抑弧层结构对高压熔断器熔断效果的影响

将不同结构的抑弧层使用在相同熔断器基片上,研究了不同结构对熔断器高压电弧猝灭效果的影响。结果表明:熔断器动作时高压电弧的猝灭与抑弧层结构密切相关,多孔的抑弧层结构更有利于电弧的及时猝灭,对抑弧层中孔洞结构进行优化后熔断器电弧猝灭时间能够缩短至3 ms以内,电弧猝灭后的绝缘电阻大于500 M?,能达到较好的切断电流的目的。     

双馈风机低电压穿越的改进技术

为提高电压跌落条件下双馈风电机组的运行稳定性,介绍了crowbar与chopper共同配合作用的低电压穿越技术,并从提高crowbar阻值整定上限这一角度通过理论分析与仿真验证说明了crowbar与chopper配合作用的优势。提出低电压穿越过程中机侧变流器的无扰切换控制方法,通过仿真验证了这种方法可以大大减少crowbar投切次数与低穿过渡时间,且控制简单可行。     

气隙对表面贴装功率电感直流叠加及频率特性的影响

制作了表面贴装功率电感,结合Ansoft Maxwell软件仿真研究了气隙长度与气隙分布对表面贴装功率电感直流叠加及频率特性的影响。结果表明,随着气隙长度的增加,初始电感值逐渐减小,直流叠加特性不断优化,电感值的频率衰减特性随之减缓。采用内核磁心两端气隙分布,增大一侧的气隙长度,可降低功率电感直流叠加特性的衰减幅度,但调控其两端气隙分布对功率电感频率衰减特性的影响不大。     

半导体器件静态直流参数能力比对方法

实验室间能力比对作为重要的外部质量评价手段,被越来越多的实验室所采用,它不仅是质量控制的一种有效方法,也是衡量各实验室间能力的一个重要手段.而半导体器件静态直流参数是器件基本参数之一,是半导体器件筛选环节必检项目.该文以半导体器件静态直流参数为例阐述实验室间能力比对的方法.