已经在电子探针、电子束微分析和电子束光刻等领域得到极其广阔的应用。扫描电子显微学中,借助于该方法我们可以从理论上系统地研究二次电子和背散射电子的信号产生和发射过程,从而理解各种衬度形成的物理机制。  相似文献   
10.
不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性   总被引:1,自引:1,他引:0  
在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.  相似文献   
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